Bowing parameter of the band-gap energy of GaNxAs1-x

Applied Physics Letters

Volumn 70, Issue 12, 1997, Pages 1608-1610

  Bi, W G ^a   Tu, C W ^a  

^a UNIVERSITY OF CALIFORNIA   (United States)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 0001375334     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.118630     Document Type: Article

References (28)

1. M. Umeno, T. Jimbo, and T. Soga, J. Cryst. Growth 98, 188 (1989).
2. Y. Kohama, Y. Kadota, and Y. Ohmachi, Jpn. J. Appl. Phys. 1 28, 1337 (1989).
3. S. F. Fang, K. Adomi, S. Iyer, H. Morkoç, H. Zabel, C. Choi, and N. Otsuka, J. Appl. Phys. 68, R31 (1990); and references therein.
4. 4S. Nakamura, M. Senoh, S. Nagahama, N. Iwasa, T. Yamada, T. Matsushita, H. Kiyoku, and Y. Sugimoto, Jpn. J. Appl. Phys. 1 35, L74 (1996).
5. S. Strite and H. Morkoç, J. Vac. Sci, Technol. B 10, 1237 (1992).
6. S. Nakamura, T. Mukai, and X. Senoh, Appl. Phys. Lett. 64, 1687 (1994).
7. R. F. Davis, Proc. IEEE 79, 702 (1991).
8. X. Liu, M. E. Pistol, L. Samuelson, S. Schwetlick, and W. Seifert, Appl. Phys. Lett. 56, 1451 (1990).
9. M. Weyers, M. Sato, and H. Ando, Jpn. J. Appl. Phys. 1 31, L853 (1992).
10. M. Weyers and M. Sato, Appl. Phys. Lett. 62, 1396 (1993).
11. M. Kondow, K. Uomi, T. Kitatani, S. Watahiki, and Y. Yazawa, J. Cryst. Growth 164, 175 (1996).
12. J. N. Baillargeon, K. Y. Cheng, G. E. Holfler, P. J. Pearah, and K. C. Hsieh, Appl. Phys. Lett. 60, 2540 (1992).
13. J. N. Baillargeon, P. J. Pearah, K. Y. Cheng, G. E. Holfler, and K. C. Hsieh, J. Vac. Sci. Technol. B 10, 829 (1992).
14. X. Liu, S. G. Bishop, J. N. Baillargeon, and K. Y. Cheng, Appl. Phys. Lett. 63, 208 (1993).
15. S. Miyoshi, H. Yaguchi, K. Onabe, and R. Ito, Appl. Phys. Lett. 63, 3506 (1993).
16. M. Kondow, K. Uomi, K. Hosomi, and T. Mozume, Jpn. J. Appl. Phys. 1 33, L1056 (1994).
17. M. Sato, J. Cryst. Growth 145, 99 (1994).
18. C. T. Foxon, T. S. Cheng, S. V. Novikov, D. E. Lacklison, L. C. Jenkins, D. Johnston, J. W. Orton, S. E. Hooper, N. Baba-Ali, T. L. Tansley, and V. V. Tret'yakov, J. Cryst. Growth 150, 892 (1995).
19. Y. C. Kao, T. P. E. Broekaet, H. Y. Liu, S. Tang, I. H. Ho, and G. B. Stringfellow, Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 423, 355 (1996).
20. J. W. Orton, D. E. Lacklison, N. Baba-Ali, C. T. Foxon, T. S. Cheng, S. V. Novikov, D. F. C. Johnston, S. E. Hooper, L. C. Jenkins, L. J. Challis, and T. L. Tansley, J. Electron. Mater. 24, 263 (1994).
21. S. Sakai, Y. Ueta, and Y. Teauchi, Jpn. J. Appl. Phys. 1 32, 4413 (1993).
22. S. H. Wei and A. Zunger, Phys. Rev. Lett. 76, 664 (1996).
23. L. Bellaiche, S. H. Wei, and A. Zunger, Phys. Rev. B 54, 17568 (1996).
24. W. G. Bi, F. Deng, S, S. Lau, and C. W. Tu, J. Vac. Sci. Technol. B 13, 754 (1995).
25. M. Kondow, K. Uomi, K. Hosomi, and T. Mozume, 8th International MBE Conference, Paper A11-2, Osaka, Japan, August 29-September 2, 1994.
26. D. G. Thomas and J. J. Hopfield, Phys. Rev. 150, 680 (1966).
27. M. D. Sturge, E. Cohen, and K. F. Rodgers, Phys. Rev. B 15, 3169 (1977).
28. Q. X. Zhao and B. Monemar, Phys. Rev. B 38, 1397 (1988).