Structural and optical properties of self-assembled InAs/GaAs quantum dots covered by InxGa1-xAs (0≤x≤0.3)

Journal of Applied Physics

Volumn 88, Issue 6, 2000, Pages 3392-3395

  Liu, H Y ^a   Wang, X D ^a   Wu, J ^a   Xu, B ^a   Wei, Y Q ^a   Jiang, W H ^a   Ding, D ^a   Ye, X L ^a   Lin, F ^a   Zhang, J F ^a   Liang, J B ^a   Wang, Z G ^a  

^a INSTITUTE OF SEMICONDUCTORS   (China)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 0001389729     PISSN: 00218979     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.1288225     Document Type: Article

References (18)

1. G. Park, D. L. Huffaker, Z. Zou, O. B. Shchekin, and D. G. Deppe, IEEE Photonics Technol. Lett. 11, 301 (1999).
2. D. L. Huffaker, G. Park, Z. Zou, O. B. Shchekin, and D. G. Deppe, Appl. Phys. Lett. 73, 2564 (1998).
3. L. F. Lester, A. Stintz, H. Li, T. C. Newell, E. A. Pease, B. A. Fuchs, and K. J. Malloy, IEEE Photonics Technol. Lett. 11, 931 (1999).
4. S. Fafard, K. Hinzer, S. Raymond, M. Dion, J. McCaffrey, Y. Feng, and S. Charbonneau, Science 274, 1350 (1996).
5. W. H. Jiang, H. Z. Xu, B. Xu, J. Wu, X. L. Ye, H. Y. Liu, W. Zhou, Z. Z. Sun, Y. F. Li, J. B. Liang, and Z. G. Wang, J. Cryst. Growth 205, 607 (1999).
6. I. Mukhametzhanov, R. Heitz, J. Zeng, P. Chen, and A. Madhukar, Appl. Phys. Lett. 73, 1841 (1998).
7. S. Krishna, K. Linder, and P. Bhattacharya, J. Appl. Phys. 86, 4691 (1999).
8. K. Nishi, H. Satio, S. Sugou, and J.-S. Lee, Appl. Phys. Lett. 74, 1111 (1999).
9. V. M. Ustinov, N. A. Maleev, A. E. Zhukov, A. R. Kovsh, A. Yu. Egorov, A. V. Lunev, B. V. Volovik, I. L. Krestnikov, Yu. G. Musikhin, N. A. Bert, P. S. Kop'ev, Zh. I. AlFerov, N. N. Ledentsov, and D. Bimberg, Appl. Phys. Lett. 74, 2815 (1999).
10. J. Bloch, J. Shah, W. S. Hobson, J. Lopata, and S. N. G. Chu, Appl. Phys. Lett. 75, 2199 (1999).
11. K. Mukai and M. Sugawara, Appl. Phys. Lett. 74, 3963 (1999).
12. K. Mukai, Y. Nakata, K. Otsubo, M. Sugawara, N. Yokoyama, and H. Ishikawa, IEEE Photonics Technol. Lett. 11, 1205 (1999).
13. A. E. Zhukov, A. R. Kovsh, N. A. Maleev, S. S. Mikhrin, V. M. Ustinov, A. F. Tsatsul'nikov, M. V. Maximov, B. V. Volovik, D. A. Bedarev, Yu. M. Shernyakov, P. S. Kop'ev, Zh. I. AlFerov, N. N. Ledentsov, and D. Bimberg, Appl. Phys. Lett. 75, 1926 (1999).
14. Q. Gong, J. B. Liang, B. Xu, D. Ding, H. X. Li, C. Jiang, W. Zhao, F. Q. Liu, Z. G. Wang, X. H. Qiu, G. Y. Shang, and C. L. Bai, J. Cryst. Growth 192, 376 (1998).
15. H. Satio, K. Nishi, and S. Sugou, Appl. Phys. Lett. 73, 2742 (1998).
16. P. B. Joyce, T. J. Krzyzewski, G. R. Bell, B. A. Joyce, and T. S. Jones, Phys. Rev. B 58, R15981 (1998).
17. J.-Y. Marzin and G. Bastard, Solid State Commun. 92, 437 (1994).
18. J. Kim, L-W. Wang, and A. Zunger, Phys. Rev. B 57, R9408 (1998).