Mg-acceptor activation mechanism and transport characteristics in p-type InGaN grown by metalorganic vapor phase epitaxy

Journal of Applied Physics

Volumn 93, Issue 6, 2003, Pages 3370-3375

  Kumakura, Kazuhide ^a   Makimoto, Toshiki ^a   Kobayashi, Naoki ^a  

^a Kashino Diverse Brain Research Laboratory of NTT Communication Science Laboratories   (Japan)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

ACTIVATION ENERGY; DOPING (ADDITIVES); HALL EFFECT; HETEROJUNCTION BIPOLAR TRANSISTORS; MAGNESIUM PRINTING PLATES; METALLORGANIC VAPOR PHASE EPITAXY; PHOTOLUMINESCENCE; SINGLE CRYSTALS;

HOLE CONCENTRATION;

SEMICONDUCTING INDIUM COMPOUNDS;

EID: 0037445013     PISSN: 00218979     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.1545155     Document Type: Article

References (27)

1. T. Matsuoka, H. Tanaka, T. Sasaki, and A. Katsui, Inst. Phys. Conf. Ser. 106 (3), 141 (1989).
2. S. Nakamura, M. Senoh, S. Nagahama, N. Iwasa, T. Yamada, T. Matsushita, H. Kiyoku, and Y. Sugimoto, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 35, L74 (1996).
3. I. Akasaki, S. Sota, H. Sakai, T. Tanaka, M. Koike, and H. Amano, Electron. Lett. 32, 1105 (1996).
4. K. Itaya, M. Onomura, J. Nishio, L. Sugiura, S. Saito, M. Suzuki, J. Rennie, S. Nunoue, M. Yamamoto, H. Fujimoto, Y. Kokubun, Y. Ohba, G. Hatakoshi, and M. Ishikawa, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 35, L1315 (1996).
5. G. E. Bulman, K. Doverspike, S. T. Sheppard, T. W. Weeks, H. S. Kong, H. M. Dieringer, J. A. Edmond, J. D. Brown, J. T. Swindell, and J. F. Schetzina, Electron. Lett. 33, 1556 (1997).
6. S. Yamasaki, S. Asami, N. Shibata, M. Koike, K. Manabe, T. Tanaka, H. Amano, and I. Akasaki, Appl. Phys. Lett. 66, 1112 (1995).
7. C. R. Lee, S. J. Son, I. H Lee, J. Y. Leem, and S. K. Noh, J. Cryst. Growth 182, 6 (1997).
8. C. R. Lee, J. Y. Leem, S. K. Noh, S. J. Son, and K. Y. Leem, J. Cryst. Growth 197, 78 (1999).
9. K. Kumakura, T. Makimoto, and N. Kobayashi, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 39, L337 (2000).
10. T. Makimoto, K. Kumakura, and N. Kobayashi, J. Cryst. Growth 221, 350 (2000).
11. T. Makimoto, K. Kumakura, and N. Kobayashi, Appl. Phys. Lett. 79, 380 (2001).
12. K. Kumakura, T. Makimoto, and N. Kobayashi, Appl. Phys. Lett. 79, 2588 (2001).
13. K. Kumakura, T. Makimoto, and N. Kobayashi, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 39, L195 (2000).
14. K. Kumakura, T. Makimoto, and N. Kobayashi, J. Cryst. Growth 221, 267 (2000).
15. T. C. Wen, W. I. Lee, J. K. Sheu, and G. C. Chi, Solid-State Electron. 45, 427 (2001).
16. S. Nakamura, Microelectron. J. 25, 651 (1994).
17. X. Q. Shen, T. Ide, M. Shimizu, S. Hara, and H. Okumura, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 39, L1270 (2000).
18. G. Mandel, Phys. Rev. 134, A1073 (1964).
19. U. Kaufmann, M. Kunzer, M. Maier, H. Obloh, A. Ramakrishnan, B. Santic, and P. Sholotter, Appl. Phys. Lett. 72, 1326 (1998).
20. L. Eckey, U. V. Gfug, J. Holst, A. Hoffmann, B. Schineller, K. Heime, M. Heuken, O. Schön, and R. Beccard, J. Cryst. Growth 189/190, 523 (1998).
21. E. Oh, M. Park, S. Kang, H. Cho, B. Kim, M. Yoo, H. Song, and T. Kim, J. Cryst. Growth 189/190, 537 (1998).
22. H. Obloh, K. H. Bachem, U. Kaufmann, M. Kunzer, M. Maier, A. Ramakrishnan, P. Schlotter, J. Cryst. Growth 195, 270 (1998).
23. T. Tanaka, A. Watanabe, H. Amano, Y. Kobayashi, I. Akasaki, S. Yamazaki, and M. Koike, Appl. Phys. Lett. 65, 593 (1994).
24. U. Kaufmann, P. Schlotter, H. Obloh, K. Köhler, and M. Maier, Phys. Rev. B 62, 10 867 (2000)
25. Y. C. Yeo, T. C. Chong, and M. F. Li, J. Appl. Phys. 83, 1429 (1998).
26. U. Kaufmann, M. Kunzer, H. Obloh, M. Maier, Ch. Manz, A. Ramakrishnan, and B. Santic, Phys. Rev. B 59, 5561 (1999).
27. P. Kozodoy, H. Xing, S. P. DenBaars, U. K. Mishra, A. Saxler, R. Perrin, S. Elhamri, and W. C. Mitchel, J. Appl. Phys. 87, 1832 (2000).