Plasma CVD of (BaSr)TiO3 dielectrics for gigabit DRAM capacitors

Journal of Electroceramics

Volumn 3, Issue 2, 1999, Pages 123-133

  Yoshida, M ^a,b   Yabuta, H ^a,c   Yamamichi, S ^a,c   Yamaguchi, H ^a   Sone, S ^a   Arita, K ^a   Iizuka, T ^a   Nishimoto, S ^a   Kato, Y ^a  

^a NEC CORPORATION   (Japan)

^b SUPERCONDUCTIVITY RESEARCH LABORATORY   (Japan)

^c Funct Mat Research Laboratories   (Japan)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

BARIUM COMPOUNDS; CERAMIC CAPACITORS; DYNAMIC RANDOM ACCESS STORAGE; ELECTRIC POTENTIAL; ELECTRON CYCLOTRON RESONANCE; LEAKAGE CURRENTS; PLASMA ENHANCED CHEMICAL VAPOR DEPOSITION; THIN FILMS;

BARIUM STRONTIUM TITANATE; CAPACITOR INTEGRATION;

DIELECTRIC FILMS;

EID: 0032666543     PISSN: 13853449     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1023/A:1009938909239     Document Type: Article

References (53)

1. For example, Digest of Technical Papers, ISSCC 85, Session XVII (1985).
2. T. Sugibayashi, I. Naritake, S. Utsugi, K. Shibahara, R. Oikawa, H. Mori, S. Iwao, T. Murotani, K. Koyama, S. Fukuzawa, T. Itani, K. Kasama, T. Okuda, S. Ohya, and M. Ogawa, Digest of Technical Papers, ISSCC 95, 254 (1995).
3. M. Horiguchi, T. Sakata, T. Sekiguchi, S. Ueda, H. Tanaka, E. Yamasaki, Y. Nakagome, M. Aoki, T. Kaga, M. Ohkura, R. Nagai, F. Murai, T. Tanaka, S. Iijima, N. Yokoyama, Y. Gotoh, K. Shoji, T. Kisu, H. Yamashita, T. Nishida, and E. Takeda, Digest of Technical Papers, ISSCC 95, 252 (1995).
4. K. Koyama, T. Sakuma, S. Yamamichi, H. Watanabe, H. Aoki, S. Ohya, Y. Miyasaka, and T. Kikkawa, 1991 IEDM Technical Digest, 823 (1991).
5. Y. Miyasaka and S. Matsubara, Proc. 1990 Int. Symp. Appl. Ferroelectrics, 121 (1991).
6. S. Nagata, T. Ueda, A. Noma, H. Koizumi, K. Kanazawa, H. Ishida, T. Ueda, T. Tanaka, D. Ueda, M. Kazumura, G. Kano, and C. Paz de Araujo, Digest of Technical Papers, ISSCC 93, 172 (1993).
7. T. Eimori, Y. Ohno, H. Kimura, J. Matsufusa, S. Kishimura, A. Yoshida, H. Sumitani, T. Maruyama, Y. Hayashide, K. Moriizumi, T. Katayama, M. Asakura, T. Horikawa, T. Shibano, H. Itoh, K. Sato, K. Namba, T. Nishimura, S. Satoh, and H. Miyoshi, 1995 IEDM Technical Digest, 631 (1993).
8. K.P. Lee, Y.S. Park, D.H. Ko, C.S. Hwang, C.J. Kang, K.Y. Lee, J.S. Kim, J.K. Park, B.H. Roh, J.Y. Lee, B.C. Kim, J.H. Lee, K.N. Kim, J.W. Park, and J.G. Lee, 1995 IEDM Technical Digest, 907 (1995).
9. K. Kohyama, T. Ozaki, S. Yoshida, Y. Ishibashi, H. Nitta, S. Inoue, K. Nakamura, T. Aoyama, K. Imai, and N. Hayasaka, 1997 Symposium on VLSI Technology Digest of Technical Papers, 17 (1997).
10. A. Yuuki, M. Yamamuka, T. Makita, T. Horikawa, T. Shibano, N. Hirano, H. Maeda, N. Mikami, K. Ono, H. Ogata, and H. Abe, 1995 IEDM Technical Digest, 115 (1995).
11. Y. Nitta, N. Sakashita, K. Shimomura, F. Okuda, H. Shimano, S. Yamakawa, A. Furukawa, K. Kise, H. Watanabe, Y. Toyoda, T. Fukada, M. Hasegawa, M. Tsukude, K. Arimoto, S. Baba, Y. Tomita, S. Komori, K. Kyuma, and H. Abe, Digest of Technical Papers, ISSCC 96, 376 (1996).
12. P.-Y. Lesaicherre, S. Yamamichi, H. Yamaguchi, K. Takemura, H. Watanabe, K. Tokashiki, K. Satoh, T. Sakuma, M. Yoshida, S. Ohnishi, K. Nakajima, K. Shibahara, Y. Miyasaka, and H. Ono, 1994 IEDM Technical Digest, 831 (1994).
