Analysis of the growth modes for gallium arsenide metalorganic vapor-phase epitaxy

Journal of Applied Physics

Volumn 88, Issue 1, 2000, Pages 508-512

  Law, D C ^a   Li, L ^b   Begarney, M J ^a   Hicks, R F ^a  

^a UNIVERSITY OF CALIFORNIA   (United States)

^b UNIVERSITY OF WISCONSIN MILWAUKEE   (United States)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 0010328093     PISSN: 00218979     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.373687     Document Type: Article

References (28)

1. F. Capasso and A. Y. Cho, Surf. Sci. 299, 878 (1994).
2. G. Lengel, R. J. Phaneuf, E. D. Williams, S. Das Sarma, W. Beard, and F. G. Johnson, Phys. Rev. B 60, 8469 (1999).
3. P. Tejedor, P. Smilauer, C. Roberts, and B. A. Joyce, Phys. Rev. B 59, 2341 (1999).
4. R. Maboudian, V. Bressler-Hill, K. Pond, X.-S. Wang, P. M. Petroff, and W. H. Weinberg, Surf. Sci. Lett. 302, 269 (1994).
5. Y.-N. Yang, Y. S. Luo, and J. H. Weaver, Phys. Rev. B 45, 13 803 (1992).
6. J. H. Neave, P. J. Dobson, B. A. Joyce, and J. Zhang, Appl. Phys. Lett. 47, 100 (1985).
7. J. T. Zettler, J. Rumberg, K. Ploska, K. Stahrenberg, M. Pristovsek, W. Richter, M. Wassermeier, P. Schuetzenduebe, J. Behrend, and L. Daeweritz, Phys. Status Solidi A 152, 35 (1995).
8. S. Clarke and D. D. Vvedensky, Phys. Rev. Lett. 58, 2235 (1987); Ch. Heyn and M. Harsdorff, Phys. Rev. B 55, 7034 (1997).
9. S. Clarke and D. D. Vvedensky, Phys. Rev. Lett. 58, 2235 (1987); Ch. Heyn and M. Harsdorff, Phys. Rev. B 55, 7034 (1997).
10. K. Ploska, M. Pristovsek, W. Richter, J. Jönsson, I. Kamiya, and J.-T. Zettler, Phys. Status Solidi A 152, 49 (1995).
11. D. W. Kisker, G. B. Stephenson, J. Tersoff, P. H. Fuoss, and S. Brennan, J. Cryst. Growth 163, 54 (1996).
12. M. Kasu and N. Kobayashi, J. Cryst. Growth 174, 513 (1997).
13. L. Li, B. K. Han, S. Gan, H. Qi, and R. F. Hicks, Surf. Sci. 398, 386 (1998).
14. M. J. Begarney, M. L. Warddrip, M. J. Kappers, and R. F. Hicks, J. Cryst. Growth 193, 305 (1998).
15. B. K. Han, L. Li, Q. Fu, and R. F. Hicks, Appl. Phys. Lett. 72, 3347 (1998).
16. D. M. Tanenbaum, A. L. Laracuente, and A. Gallagher, Phys. Rev. B 56, 4243 (1997).
17. N.-E. Lee, D. G. Cahill, and J. E. Greene, Phys. Rev. B 53, 7876 (1996).
18. G. Palasantzas Phys. Rev. B 48, 14472 (1993).
19. K. N. Tu, J. W. Mayer, and L. C. Feldman, Electronic Thin Film Science for Electrical Engineers and Material Scientist (Macmillan, New York, 1992).
20. G. Palasantzas and J. Krim, Phys. Rev. Lett. 73, 3564 (1994).
21. G. Palsantzas and L. J. Geerligs, Solid State Commun. 103, 555 (1997).
22. J. E. Van Nostrand, S. J. Chey, and D. G. Cahill, Phys. Rev. B 57, 12 536 (1998).
23. M. Kotrla and P. Smilauer, Phys. Rev. B 53, 13 777 (1996).
24. C. J. Lanczycki, R. Kotlyar, E. Fu, Y. N. Yang, E. D. Williams, and S. Das Sarma, Phys. Rev. B 57, 13 132 (1998).
25. J. Cui, M. Ozeki, and M. Ohashi, J. Cryst. Growth 188, 137 (1998).
26. K. Hata, H. Shigekawa, T. Ueda, M. Akiyama, and T. Okano, Phys. Rev. B 57, 4500 (1998).
27. K. Ohkuri, J. Ishizaki, S. Hara, and T. Fukui, J. Cryst. Growth 160, 235 (1996).
28. M. A. Salmi, M. Alatalo, T. Ala-Nissila, and R. M. Nieminen, Surf. Sci. 425, 31 (1999).