Effects of persistent photoconductivity on the characteristic performance of an AlGaN/GaN heterostructure ultraviolet detector

Applied Physics Letters

Volumn 72, Issue 22, 1998, Pages 2868-2870

  Li, J Z ^a   Lin, J Y ^a   Jiang, H X ^a   Khan, M A ^b  

^a KANSAS STATE UNIVERSITY   (United States)

^b University of South Carolina   (United States)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 0003194086     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.121485     Document Type: Article

References (24)

1. S. N. Mohammad and H. Morkoc, Prog. Quantum Electron. 208, 361 (1996).
2. S. Nakamura, M. Senoh, N. Iwasa, and S. Nagahama, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 34, L797 (1995).
3. S. Nakamura, M. Senoh, N. Iwasa, S. Nagahama, T. Yamada, T. Matsushita, H. Kiyoku, and Y. Sugimoto, Appl. Phys. Lett. 68, 2105 (1996).
4. M. Asif Khan, M. S. Shur, J. N. Kuznia, Q. Chen, J. Burn, and W. Schaff, Appl. Phys. Lett. 66, 1083 (1995).
5. S. N. Mohammad, Z.-F. Fan, A. Salvador, O. Aktas, A. E. Botchkarev, W. Kim, and H. Morkoc, Appl. Phys. Lett. 69, 1420 (1996).
6. M. Asif Khan, Q. Chen, C. J. Sun, J. W. Yang, M. S. Shur, and H. Park, Appl. Phys. Lett. 68, 514 (1996);
7. M. Asif Khan, Q. Chen, C. J. Sun, M. Shur, and B. Gelmont, Appl. Phys. Lett. 67, 1429 (1995).
8. G. Y. Xu, A. Salvador, W. Kim, Z. Fan, C. Lu, H. Tang, H. Morkoc, G. Smith, M. Estes, B. Goldenberg, W. Yang, and S. Krishnankutty, Appl. Phys. Lett. 71, 2154 (1997).
9. A. Osinsky, S. Gangopadhyay, R. Gaska, B. Williams, M. A. Khan, D. Kuksenkov, and H. Temkin, Appl. Phys. Lett. 71, 2334 (1997).
10. C. Johnson, J. Y. Lin, H. X. Jiang, M. Asif Khan, and C. J. Sun, Appl. Phys. Lett. 68, 1808 (1996).
11. J. Z. Li, Y. Y. Lin, H. X. Jiang, A. Salvador, A. Botchkarev, and H. Morkoc, Appl. Phys. Lett. 69, 1474 (1996).
12. C. H. Qiu and J. I. Pankove, Appl. Phys. Lett. 70, 1983 (1997).
13. G. Beadie, W. S. Rabinovich, A. E. Wickenden, D. D. Koleske, S. C. Binari, and J. A. Freitas, Jr., Appl. Phys. Lett. 71, 1092 (1997).
14. M. T. Hirsch, J. A. Wolk, W. Walukiewicz, and E. E. Haller, Appl. Phys. Lett. 71, 1098 (1997).
15. J. Z. Li, J. Y. Lin, H. X. Jiang, M. A. Khan, and Q. Chen, J. Appl. Phys. 82, 1227 (1997);
16. J. Z. Li, J. Y. Lin, H. X. Jiang, M. A. Khan, and Q. Chen, J. Vac. Sci. Technol. B 15, 117 (1997).
17. C. H. Park and D. J. Chadi, Phys. Rev. B 55, 12995 (1997).
18. D. J. Chadi, Appl. Phys. Lett. 71, 2970 (1997).
19. P. M. Mooney, J. Appl. Phys. 67, R1 (1990).
20. B. Hu, G. Karczewski, H. Luo, N. Samarth, and J. K. Furdyna, Appl. Phys. Lett. 63, 358 (1993).
21. J. Han, M. D. Ringle, Y. Fan, R. L. Gunshor, and A. V. Nurmikko, Appl. Phys. Lett. 65, 3230 (1994).
22. A. Dissanayake, M. Elahi, H. X. Jiang, and J. Y. Lin, Phys. Rev. B 45, 13996 (1992).
23. S. M. Sze, Physics of Semiconductor Devices, 2nd ed. (Wiley Inter-Science, New York, 1981), Chap. 13.
24. M. Shur, Physics of Semiconductor Devices (Prentice-Hall, New Jersey, 1990), Chap. 5, p. 501.