Spatial variation of electrical properties in lateral epitaxially overgrown GaN

Applied Physics Letters

Volumn 79, Issue 6, 2001, Pages 761-763

  Hsu, J W P ^a   Matthews, M J ^a   Abusch Magder, D ^a   Kleiman, R N ^a   Lang, D V ^b   Richter, S ^b   Gu, S L ^c   Kuech, T F ^c  

^a LUCENT TECHNOLOGIES   (United States)

^b AGERE SYSTEMS   (United States)

^c UNIVERSITY OF WISCONSIN MADISON   (United States)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 0039189884     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.1388877     Document Type: Article

References (23)

1. H. Marchand, X. H. Wu, J. P. Ibbetson, P. T. Fini, P. Kozodoy, S. Keller, J. S. Speck, S. P. DenBaars, and U. K. Mishra, Appl. Phys. Lett. 73, 747 (1998).
2. P. Kozodoy, J. P. Ibbetson, H. Marchand, P. T. Fini, S. Keller, J. S. Speck, S. P. DenBaars, and U. K. Mishra, Appl. Phys. Lett. 73, 975 (1998).
3. G. Parish, S. Keller, P. Kozodoy, J. P. Ibbetson, H. Marchand, P. T. Fini, S. B. Fleischer, S. P. DenBaars, U. K. Mishra, and E. J. Tarsa, Appl. Phys. Lett. 75, 247 (1999).
4. P. Fini, H. Marchand, J. P. Ibbetson, S. P. DenBaars, U. K. Mishra, and J. S. Speck, J. Cryst. Growth 209, 581 (2000).
5. A. Sakai, H. Sunakawa, and A. Usui, Appl. Phys. Lett. 73, 481 (1998); Z. Liliental-Weber, M. Benamara, W. Swider, J. Washburn, J. Park, P. A. Grudowski, C. J. Eiting, and R. D. Dupuis, MRS Internet J. Nitride Semicond. Res. 4S1, G4.6 (1999).
6. A. Sakai, H. Sunakawa, and A. Usui, Appl. Phys. Lett. 73, 481 (1998); Z. Liliental-Weber, M. Benamara, W. Swider, J. Washburn, J. Park, P. A. Grudowski, C. J. Eiting, and R. D. Dupuis, MRS Internet J. Nitride Semicond. Res. 4S1, G4.6 (1999).
7. S. J. Rosner, G. Girolami, H. Marchand, P. T. Fini, J. P. Ibbetson, L. Zhao, S. Keller, U. K. Mishra, S. P. DenBaars, and J. S. Speck, Appl. Phys. Lett. 74, 2035 (1999).
8. F. Bertram, T. Riemann, J. Christen, A. Kaschner, A. Hoffmann, C. Thomsen, K. Hiramatsu, T. Shibata, and N. Sawaki, Appl. Phys. Lett. 74, 359 (1999); A. Kaschner, A. Hoffmann, C. Thomsen, F. Bertram, T. Riemann, J. Christen, K. Hiramatsu, T. Shibata, and N. Sawaki, ibid. 74, 3320 (1999); ibid. 76, 3418 (2000).
9. F. Bertram, T. Riemann, J. Christen, A. Kaschner, A. Hoffmann, C. Thomsen, K. Hiramatsu, T. Shibata, and N. Sawaki, Appl. Phys. Lett. 74, 359 (1999); A. Kaschner, A. Hoffmann, C. Thomsen, F. Bertram, T. Riemann, J. Christen, K. Hiramatsu, T. Shibata, and N. Sawaki, ibid. 74, 3320 (1999); ibid. 76, 3418 (2000).
10. F. Bertram, T. Riemann, J. Christen, A. Kaschner, A. Hoffmann, C. Thomsen, K. Hiramatsu, T. Shibata, and N. Sawaki, Appl. Phys. Lett. 74, 359 (1999); A. Kaschner, A. Hoffmann, C. Thomsen, F. Bertram, T. Riemann, J. Christen, K. Hiramatsu, T. Shibata, and N. Sawaki, ibid. 74, 3320 (1999); ibid. 76, 3418 (2000).
11. R. Zhang, Y. Shi, Y. G. Zhou, B. Shen, Y. D. Zheng, T. S. Kuan, S. L. Gu, L. Zhang, D. M. Hansen, and T. F. Kuech, MRS Internet J. Nitride Semicond. Res. 5S1, W3.8 (2000).
12. M. J. Matthews, A. L. Harris, A. J. Bruce, and M. J. Cardillo, Rev. Sci. Instrum. 71, 2117 (2000).
13. P. Perlin, J. Camassel, W. Knap, T. Taliercio, J. C. Chervin, T. Suski, I. Grzegory, and S. Porowski, Appl. Phys. Lett. 67, 2524 (1995).
14. E. M. Nonnenmacher, M. P. O'Boyle, and H. K. Wickramasinghe, Appl. Phys. Lett. 58, 2921 (1991).
15. T. S. Kuan, C. K. Inoki, Y. Hsu, D. L. Harris, R. Zhang, S. Gu, and T. F. Kuech, MRS Internet J. Nitride Semicond. Res. 5S1, W2.6 (2000); K. A. Dunn, S. E. Babcock, D. S. Stone, R. J. Matyi, L. Zhang, and T. F. Kuech, ibid., 5S1, W2.11 (2000).
16. T. S. Kuan, C. K. Inoki, Y. Hsu, D. L. Harris, R. Zhang, S. Gu, and T. F. Kuech, MRS Internet J. Nitride Semicond. Res. 5S1, W2.6 (2000); K. A. Dunn, S. E. Babcock, D. S. Stone, R. J. Matyi, L. Zhang, and T. F. Kuech, ibid., 5S1, W2.11 (2000).
17. J. W. P. Hsu, D. V. Lang, S. Richter, R. N. Kleinman, A. M. Sergent, and R. J. Molnar, Appl. Phys. Lett. 77, 2873 (2000).
18. J. W. P. Hsu, D. V. Lang, S. Richter, R. N. Kleinman, A. M. Sergent, D. C. Look, and R. J. Molnar, J. Electron. Mater. 30, 115 (2001).
19. Scanning Auger microscopy did not find Si above the detection limit (∼0.1%) and the adsorbed oxygen makes oxygen detection difficult.
20. G. C. Yi and B. W. Wessels, Appl. Phys. Lett. 69, 3028 (1996); D. L. Rode and D. K. Gaskill, Appl. Phys. Lett. 66, 1972 (1995).
21. G. C. Yi and B. W. Wessels, Appl. Phys. Lett. 69, 3028 (1996); D. L. Rode and D. K. Gaskill, Appl. Phys. Lett. 66, 1972 (1995).
22. J. Oila, V. Ranki, J. Kivioja, K. Saarinen, P. Hautojarvi, J. Likonen, J. M. Baranowski, K. Pakula, T. Suski, M. Leszczynski, and I. Grzegory, Phys. Rev. B 63, 045205 (2001).
23. X. Li, P. W. Bohn, and J. J. Coleman, Appl. Phys. Lett. 75, 4049 (1999).