Transient enhanced diffusion of implanted boron in 4H-silicon carbide

Applied Physics Letters

Volumn 76, Issue 11, 2000, Pages 1434-1436

  Janson, M S ^a   Linnarsson, M K ^a   Hallen A ^a   Svensson, B G ^a   Nordell, N ^a,b   Bleichner, H ^c  

^a ROYAL INSTITUTE OF TECHNOLOGY   (Sweden)

^b ACREO AB   (Sweden)

^c ABB CORPORATE RESEARCH   (Sweden)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 0001170878     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.126055     Document Type: Article

References (23)

1. H. C. Chang, C. Z. L. May, and L. F. Wallace, Silicon Carbide 1595 (Permagon, Oxford, 1960), pp. 496-507.
2. L. G. Griffiths, J. Appl. Phys. 36, 571 (1965).
3. T. Kimoto, A. Itoh, H. Matsunami, T. Nakata, and M. Watanabe, J. Electron. Mater. 25, 879 (1996).
4. M. V. Rao, J. A. Gardner, P. H. Chi, O. W. Holland, G. Keiner, J. Kretchmer, and M. Ghezzo, J. Appl. Phys. 81, 6635 (1997).
5. E. Glaser, A. Heft, J. Heindl, U. Kaiser, T. Baumann, W. Wesch, H. P. Strunk, and W. Wendler, Inst. Phys. Conf. Ser. 142, 557 (1996).
6. G. Pensl, V. V. Afanas'ev, M. Bassler, M. Schadt, T. Troffer, J. Heindl, H. P. Strunk, M. Maier, and W. J. Choyke, Inst. Phys. Conf. Ser. 142, 275 (1996).
7. P. O. Å. Persson, Q. Wahab, L. Hultman, N. Nordell, A. Schoner, K. Rottner, E. Olsson, and M. K. Linnarsson, Mater. Sci. Forum 264-268, 413 (1998).
8. G. Brauer, W. Anwand, P. G. Coleman, J. Stormer, F. Plazaola, J. M. Campillo, Y. Pacaud, and W. Skorupa, J. Phys.: Condens. Matter 10, 1147 (1998).
9. T. Kimoto, O. Takemura, H. Matsunami, T. Nakata, and M. Inoue, J. Electron. Mater. 27, 358 (1998).
10. T. Troffer, M. Schadt, T. Frank, H. Itoh, G. Pensl, J. Heindl, H. P. Strunk, and M. Maier, Phys. Status Solidi A 162, 277 (1997).
11. A. Schöner, S. Karlsson, T. Schmitt, A. Hallén, M. Frischholz, and K. Rottner, Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 512, 469 (1998).
12. M. Gong, C. V. Reddy, C. D. Beling, S. Fung, G. Brauer, H. Wirth, and W. Skorupa, Appl. Phys. Lett. 72, 2739 (1998).
13. S. Seshadri, G. W. Eldridge, and A. K. Agarwal. Appl. Phys. Lett. 72, 2026 (1998).
14. M. Laube, G. Pensl, and A. Itoh, Appl. Phys. Lett. 74, 2292 (1999).
15. S. Ortolland, C. Raynaud, J. P. Cahnte, M. L. Locatelli, A. A. Lebedev, A. N. Andreev, N. S. Savkina, V. E. Chelnokov, M. G. Rastagaeva, and A. L. Syrkin, J. Appl. Phys. 80, 5464 (1996).
16. N. Nordell, A. Schöner, and S. G. Andersson, J. Electrochem. Soc. 143, 2910 (1996).
17. N. Nordell, A. Schöner, and M. K. Linnarsson, J. Electron. Mater. 26, 187 (1997).
18. J. Philibert, Atom Movement Diffusion and Mass Transport in Solids (les éditions de physique, Les Ulis. France, 1991).
19. E. N. Mokhov, Y. A. Vodakov, G. A. Lomakina, V. G. Oding, G. F. Kholuyanov, and V. V. Semenov. Sov. Phys. Semicond. 6, 414 (1972).
20. E. N. Mokhov, E. E. Goncharov, and G. G. Ryabova, Sov. Phys. Semicond. 18, 27 (1984).
21. Y. A. Vodakov, N. Zhumaev, B. P. Zverev, G. A. Lomakina, E. N. Mokhov, V. G. Oding, V. V. Sermenov, and Y. F. Simakhin, Sov. Phys. Semicond. 11, 214 (1977).
22. P. A. Stolk, H.-J. Gossman, D. J. Eaglesham, D. C. Jacobson, C. S. Rafferty, G. H. Gilmer, M. Jaraiz, J. M. Poate, H. S. Luftman, and T. E. Haynes, J. Appl. Phys. 81, 6031 (1997).
23. A. O. Konstantinov, Sov. Phys. Semicond. 26, 151 (1992).