13. S. Yamamichi, P.-Y. Lesaicherre, H. Yamaguchi, K. Takemura, S. Sone, H. Yabuta, K. Sato, T. Tamura, K. Nakajima, S. Ohnishi, K. Tokashiki, Y. Hayashi, Y. Kato, Y. Miyasaka, M. Yoshida, and H. Ono, 1995 IEDM Technical Digest, 119 (1995).
14. H. Yamaguchi, T. Iizuka, H. Koga, K. Takemura, S. Sone, H. Yabuta, S. Yamamichi, P-Y. Lesaicherre, M. Suzuki, Y. Kojima, K. Nakajima, N. Kasai, T. Sakuma, Y. Kato, Y. Miyasaka, M. Yoshida, and S. Nishimoto, 1996 IEDM Technical Digest, 675 (1996).
15. T. Horikawa, N. Mikami, H. Ito, Y. Ohno, T. Makita, and K. Sato, IEICE Trans. Electorn. E77-C, 385 (1994).
16. C.S. Hwang, S.O. Park, H.-J. Cho, C.S. Kang, H.-K. Kang, S.I. Lee, and M.Y. Lee, Appl. Phys. Lett., 67, 2819 (1995).
17. N. Fukushima, K. Abe, M. Izuha, T. Schimizu, and T. Kawakubo, 1997 IEDM Technical Digest, 257 (1997).
18. T. Kawahara, M. Yamamuka, T. Makita, J. Naka, A. Yuuki, N. Mikami, and K. Ono, Jpn. J. Appl. Phys., 33, 5129 (1994).
19. M. Yamamuka, T. Kawahara, T. Horikawa, and K. Ono, Jpn. J. Appl. Phys., 36, 2555 (1997).
20. K. Eguchi and M. Kiyotoshi, Integrated Ferroelectrics, 14, 34 (1997).
21. M. Kiyotoshi and K. Eguchi, Proc. 14th Int. Conf. CVD, The Electrochemical Society, 1063 (1997).
22. P-Y. Lesaicherre, H. Yamaguchi, T. Sakuma, Y. Miyasaka, M. Yoshida, and A. Ishitani, MRS Symp. Proc., 310, 487 (1993).
23. M. Yoshida, H. Yamaguchi, T. Sakuma, Y. Miyasaka, P-Y. Lesaicherre, and A. Ishitani, J. Electrochem. Soc., 142, 244 (1995).
24. P-Y. Lesaicherre, H. Yamaguchi, Y. Miyasaka, H. Watanabe, H. Ono, and M. Yoshida, Integrated Ferroelectrics, 8, 201 (1995).
25. P-Y. Lesaicherre, S. Yamamichi, H. Yamaguchi, K. Takemura, Y. Miyasaka, M. Yoshida, and H. Ono, Integrated Ferroelectrics, 11, 81 (1995).
26. Y. Kato, H. Yabuta, S. Sone, H. Yamaguchi, T. Iizuka, S. Yamamichi, P-Y. Lesaicherre, S. Nishimoto, and M. Yoshida, MRS Symp. Proc., 433, 3 (1996).
27. S. Sone, H. Yabuta, Y. Kato, T. Iizuka, S. Yamamichi, H. Yamaguchi, P-Y. Lesaicherre, S. Nishimoto, and M. Yoshida, Jpn. J. Appl. Phys., 35, 5089 (1996).
28. H. Watanabe, T. Tatsumi, S. Ohnishi, T. Hamada, I. Honma, and T. Kikkawa, 1992 IEDM Technical Digest, 259 (1992).
29. K.P. Muller, B. Flietner, C.L. Hwang, P.L. Kleinhenz, T. Nakao, R. Ranade, Y. Tsunashima, and T. Mii, 1996 IEDM Technical Digest, 507 (1996).
30. S. Nakamura, M. Kosugi, A. Sato, A. Hatada, H. Minakata, M. Kobayashi, T. Kurahashi, R. Suzuki, and N. Sasaki, 1997 IEDM Technical Digest, 29 (1997).
31. K. Shibahara, H. Mori, S. Ohnishi, R. Oikawa, K. Nakajima, H. Yamashita, K. Itoh, S. Kamiyama, H. Watanabe, T. Hamada, and K. Koyama, 1994 IEDM Technical Digest, 639 (1994).
32. T. Kaga, Y. Sudoh, H. Goto, K. Shoji, T. Kisu, H. Yamashita, R. Nagai, S. Iijima, M. Ohkura, F. Murai, T. Tanaka, Y. Goto, N. Yokoyama, M. Horiguchi, M. Isoda, T. Nishida, and E. Takeda, 1994 IEDM Technical Digest, 927 (1994).
33. H.K. Kang, K.H. Kim, Y.G. Shin, I.S. Park, K.M. Ko, C.G. Kim, K.Y. Oh, S.E. Kim, C.G. Hong, K.W. Kwon, J.Y. Yoo, Y.G. Kim, C.G. Lee, W.S. Paick, D.I. Suh, C.J. Park, S.I. Lee, S.T. Ahn, C.G. Hwang, and M.Y. Lee, 1994 IEDM Technical Digest, 635 (1994).
34. Y. Takaishi, M. Sakao, S. Kamiyama, H. Suzuki, and H. Watanabe, 1994 IEDM Technical Digest, 839 (1994).
