Direct heteroepitaxy of crystalline Y2O3 on Si (001) for high-k gate dielectric applications

Journal of Applied Physics

Volumn 90, Issue 8, 2001, Pages 4224-4230

  Dimoulas, A ^a   Travlos, A ^a   Vellianitis, G ^a   Boukos, N ^a   Argyropoulos, K ^a  

^a INSTITUTE OF MATERIALS SCIENCE   (Greece)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 0035886279     PISSN: 00218979     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.1403678     Document Type: Article

References (23)

1. Semiconductor Industry Association, The International Technology Road-map for Semiconductors, Front-End Processes, 1999 edition and 2000 update, pp. 123-128.
2. See. e.g., Proceedings of the MRS High-k Gate Dielectric Workshop, San Jose, CA (2000).
3. W.-J. Qi, R. Nieh, B. H. Lee, L. Kang, Y. Jeon, and J. C. Lee, Appl. Phys. Lett. 77, 3269 (2000).
4. M. Houssa, V. V. Afanas'ev, A. Stesmans, and M. M. Heyns, Appl. Phys. Lett. 77, 1885 (2000).
5. T. S. Jeon, J. M. White, and D. L. Kwong, Appl. Phys. Lett. 78, 368 (2001).
6. G. D. Wilk, R. M. Wallace, and J. M. Anthony, J. Appl. Phys. 87, 484 (2000).
7. W.-J. Qi, R. Nieh, E. Dharmarajan, B. H Lee, Y. Jeon, L. Kang, K. Onishi, and J. C. Lee, Appl. Phys. Lett. 77, 1704 (2000).
8. M. Copel, M. Gribelyuk, and E. Gusev, Appl. Phys. Lett. 76, 436 (2000).
9. Z. Yu, J. Ramdani, J. A. Curless, C. D. Overgaard, J. M. Finder, R. Droopad, K. W. Eisenbeiser, J. A. Hallmark, W. J. Ooms, and V. S. Kaushik, J. Vac. Sci. Technol. B 18, 2139 (2000); B. Eiserbeiser, J. M. Finder, Z. Yu, J. Ramdani, J. A. Curless, J. A. Hallmark, R. Droopad, W. J. Ooms, L. Salem, S. Bradshaw, and C. D. Overgaard, Appl. Phys. Lett. 76, 1324 (2000).
10. Z. Yu, J. Ramdani, J. A. Curless, C. D. Overgaard, J. M. Finder, R. Droopad, K. W. Eisenbeiser, J. A. Hallmark, W. J. Ooms, and V. S. Kaushik, J. Vac. Sci. Technol. B 18, 2139 (2000); B. Eiserbeiser, J. M. Finder, Z. Yu, J. Ramdani, J. A. Curless, J. A. Hallmark, R. Droopad, W. J. Ooms, L. Salem, S. Bradshaw, and C. D. Overgaard, Appl. Phys. Lett. 76, 1324 (2000).
11. K. J. Hubbard and D. G. Schlom, J. Mater. Res. 11, 2757 (1996).
12. S. Guha, E. Cartier, M. A. Gribelyuk, N. A. Bojarczuk, and M. C. Copel, Appl. Phys. Lett. 77, 2710 (2000).
13. L.-A. Ragnarsson, S. Guha, M. Copel, E. Cartier, N. A. Bojarczuk, and J. Karasinski, Appl. Phys. Lett. 78, 4169 (2001).
14. J. Kwo, M. Hong, A. R. Kortan, K. T. Queeney, Y. J. Chabal, J. P. Mannaerts, T. Boone, J. J. Krajewski, A. M. Sergent, and J. M. Rosamilia, Appl. Phys. Lett. 77, 130 (2000).
15. J. Kwo, M. Hong, A. R. Kortan, K. L. Queeney, Y. J. Chabal, R. L. Opila, Jr., D. A. Muller, S. N. G. Chu, B. J. Sapjeta, T. S. Lay, J. P. Mannaerts, T. Boone, H. W. Krautter, J. J. Krajewski, A. M. Sergnt, and J. M. Rosamilia, J. Appl. Phys. 89, 3920 (2001).
16. S. C. Choi, M. H. Cho, S. W. Whangbo, C. N. Whang, S. B. Kang, S. I. Lee, and M. Y. Lee, Appl. Phys. Lett. 71, 903 (1997).
17. M.-H. Cho, D.-H. Ko, K. Jeong, S. W. Whangbo, C. N. Whang, S. C. Choi, and S. J. Cho, J. Appl. Phys. 85, 2909 (1999).
18. K. Harada, H. Nakanishi, H. Itozaki, and S. Yazu, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 30, 934 (1991).
19. A. Bardai, O. Eibl, Th. Matinee, G. Friedl, and J. Wecker, J. Mater. Res. 8, 2112 (1993).
20. H. Fukumoto, T. Imura, and Y. Osaka, Appl. Phys. Lett. 55, 360 (1989).
21. Th. Ernst, in Inorganic Crystals, Landolt-Boemstein (Springer-Verlag, Berlin, 1955), Vol. 1, Part 4, p. 50.
22. M. Sunberg and R. J. Tilley, J. Solid State Chem. 11, 150 (1974); J. G. Allpress, R. J. Tilley, and M. J. Sienko, ibid. 3, 440 (1971).
23. M. Sunberg and R. J. Tilley, J. Solid State Chem. 11, 150 (1974); J. G. Allpress, R. J. Tilley, and M. J. Sienko, ibid. 3, 440 (1971).