Persistent photoconductivity and optical quenching of photocurrent in GaN layers under dual excitation

Journal of Applied Physics

Volumn 94, Issue 6, 2003, Pages 3875-3882

  Ursaki, V V ^a   Tiginyanu, I M ^a   Ricci, P C ^b   Anedda, A ^b   Hubbard, S ^c   Pavlidis, D ^c  

^a INSTITUTE OF APPLIED PHYSICS   (Moldova)

^b UNIVERSITY OF CAGLIARI   (Italy)

^c University of Michigan   (United States)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

HOLE TRAPS; LUMINESCENCE; PHOTOCONDUCTIVITY; PHOTOCURRENTS; QUENCHING;

OPTICAL QUENCHING;

SEMICONDUCTING GALLIUM COMPOUNDS;

EID: 0141886935     PISSN: 00218979     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.1604950     Document Type: Article

References (36)

1. I. Akasaki, H. Amano, M. Kilo, and K. Hiramatsu, J. Lumin. 48, 666 (1991).
2. S. Nakamura, T. Mukai, and M. Senoh, Appl. Phys. Lett. 64, 1687 (1994).
3. H. Morkoc, S. Strite, G. B. Gao, M. E. Lin, B. Sverdlov, and M. Burns, J. Appl. Phys. 76, 1363 (1994).
4. S. Nakamura, S. Senoh, N. Iwasa, S. Nagahama, T. Yamada, T. Mutsushita, H. Kiyoku, and Y. Sugimoto, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 35, L74 (1996).
5. G. Y. Xu, A. Salvador, W. Kim, Z. Fan, C. Lu, H. Tang, H. Morkoc, G. Smith, M. Estes, B. Goldenberg, W. Yang, and S. Krishnankutty, Appl. Phys. Lett. 71, 2154 (1997).
6. A. Osinsky, S. Gangopadhyay, R. Gaska, B. Williams, M. A. Khan, D. Kuksenkov, and H. Temkin, Appl. Phys. Lett. 71, 2334 (1997).
7. S. N. Mohammad, Z.-F. Fan, A. Salvador, O. Aktas, A. E. Botchkarev, W. Kim, and H. Morkoc, Appl. Phys. Lett. 69, 1420 (1996).
8. M. A. Khan, Q. Chen, C. J. Sun, J. W. Yang, M. S. Shur, and H. Park, Appl. Phys. Lett. 68, 514 (1996).
9. J. Z. Li, J. Y. Lin, H. X. Jiang, and M. A. Khan, Appl. Phys. Lett. 72, 2868 (1998).
10. C. V. Reddy, A. Balakrishnan, H. Okumura, and S. Yoshida, Appl. Phys. Lett. 73, 244 (1998).
11. C. Johnson, J. Y. Lin, H. X. Jiang, M. A. Khan, and C. J. Sun, Appl. Phys. Lett. 68, 1808 (1996).
12. J. Z. Li, J. Y. Lin, H. X. Jiang, A Salvador, A. Botchkarev, and H. Morkoc, Appl. Phys. Lett. 69, 1474 (1996).
13. J. Z. Li, J. Y. Lin, H. X. Jiang, M. A. Khan, and Q. Chen, J. Appl. Phys. 82, 1227 (1997).
14. J. Z. Li, J. Y. Lin, H. X. Jiang, M. A. Khan, and Q. Chen, J. Vac. Sci. Technol. B 15, 1117 (1997).
15. G. Beadie, W. S. Rabinovioh, A. E. Wickenden, D. D. Koleske, S. C. Binari, and J. A. Freitas, Jr., Appl. Phys. Lett. 71, 1092 (1997).
16. M. T. Hirsch, J. A. Wolk, W. Walukiewicz, and E. E. Haller, Appl. Phys. Lett. 71, 1098 (1997).
17. W. Rieger, R. Dimitrov, D. Brunner, E. Rohrer, O. Ambacher, and H. Stutzmann, Phys. Rev. B 54, 17596 (1996).
18. H. M. Chen, Y. F. Chen, M. C. Lee, and M. S. Feng, Phys. Rev. B 56, 6942 (1997).
19. H. M. Chen, Y. F. Chen, M. C. Lee, and M. S. Feng, J. Appl. Phys. 82, 899 (1997).
20. I. K. Shmagin, J. F. Muth, J. H. Lee, R. H. Kolbas, C. M. Balkas, Z. Sitar, and R. F. Davis, Appl. Phys. Lett. 71, 455 (1997).
21. S. Dhar and S. Ohosh, Appl. Phys. Lett. 80, 4519 (2002).
22. S. J. Chung, M. S. Jeong, O. H. Cha, C.-H. Hong, E.-K. Suh, H. J. Lee, Y. S. Kim, and B. H. Kim, Appl. Phys. Lett. 76, 1021 (2000).
23. Z. C. Huang, D. B. Mott, P. K. Shu, R. Zhang, J. C. Chen, and D. K. Wickenden, J. Appl. Phys. 82, 2707 (1997).
24. T. Y. Lin, H. C. Yang, and Y. F. Chen, J. Appl. Phys. 87, 3404 (2000).
25. C. H. Qiu and J. I. Pankove, Appl. Phys. Lett. 70, 1983 (1997).
26. S. M. Hubbarad, D. Pavlidis, V. Valiaev, M. A. Stevens-Kalceff, and I. M. Tiginyanu, Mater. Sci. Eng., B 91, 336 (2002).
27. P. W. Yu, C. S. Park, and S. T. Kim, J. Appl. Phys. 89, 1692 (2001).
28. T. N. Morgan, Phys. Rev. 139, A343 (1965).
29. E. Illiopoulos, D. Doppalapudi, H. M. Ng, and T. D. Moustakas, Appl. Phys. Lett. 73, 375 (1998).
30. See, for instance, B. Gil, in Gallium Nitride (GaN) II, Semiconductors and Semimetals 57, edited by J. P Pankove and T. D. Moustakas (Academic, New York, 1999), p. 209 and references therein.
31. A. J. Ptak, V. A. Stoica, L. J. Holberg, M. Moldovan, and T. H. Myers, MRS Internet J. Nitride Semicond. Res. 5S1, w 11.45 (2000).
32. A. Boglio, G. Traetta, M. Lomascolo, A. Passaseo, and R. Cingolani, J. Appl. Phys. 89, 5782 (2001).
33. M. K. Sheinkman and A. Y. Shik, Sov. Phys. Solid State 10, 128 (1976).
34. T. Mattila, A. P. Seitsonen, and R. M. Nieminen, Phys. Rev. B 54, 1474n (1996).
35. I. Gorczyca, A. Svane, and N. E. Christensen, Phys. Rev. B 60, 8147 (1999).
36. J. Neugebauer and C. G. Van de Walle, Appl. Phys. Lett. 69, 503 (1996).