X-ray reciprocal space mapping of strain relaxation in GaAs 1-xNx on GaAs [100] by molecular-beam epitaxy

Journal of Applied Physics

Volumn 94, Issue 6, 2003, Pages 3828-3833

  Cheah, W K ^a   Fan, W J ^a   Yoon, S F ^a   Wang, S Z ^a   Loke, W K ^a  

^a NANYANG TECHNOLOGICAL UNIVERSITY   (Singapore)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

COMPRESSIVE STRENGTH; CRYSTAL STRUCTURE; MOLECULAR BEAM EPITAXY; X RAY ANALYSIS;

STRAIN RELAXATION;

SEMICONDUCTING GALLIUM ARSENIDE;

EID: 0141955862     PISSN: 00218979     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.1600844     Document Type: Article

References (31)

1. I. Suemune, L. Uesugi, and T.-Y. Seong, Semicond. Sci. Technol. 17, 755 (2002).
2. M. Weyers, M. Sato, and H. Ando, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 32, L853 (1992).
3. W. G. Bi and C. W. Tu, Appl. Phys. Lett. 70, 1608 (1997).
4. K. Uesugi, N. Morooka, and I. Suemune, Appl. Phys. Lett. 74, 1254 (1999).
5. M. Kondow, K. Uomi, A. Niwa, T. Kitatani, S. Watahiki, and Y. Yazawa, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 35, 1273 (1996).
6. S. G. Spruytte, M. C. Larson, W. Wampler, C. W. Coldren, H. E. Peterson, and J. S. Harris, J. Cryst. Growth 227, 506 (2001).
7. S. Sato, N. Nishiyama, T. Miyamoto, T. Takahashi, N. Jikutani, M. Arai, A. Matsutani, F. Kogayama, and K. Iga, Electron. Lett. 36, 2018 (2000).
8. A. W. Jackson, R. L. Naone, M. J. Dalberth, J. M. Smith, K. J. Malone, D. W. Kisker, J. F. Klem, K. D. Choquette, D. K. Serkland, and K. M. Geib, Electron. Lett. 37, 355 (2001).
9. G. Steinle, F. Mederer, M. Kicherer, R. Michalzik, G. Kristen, A. Y. Egorov, H. Riechert, H. D. Wolf, and K. J. Ebeling, Electron. Lett. 37, 632 (2001).
10. B. Borchert, A. Y. Egorov, S. Illek, M. Komainda, and H. Riechert, Electron. Lett. 35, 2204 (1999).
11. T. Kitatani, K. Nakahara, M. Kondow, K. Uomi, and T. Tanara, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 39, L86 (2000).
12. J. M. Reifsnider, S. Govindaraju, and A. L. Holmes, Jr., J. Cryst. Growth 243, 396 (2002).
13. H. Carrère, A. Arnoult, A. Ricard, X. Marie, T. Amand, and E. Bedel-Pereira, Solid-State Electron. 47, 419 (2003).
14. S. G. Spruytte, C. W. Coldren, J. S. Harris, W. Wampler, P. Krispin, K. Ploog, and M. C. Larson, J. Appl. Phys. 89, 4401 (2001).
15. M. Kondow, K. Uomi, K. Hosomi, and T. Mozume, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 33, L1056 (1994).
16. W. Li, J. Turpeinen, P. Melanen, P. Savolainen, P. Uusimaa, and M. Pessa, Appl. Phys. Lett. 78, 91 (2001).
17. S. Francoeur, G. Sivaraman, Y. Qiu, S. Nikishim, and H. Temkin, Appl. Phys. Lett. 72, 1857 (1998).
18. A. Buyanova, W. M. Chen, G. Pozina, J. P. Bergman, B. Monemar, H. P. Xin, and C. W. Tu, Appl. Phys. Lett. 75, 501 (1999).
19. B. Q. Sun, D. S. Jiang, X. D. Luo, and Z. Y. Xu, Appl. Phys. Lett. 76, 2862 (2000).
20. P. F. Fewster, J. Appl. Crystallogr. 22, 64 (1989).
21. P. F. Fewster, J. Appl. Crystallogr. 25, 714 (1992).
22. K. Uesugi and I. Suemune, J. Cryst. Growth 189, 490 (1998).
23. S. Z. Wang, S. F. Yoon, T. K. Ng, W. K. Loke, and W. J. Fan, J. Cryst. Growth 242, 87 (2002).
24. I.Vurgaftman and J. R. Meyer, J. Appl. Phys. 89, 5815 (2001).
25. K. Uesugi, N. Morooka, and I. Suemune, Appl. Phys. Lett. 74, 1254 (1999).
26. J. W. Matthews and A. E. Blakeslee, J. Cryst. Growth 27, 118 (1974).
27. M. Adamcyk, J. H. Schmid, and T. Tiedje, Appl. Phys. Lett. 80, 4357 (2002).
28. M. Shinohara and T. Ito, J. Appl. Phys. 65, 4260 (1989).
29. A. Y. Kim, W. S. McCullough, and E. A. Fitzgerald, J. Vac. Sci. Technol. B 17, 1485 (1999).
30. H. A. McKay, R. M. Feenstra, T. Schmidtling, U. W. Pohl, and J. F. Geisz, J. Vac. Sci. Technol. B 19, 1644 (2001).
31. W. J. Fan, S. F. Yoon, T. K. Ng, S. Z. Wang, and W. K. Loke, Appl. Phys. Lett. 80, 4136 (2002).