Influences of postimplantation annealing conditions on resistance lowering in high-phosphorus-implanted 4H-SiC

Journal of Applied Physics

Volumn 94, Issue 5, 2003, Pages 2942-2947

  Senzaki, Junji ^a   Fukuda, Kenji ^a   Arai, Kazuo ^a  

^a NATIONAL INSTITUTE OF ADVANCED INDUSTRIAL SCIENCE AND TECHNOLOGY AIST   (Japan)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

CARRIER CONCENTRATION; CARRIER MOBILITY; ELECTRIC RESISTANCE; EVAPORATION; HALL EFFECT; HIGH TEMPERATURE EFFECTS; PRECIPITATION (CHEMICAL); RAPID THERMAL ANNEALING;

SHEET RESISTANCE;

SILICON CARBIDE;

EID: 0141496381     PISSN: 00218979     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.1597975     Document Type: Article

References (30)

1. S. T. Sheppard, M. R. Melloch, and J. A. Cooper, Jr., IEEE Trans. Electron Devices 41, 1257 (1994).
2. N. S. Saks, S. S. Mani, A. K. Agarwal, and M. G. Ancona, IEEE Electron Device Lett. 20, 431 (1999).
3. R. Schorner, P. Friedrichs, D. Peters, and D. Stephani, IEEE Electron Device Lett, 20, 241 (1999).
4. Properties of Silicon Carbide, EMS Datareviews Series No. 13, edited by G. L. Harris (INSPEC, London, U.K., 1995).
5. M. Ghezzo, D. M. Brown, E. Downey, J. Kretchmer, W. Hennessy, D. L. Polla, and H. Bakhru, IEEE Electron Device Lett. 13, 639 (1992).
6. T. Miyajima, N. Tokura, A. Fukumoto, H. Hayashi, and K. Hara, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 35, 1231 (1996).
7. M. V. Rao, J. B. Tucker, M. C. Ridgway, O. W. Holland, N. Papanicolaou, and J. Mittereder, J. Appl. Phys. 86, 752 (1999).
8. M. V. Rao, J. Tucker, O. W. Holland, N. Papanicolaou, P. H. Chi, J. W. Kretchmer, and M. Ghezzo, J. Electron. Mater. 28, 334 (1999).
9. T. Troffer, C. Peppermuller, G. Pensl, and A. Schoner, J. Appl. Phys. 80, 3739 (1996).
10. U. Schmid, R. Getto, S. T. Sheppard, and W. Wondrak, J. Appl. Phys. 85, 2681 (1999).
11. M. A. Capano, J. A. Cooper, Jr., M. R. Melloch, A. Saxler, and W. C. Milchel, J. Appl. Phys. 87, 8773 (2000).
12. S. Greulich-Weber, M. Feege, J. M. Spaeth, E. N. Kalabukhova, S. N. Lukin, and E. N. Mokhov, Solid State Commun. 93, 393 (1995).
13. M. A. Capano, R. Santhakumar, R. Venugopal, M. R. Melloch, and J. A. Cooper, Jr., J. Electron. Mater. 29, 210 (2000).
14. M. Laube, F. Schmid, G. Pensl, and G. Wagner, Mater. Sci. Forum 389-393, 791 (2002).
15. S. Imai, S. Kobayashi, T. Shinohe, K. Fukuda, Y. Tanaka, J. Senzaki, H. Tanoue, N. Kobayashi, and H. Okushi, Mater. Sci. Forum 338-342, 861 (2000).
16. F. Schmid, M. Laube, G. Pensl, G. Wagner, and M. Maier, J. Appl. Phys. 91, 9182 (2002).
17. Y. Negoro, N. Miyamoto, T. Kimoto, and H. Matsunami, Appl. Phys. Lett. 80, 240 (2002).
18. V. Khemka, R. Patel, N. Ramungul, T. P. Chow, M. Ghezzo, and J. Krechmer, J. Electron. Mater. 28, 167 (1999).
19. J. M. Bluet, J. Pernot, J. Camassel, S. Contreras, J. L. Robert, J. F. Michaud, and T. Billon, J. Appl. Phys. 88, 1971 (2000).
20. M. S. Janson, M. K. Linnarsson, A. Hallen, B. G. Svensson, N. Nordell, and H. Bleichner. Appl. Phys. Lett. 79, 1434 (2000).
21. M. A. Capano, S. Ryu, J. A. Cooper, Jr., M. R. Melloch, K. Rotter, S. Karlsson, N. Nordell, A. Powell, and D. E. Walker, Jr., J. Electron. Mater. 28, 214 (1999).
22. K. A. Jones, M. A. Derenge, P. H. Chi, R. D. Vispute, T. Venkatesan, N. A. Papanicolaou, and J. Mittereder, J. Appl. Phys. 86, 746 (1999).
23. J. Senzaki, S. Harada, R. Kosugi, S. Suzuki, K. Fukuda, and K. Arai, Mater. Sci. Forum 389-393, 795 (2002).
24. J. Senzaki, K. Fukuda, S. Imai, Y. Tanaka, N. Kobayashi, H. Tanoue, H. Okushi, and K. Arai, Appl. Surf. Sci. 159, 544 (2000).
25. A. J. Van Bommel, J. E. Crombeen, and A. Van Tooren, Surf. Sci. 48, 463 (1975).
26. C. S. Chang and L. S. T. Tsong, Surf. Sci. 256, 354 (1991).
27. M. Finetti, P. Negrini, S. Solmi, and D. Nobili, J. Electrochem. Soc. 128, 1313 (1981).
28. D. Nobili, A. Armigliato, M. Finetti, and S. Solmi, J. Appl. Phys. 53, 1484 (1982).
29. S. Solmi, F. Baruffaldi, and R. Canteri, J. Appl. Phys. 69, 2135 (1991).
30. Y. Tanaka, H. Tanoue, and K. Arai, Mater. Sci. Forum 389-393, 799 (2002).