35. K. Itabashi, S. Tsuboi, H. Nakamura, K. Hashimoto, W. Futoh, K. Fukuda, I. Hanyu, S. Asai, T. Chijimatsu, E. Kawamura, T. Yao, H. Takagi, Y. Ohta, T. Karasawa, H. Ito, M. Onoda, F. Inoue, H. Nomura, Y. Satoh, M. Higashimoto, M. Matsumiya, T. Miyabo, T. Ikeda, T. Yamazaki, M. Miyajima, K. Watanabe, S. Kawamura, and M. Taguchi, 1997 Symposium on VLSI Technology Digest of Technical Papers, 21 (1997).
36. K.W. Kwon, I.-S. Park, D.H. Han, E.S. Kim, S.T. Ahn, and M.Y. Lee, 1994 IEDM Technical Digest, 835 (1994).
37. S. Kamiyama, H. Suzuki, H. Watanabe, A. Sakai, M. Oshida, T. Tatsumi, T. Tanigawa, N. Kasai, and A. Ishitani, 1995 IEDM Technical Digest, 49 (1993).
38. J.M. Drynan, K. Nakajima, T. Akimoto, K. Saito, M. Suzuki, S. Kamiyama, and Y. Takaishi, 1997 Symposium on VLSI Technology Digest of Technical Papers, 151 (1997).
39. M. Yoshida, H. Yabuta, S. Sone, H. Yamaguchi, K. Arita, and Y Kato, Proc. 14th Int. Conf. CVD, The Electrochemical Society, 1109 (1997).
40. H. Yamaguchi, P-Y. Lesaicherre, T. Sakuma, Y. Miyasaka, A. Ishitani, and M. Yoshida, Jpn. J. Appl. Phys., 32, 4069 (1993).
41. H. Yamaguchi, S. Sone, H. Yabuta, Y. Kato, and M. Yoshida, EFM-95-12 (6 pages), The Institute of Electrical Engineers of Japan, (1995).
42. N. Sugii, K. Imagawa, S. Saito, and K. Kanehori, Jpn. J. Appl. Phys., 30, 48 (1991).
43. H. Yabuta, K. Takemura, H. Yamaguchi, S. Sone, T. Sakuma, and M. Yoshida, MRS Symp.Proc., 361, 325 (1995).
44. P.C. Van Buskirk, R. Gardiner, P.S. Kirlin, and S. Krupanidhi, J. Vac. Sci. Technol. A, 10, 1578 (1992).
45. N. Sugii, Shi. Saito, K. Imagawa, Sa. Saito, K. Kanehori, and K. Takagi, Jpn. J. Appl. Phys., 30, L1118 (1991).
46. T. Sugimoto, M. Yoshida, S. Yuhya, D.J. Baar, Y. Shiohara, and S. Tanaka, J. Appl. Phys., 70, 1600 (1991).
47. M. Yoshida, H. Yabuta, S. Sone, K. Takemura, T. Sakuma, Y. Kato, Y. Miyasaka, T. Iizuka, S. Yamamichi, H. Yamaguchi, P-Y. Lesaicherre, and S. Nishimoto, NEC Research & Development, 37, 305 (1996).
48. M. Yoshida, K. Arita, H. Yabuta, S. Sone, S. Yamamichi, K. Takemura, T. Sakuma, Y. Kato, Y. Miyasaka, T. Iizuka, H. Yamaguchi, P-Y. Lesaicherre, and S. Nishimoto, Proc. 51st Symp. Semiconductors and Integrated Circuits Technology, The Electrochemical Society of Japan, 36 (1996).
49. R.B. Khamankar, M.A. Kressley, M.R. Visokay, T. Moise, G. Xing, S. Nemoto, Y. Okuno, S.J. Fang, A.M. Wilson, J.F. Gaynor, T.Q. Hurd, D.L. Crenshaw, S. Summerfelt, and L. Colombo, 1997 IEDM Technical Digest, 245 (1997).
50. B.T. Lee, K.H. Lee, C.S. Hwang, W.D. Kim, H. Horii, H.-W. Kim, H.-J. Cho, C.S. Kang, J.H. Chung, S.I. Lee, and M.Y. Lee, 1997 IEDM Technical Digest, 249 (1997).
51. S. Yamamichi, P-Y. Lesaicherre, H. Yamaguchi, K. Takemura, S. Sone, H. Yabuta, K. Sato, T. Tamura, K. Nakajima, S. Ohnishi, K. Tokashiki, Y. Hayashi, Y. Kato, Y. Miyasaka, M. Yoshida, and H. Ono, IEEE Trans. Electron Devices ED-44, 1076 (1997).
52. K. Takemura, S. Yamamichi, P-Y. Lesaicherre, K. Tokashiki, H. Miyamoto, H. Ono, Y. Miyasaka, and M. Yoshida, Jpn. J. Appl. Phys., 34, 5224 (1995).
53. K. Tokashiki, K. Sato, K. Takemura, S. Yamamichi, P-Y. Lesaicherre, H. Miyamoto, E. Ikawa, and Y. Miyasaka, Proc.