Optical microscopy of electronic and structural properties of epitaxial laterally overgrown GaN

Applied Physics Letters

Volumn 74, Issue 22, 1999, Pages 3320-3322

  Kaschner, A ^a   Hoffmann, A ^a   Thomsen, C ^a   Bertram, F ^b   Riemann, T ^b   Christen, J ^b   Hiramatsu, K ^c   Shibata, T ^d   Sawaki, N ^d  

^a TECHNISCHE UNIVERSITÄT BERLIN   (Germany)

^b OTTO VON GUERICKE UNIVERSITY   (Germany)

^c MIE UNIVERSITY   (Japan)

^d NAGOYA UNIVERSITY   (Japan)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

CARRIER CONCENTRATION; CRYSTAL ORIENTATION; ELECTRONIC PROPERTIES; MASKS; METALLORGANIC VAPOR PHASE EPITAXY; OPTICAL MICROSCOPY; RAMAN SPECTROSCOPY; SAPPHIRE; SEMICONDUCTING GALLIUM COMPOUNDS; SEMICONDUCTOR GROWTH; SILICA; THICK FILMS;

EPITAXIAL LATERAL OVERGROWTH (ELOG) TECHNIQUES; GALLIUM NITRIDE;

SEMICONDUCTING FILMS;

EID: 0032606991     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.123331     Document Type: Article

References (24)

1. For a review, see S. Nakamura and G. Fasol, The Blue Laser Diode (Springer, Heidelberg, 1997).
2. S. Nakamura, M. Senoh, S. Nagahama, N. Iwasa, T. Yamada, T. Matsushita, H. Kiyoku, Y. Sugimoto, T. Kozaki, H. Umemoto, M. Sano, and K. Chocho, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 36, L1568 (1997).
3. Y. Kato, S. Kitamura, K. Hiramatsu, and N. Sawaki, J. Cryst. Growth 144, 133 (1994).
4. D. Kapolnek, S. Keller, R. Vetury, R. D. Underwood, P. Kozodoy, S. P. Den Baars, and U. K. Mishra, Appl. Phys. Lett. 71, 1204 (1997).
5. T. S. Zheleva, O.-H. Nam, M. D. Bremser, and R. F. Davis, Appl. Phys. Lett. 71, 2472 (1997).
6. O.-H. Nam, M. D. Bremser, T. S. Zheleva, and R. F. Davis, Appl. Phys. Lett. 71, 2638 (1997).
7. D. Pribat, B. Gerad, M. Dupuy, and P. Legagneux, Appl. Phys. Lett. 60, 2144 (1992).
8. S. F. Fang, K. Adomi, S. Iyer, H. Morkoç, H. Zabel, C. Choi, and N. Otsuka, Appl. Phys. Lett. 68, R31 (1992).
9. S. D. Lester, F. A. Ponce, M. G. Craford, and D. A. Steigerwald, Appl. Phys. Lett. 66, 1249 (1996).
10. A. Usui, H. Sunakawa, A. Sakai, and A. Yamaguchi, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 36, L899 (1997).
11. H. Marchand, X. H. Wu, J. P. Ibbetson, P. T. Fini, P. Kozodoy, S. Keller, J. S. Speck, S. P. Den Baars, and U. K. Mishra, Appl. Phys. Lett. 73, 747 (1998).
12. A. Sakai, H. Sunakawa, and A. Usui, Appl. Phys. Lett. 71, 2259 (1997).
13. A. Sakai, H. Sunakawa, and A. Usui, Appl. Phys. Lett. 73, 481 (1998).
14. P. Kozodoy, J. P. Ibbetson, H. Marchand, P. T. Fini, S. Keller, J. S. Speck, S. P. Den Baars, and U. K. Mishra, Appl. Phys. Lett. 73, 975 (1998).
15. J. T. Torvik, J. I. Pankove, E. I. Iliopoulos, H. M. Ng, and T. D. Moustakas, Appl. Phys. Lett. 72, 244 (1998).
16. J. A. Freitas, Jr., O.-H. Nam, R. F. Davis, G. V. Saparin, and S. K. Obyden, Appl. Phys. Lett. 72, 2990 (1998).
17. X. Li, S. G. Bishop, and J. J. Coleman, Appl. Phys. Lett. 73, 1179 (1998).
18. F. Bertram, T. Riemann, J. Christen, A. Kaschner, A. Hoffmann, C. Thomsen, K. Hiramatsu, T. Shibata, and N. Sawaki, Appl. Phys. Lett. 74, 359 (1999).
19. J. Christen, M. Grundmann, and D. Bimberg, J. Vac. Sci. Technol. B 9, 2358 (1991).
20. H. Siegle, A. Hoffmann, L. Eckey, C. Thomsen, J. Christen, F. Bertram, D. Schmidt, D. Rudloff, and K. Hiramatsu, Appl. Phys. Lett. 71, 2490 (1997).
21. P. Veit (private communication).
22. H. Siegle, G. Kaczmarczyk, L. Filippidis, A. P. Litvinchuk, A. Hoffmann, and C. Thomsen, Phys. Rev. B 55, 7000 (1997).
23. P. Perlin, J. Camassel, W. Knap, T. Taliercio, J. C. Chervin, T. Suski, I. Grzegory, and S. Porowski, Appl. Phys. Lett. 67, 2524 (1995).
24. J. Park, P. A. Grudowski, C. J. Eiting, and R. D. Dupuis, Appl. Phys. Lett. 73, 333 (1998).