Cathodoluminescence studies of the deep level emission bands of AlxGa1-xN films deposited on 6H-SiC(0001)

Journal of Applied Physics

Volumn 83, Issue 1, 1998, Pages 469-475

  Perry, William G ^a,b   Bremser, M B ^a   Davis, R F ^a  

^a North Carolina State University   (United States)

^b NORTEL NETWORKS   (United States)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 0000404798     PISSN: 00218979     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.366716     Document Type: Article

References (43)

1. R. F. Davis, Physica B 185, 1 (1993).
2. S. Strite and H. Morkoç, J. Vac. Sci. Technol. B 10, 1237 (1992).
3. C. Kisielowski, J. Krüger, S. Rumimov, T. Suski, J. W. Ager III, E. Jones, Z. Liliental-Weber, M. Rubin, E. R. Weber, M. D. Bremser, and R. F. Davis, Phys. Rev. B 54, 17745 (1996).
4. D. Volm, K. Oetinger, T. Streibl, D. Kovalev, M. Ben-Chorin, J. Diener, B. K. Meyer, J. Majewski, L. Eckey, A. Hoffman, H. Amano, I. Akasaki, K. Hiramatsu, and T. Detchprohm, Phys. Rev. B 53, 16543 (1996).
5. C. Merz, M. Kunzer, U. Kaufmann, I. Akasaki, and H. Amano, Semicond. Sci. Technol. 11, 712 (1996).
6. E. R. Glaser, T. A. Kennedy, H. C. Crookham, Jr., J. A. Freitas, M. Asif Khan, D. T. Olson, and J. N. Kunzia, Phys. Rev. B 51, 13326 (1995).
7. W. Götz, L. T. Romano, B. S. Krusor, N. M. Johnson, and R. J. Molnar, Appl. Phys. Lett. 69, 242 (1996).
8. R. Dingle and M. Ilegems, Solid State Commun. 9, 175 (1971).
9. P. Boguslawski, E. Briggs, T. A. White, M. G. Wensell, and J. Bernholc, Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 339, 693 (1994).
10. J. Neugebauer and C. G. Van de Walle, Phys. Rev. B 50, 8067 (1994).
11. P. Boguslawski, E. L. Briggs, and J. Bernholc, Appl. Phys. Lett. 69, 233 (1996).
12. S. Fischer, C. Wetzel, E. E. Haller, and B. K. Meyer, Appl. Phys. Lett. 67, 1298 (1995).
13. A. Ishibashi, H. Takeishi, M. Mannoh, Y. Yabuuchi, and Y. Ban, J. Electron. Mater. 25, 779 (1996).
14. E. R. Glaser, T. A. Kennedy, S. W. Brown, J. A. Freitas, W. G. Perry, M. D. Bremser, T. W. Weeks, and R. F. Davis, Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 395, 667 (1996).
15. T. Ogino and M. Aoki, Jpn. J. Appl. Phys. 19, 2395 (1980).
16. E. F. Schubert, Doping in III-V Semiconductors (University of Cambridge Press, New York, 1993).
17. E. Glaser (private communication).
18. M. D. Bremser, W. G. Perry, T. Zheleva, N. V. Edwards, O. H. Nam, N. Parikh, D. E. Aspnes, and R. F. Davis, MRS Internet J. Nitride Semicond. Res. 1, 9 (1996).
19. D. K. Wickenden, C. B. Bargeron, W. A. Bryden, J. Miragliotta, and T. J. Kistenmacher, Appl. Phys. Lett. 65, 2024 (1994).
20. S. Yoshida, S. Misawa, and S. Gonda, J. Appl. Phys. 53, 6844 (1982).
21. J. Hagen, R. D. Metcalfe, D. Wickenden, and W. Clark, J. Phys. C 11, 143 (1978).
22. R. A. Youngman and J. H. Harris, J. Am. Ceram. Soc. 73, 3238 (1990).
23. X. Tang and M. Spenser, Research Triangle Park, NC, 1997).
24. E. F. Schubert, E. O. Gobel, Y. Horikoshi, K. Ploog, and H. J. Quisser, Phys. Rev. B 30, 813 (1984).
25. K. Huang and A. Rhys, Proc. R. Soc. London 204, 406 (1950).
26. K. W. Boer, Survey of Semiconductor Physics (Van Nostrand Reinhold, New York, 1990).
27. L. Eckey, J. C. Holst, P. Maxim, R. Heitz, A. Hoffman, I. Broser, B. K. Meyer, C. Wetzel, E. N. Mokhoc, and P. G. Baranov, Appl. Phys. Lett. 68, 415 (1996).
28. William G. Perry, Ph. D. dissertation, North Carolina State University, 1997.
29. J. R. Haynes, Phys. Rev. Lett. 4, 351 (1960).
30. R. Niebuhr, K. Bachem, K. Dombrowski, M. Maier, W. Pletschen, and U. Kaufmann, J. Electron. Mater. 24, 1531 (1995).
31. C. Wetzel, S. Fischer, J. Kruger, E. E. Haller, R. J. Molnar, T. D. Moustakas, E. N. Mokhov, and P. G. Baranov, Appl. Phys. Lett. 68, 2556 (1996).
32. J. Freitas (private communication).
33. Y. Koide, N. Itoh, K. Itoh, N. Sawaki, and I. Akasaki, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 27, 1156 (1988).
34. T. Suski, P. Perlin, H. Teisseyre, M. Leszczynski, I. Grzegory, J. Jun, M. Bockowski, and T. D. Moustakas, Appl. Phys. Lett. 67, 2188 (1995).
35. C. Wetzel, T. Suski, J. W. Ager, III, E. R. Weber, E. E. Haller, S. Fischer, B. K. Meyer, R. J. Molnar, and P. Perlin, Phys. Rev. Lett. 78, 3923 (1997).
36. T. Mattila and R. M. Nieminen, Phys. Rev. B 54, 16676 (1996).
37. W. Shan, T. J. Schmidt, R. J. Hauenstien, J. J. Song, and B. Goldenberg, Appl. Phys. Lett. 66, 3492 (1995).
38. F. Karel and J. Patrnak, Czech. J. Phys., Sect. B 20, 46 (1970).
39. S. Yoshida, S. Misawa, and S. Gonda, Thin Solid Films 58, 58 (1979).
40. M. Bremser (private communication).
41. A. Y. Polyakov, M. Shin, D. W. Greve, M. Skowronski, and R. G. Wilson, MRS Internet J. Nitride Semicond. Res. 1, 36 (1996).
42. G. A. Slack, J. Phys. Chem. Solids 34, 321 (1973).
43. C. G. Van de Walle and J. Neugebauer, Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 449, 861 (1997).