Cathodoluminescence mapping of epitaxial lateral overgrowth in gallium nitride

Applied Physics Letters

Volumn 74, Issue 14, 1999, Pages 2035-2037

  Rosner, S J ^a   Girolami, G ^a   Marchand, H ^b   Fini, P T ^b   Ibbetson, J P ^b   Zhao, L ^b   Keller, S ^b   Mishra, U K ^b   DenBaars, S P ^b   Speck, J S ^b  

^a HEWLETT PACKARD LABORATORIES   (United States)

^b University of California   (United States)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

CARRIER MOBILITY; CATHODOLUMINESCENCE; DIFFUSION IN SOLIDS; DISLOCATIONS (CRYSTALS); EPITAXIAL GROWTH; FILM GROWTH; NITRIDES; SEMICONDUCTING FILMS; SEMICONDUCTOR GROWTH; TRANSMISSION ELECTRON MICROSCOPY;

GALLIUM NITRIDE; LATERAL EPITAXIAL GROWTH (LEO);

SEMICONDUCTING GALLIUM COMPOUNDS;

EID: 0032614780     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.123748     Document Type: Article

References (15)

1. S. D. Lester, F. A. Ponce, M. G. Craford, and D. A. Steigerwald, Appl. Phys. Lett. 66, 1249 (1995).
2. X. H. Wu, L. M. Brown, D. Kapolnek, S. Keller, B. Keller, S. P. DenBaars, and J. S. Speck, J. Appl. Phys. 80, 3228 (1996).
3. S. Nakamura, M. Senoh, N. Iwasa, S. Nagahama, T. Yamada, and T. Mukai, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 34, L1332 (1995).
4. S. Nakamura, M. Senoh, S. Hagahama, H. Iwasa, T. Yamada, T. Matsushita, Y. Sugimoto, and H. Kiyoku, Appl. Phys. Lett. 70, 1417 (1997).
5. S. J. Rosner, E. C. Carr, M. J. Ludowise, G. Girolami, and H. I. Erikson, Appl. Phys. Lett. 70, 420 (1997).
6. X. H. Wu, C. R. Elsass, A. Abare, M. Mack, S. Keller, P. M. Petroff, S. P. DenBaars, J. S. Speck, and S. J. Rosner, Appl. Phys. Lett. 72, 692 (1998).
7. T. Sugahara, H. Sato, M. Hao, Y. Naoi, S. Kurai, S. Tottori, K. Yamashita, K. Nishino, L. T. Romano, and S. Sakai, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 37, L398 (1998).
8. P. J. Hansen, Y. E. Strausser, A. N. Erickson, E. J. Tarsa, P. Kozodoy, E. G. Brazel, J. P. Ibbetson, U. Mishra, V. Narayanamurti, S. P. DenBaars, and J. S. Speck, Appl. Phys. Lett. 72, 2247 (1998).
9. C. Youtsey, L. T. Romano, and I. Adesida, Appl. Phys. Lett. 73, 797 (1998).
10. S. Nakamura, M. Senog, S. Nagahama, H. Iwasa, T. Yamada, T. Matsushita, H. Kiyoku, Y. Sugimoto, T. Kozaki, H. Umemoto, M. Sano, and K. Chocho, Appl. Phys. Lett. 72, 211 (1998).
11. O. Nam, M. D. Bremser, B. L. Ward, R. J. Nemanich, and R. F. Davis, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 36, L532 (1997).
12. A. Usui, H. Sunakawa, A. Sakai, and A. A. Yamaguchi, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 36, L899 (1997).
13. H. Marchand, S. H. Wu, J. P. Ibbetson, P. T. Fini, P. Kozodoy, S. Keller, J. S. Speck, S. P. DenBaars, and U. K. Mishra, Appl. Phys. Lett. 73, 747 (1998).
14. P. Kozodoy, J. P. Ibbetson, H. Marchand, P. T. Fini, S. Keller, J. S. Speck, S. P. DenBaars, and U. K. Mishra, Appl. Phys. Lett. 73, 975 (1998).
15. J. A. Freitas, Jr., O. Nam, R. F. Davis, G. V. Saparin, and S. K. Obyden, Appl. Phys. Lett. 72, 2990 (1998).