Evolution of microstructure and dislocation dynamics in InxGa1-xP graded buffers grown on GaP by metalorganic vapor phase epitaxy: Engineering device-quality substrate materials

Journal of Vacuum Science and Technology B: Microelectronics and Nanometer Structures

Volumn 17, Issue 4, 1999, Pages 1485-1501

  Kim, Andrew Y ^a  

^a Massachusetts Institute of Technology Cambridge   (United States)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 22644451896     PISSN: 10711023     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: None     Document Type: Article

References (38)

1. L. J. Stinson, J. G. Yu, S. D. Lester, M. J. Peanasky, and K. Park, Appl. Phys. Lett. 58, 2012 (1991).
2. W. Nakwaski, J. Appl. Phys. 64, 159 (1988).
3. F. A. Kish et al., Appl. Phys. Lett. 64, 2839 (1994).
4. A. Y. Kim and E. A. Fitzgerald, Proc. SPIE 3621, 187 (1999).
5. R. E. Enstrom and D. G. Fischer, J. Appl. Phys. 46, 1976 (1975).
6. D. G. Fischer, R. E. Enstrom, J. S. Escher, H. F. Gossenberger, and J. R. Appert, IEEE Trans. Electron Devices ED-21, 641 (1974).
7. Y. Komatsu, K. Hosotani, T. Fuyuki, and H. Matsunami, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 36, 5425 (1997).
8. E. A. Fitzgerald, Mater. Sci. Rep. 7, 87 (1991).
9. A. Y. Kim and E. A. Fitzgerald, Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 510, 131 (1998).
10. M. S. Abrahams, C. J. Buiocchi, and G. H. Olsen, J. Appl. Phys. 46, 4259 (1975).
11. M. S. Abrahams, L. R. Weisberg, C. J. Buiocchi, and J. Blanc, J. Mater. Sci. 4, 223 (1969).
12. T. P. Chin, J. C. P. Chang, K. L. Kavanagh, C. W. Tu, P. D. Kirchner, and J. M. Woodall, Appl. Phys. Lett. 62, 2369 (1993).
13. S. B. Samavedam and E. A. Fitzgerald, J. Appl. Phys. 81, 3108 (1997).
14. M. T. Currie, S. B Samavedem, T. A. Langdo, C. W. Leitz, and E. A. Fitzgerald, Appl. Phys. Lett. 72, 1718 (1998).
15. M. T. Bulsara, Ph.D. thesis, MIT (1998).
16. E. A. Fitzgerald, S. B. Samavedam, Y. H. Xie, and L. M. Giovane, J. Vac. Sci. Technol. A 15, 1048 (1997).
17. S. Mahajan, Mater. Sci. Eng., B 30, 187 (1995).
18. H. Casey and M. Panish, Heterostructure Lasers Part B (Academic, San Diego, 1978).
19. G. B. Stringfellow, L. C. Su, Y. E. Strausser, and J. T. Thomton, Appl. Phys. Lett. 66, 3155 (1995).
20. W. Wegscheider and H. Cerva, J. Vac. Sci. Technol. B 11, 1056 (1993).
21. E. A. Fitzgerald, Y. H. Xie, D. Monroe, P. J. Silverman, J. M. Kuo, A. R. Kortan, F. A. Thiel, and B. E. Weir, J. Vac. Sci. Technol. B 10, 1807 (1992).
22. K. Sumino, Mater. Sci. Rep. 13, 269 (1974).
23. I. Yonenaga and K. Sumino, J. Appl. Phys. 73, 1681 (1993).
24. I. Yonenaga and K. Sumino, Appl. Phys. Lett. 58, 48 (1991).
25. G. Stringfellow, Organometallic Vapor-Phase Epitaxy (Academic, Boston, 1989).
26. H. Kroemer, J. Cryst. Growth 81, 193 (1987).
27. O. Ueda, M. Takikawa, M. Takechi, J. Komeno, and I. Umebu, J. Cryst. Growth 93, 418 (1988).
28. C. Nozaki, Y. Ohba, H. Sugawara, S. Yasuami, and T. Nakanisi, J. Cryst. Growth 93, 406 (1988).
29. G. B. Stringfellow, J. Electron. Mater. 11, 903 (1982).
30. M. T. Bulsara, V. Yang, A. Thilderkvist, E. A. Fitzgerald, K. Haüsler, and K. Eberl, J. Appl. Phys. 83, 592 (1998).
31. M. T. Bulsara, C. Leitz, and E. A. Fitzgerald, Appl. Phys. Lett. 72, 1608 (1998).
32. J. F. Valtueña et al., J. Cryst. Growth 182, 281 (1997).
33. M. Haupt, K. Köhler, P. Ganser, S. Emminger, S. Müller, and W. Rothemund, Appl. Phys. Lett. 69, 412 (1996).
34. F. Peiró, A. Cornet, J. R. Morante, M. Beck, and M. A. Py, J. Appl. Phys. 83, 7537 (1998).
35. S. F. Yoon, P. H. Zhang, H. Q. Zheng, K. Radhakrishnan, and S. Swaminathan, J. Cryst. Growth 186, 315 (1998).
36. K. Ozasa, M. Yuri, S. Nishino, and H. Matsunami, J. Cryst. Growth 93, 177 (1988).
37. J. S. Yuan, M. T. Tsai, C. H. Chen, R. M. Cohen, and G. B. Stringfellow, J. Appl. Phys. 60, 1346 (1986).
38. J. W. Matthews, A. E. Blakeslee, and S. Mader, Thin Solid Films 33, 253 (1976).