Optical properties of wurtzite GaN epilayers grown on-plane sapphire

Physical Review B - Condensed Matter and Materials Physics

Volumn 57, Issue 7, 1998, Pages 3761-3764

  Alemu, Andenet ^a   Gil, Bernard ^a   Julier, Michel ^a   Nakamura, Shuji ^b  

^a CNRS   (France)

^b NICHIA CORPORATION   (Japan)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 0000588071     PISSN: 10980121     EISSN: 1550235X     Source Type: Journal    
DOI: 10.1103/PhysRevB.57.3761     Document Type: Article

References (25)

1. S. Nakamura and G. Fasol, The Blue Laser Diode (Springer, New York, 1997).
2. T. Lei, K. F. Ludwig, and T. Moustakas, J. Appl. Phys. 74, 4430 (1993).
3. S. Nakamura, M. Senoh, S. Nagahama, N. Iwasa, T. Yamada, T. Matsushita, H. Kiyoku, and Y. Sugimoto, Jpn. J. Phys. 35, L217 (1996).
4. B. Monemar, Phys. Rev. B 10, 676 (1974).
5. T. Ogino and M. Aoki, Jpn. J. Appl. Phys. 19, 2395 (1980).
6. M. Smith, G. D. Chen, J. Z. Li, J. Y. Lin, H. X. Jiang, A. Salvador, W. K. Kim, O. Aktas, A. Botchkarev, and H. Morkoç, Appl. Phys. Lett. 67, 3387 (1995).
7. D. C. Reynolds, D. C. Look, W. Kim, O. Aktas, A. Botchkarev, A. Salvador, H. Morkoç, and D. N. Talwar, J. Appl. Phys. 80, 594 (1996).
8. D. Volm, K. Oettinger, T. Streibl, D. Kovalev, M. Ben-Chorin, J. Diener, B. K. Meyer, J. Majewski, L. Eckey, A. Hoffmann, H. Amano, I. Akasaki, K. Hiramatsu, and T. Detchprohm, Phys. Rev. B 53, 16 543 (1996).
9. J. A. Freitas, Jr., K. Doverspike, and A. E. Wickenden, in Gallium Nitride and Related Materials, edited by R. D. Dupuis, J. A. Edmond, F. A. Ponce, and S. Nakamura, Materials Research Society Symposia Proceedings Vol. 395 (MRS, Pittsburgh, 1996), p. 485.
10. S. Chichibu, A. Shikanai, T. Azuhata, T. Sota, A. Kuramata, K. Horino, and S. Nakamura, Appl. Phys. Lett. 68, 3766 (1996).
11. W. Shan, B. D. Little, A. J. Fischer, J. J. Song, B. Goldenberg, W. G. Perry, M. D. Bremser, and R. F. Davis, Phys. Rev. B 54, 16 369 (1996).
12. M. Tchounkeu, O. Briot, B. Gil, J. P. Alexis, and R.-L. Aulombard, J. Appl. Phys. 80, 5352 (1996).
13. A. Shikanai, T. Azuhata, T. Sota, S. Chichibu, A. Kuramata, K. Horino, and S. Nakamura, J. Appl. Phys. 81, 417 (1997).
14. B. J. Skromme, H. Zhao, B. Goldenberg, H. S. Kong, M. T. Leonard, G. E. Bulman, C. R. Abernathy, and S. J. Pearton, in III-V Nitrides, edited by I. Akasaki, B. Monemar, T. Moutsakas, and F. Ponce, Materials Research Society Symposia Proceedings Vol. 449 (MRS, Pittsburgh, 1997), p. 713.
15. S. L. Chuang and C. S. Chang, Semicond. Sci. Technol. 12, 252 (1997).
16. Yu. M. Sirenko, J. B. Leon, K. W. Kim, M. A. Littlejohn, and M. A. Stroscio, Appl. Phys. Lett. 69, 2504 (1996).
17. M. Suzuki and T. Uenoyama, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 35, L953 (1996).
18. B. Gil, S. Clur, and O. Briot, Solid State Commun. 104, 267 (1997).
19. B. Gil, O. Briot, and R. L. Aulombard, Phys. Rev. B 52, R17 028 (1995).
20. B. Gil, F. Hamdani, and H. Morkoç, Phys. Rev. B 54, 7680 (1996).
21. S. Chichibu, T. Azuhata, T. Sota, H. Amano, and I. Akasaki, Appl. Phys. Lett. 70, 2085 (1997).
22. D. K. Nelson, Yu. V. Melnik, A. V. Selkin, M. A. Yacobsen, V. A. Dmiriev, K. Irvine, and C. H. Carter, Jr., Fiz. Tverd. Tela (Leningrad) 38, 651 (1996) [Sov. Phys. Solid State 38, 455 (1996)].
23. J. W. Orton, Semicond. Sci. Technol. 11, 1026 (1996).
24. B. Gil and A. Alemu, Phys. Rev. B 56, 12 446 (1997).
25. M. Yamaguchi, T. Yagi, T. Azuhata, T. Sota, K. Suzuki, S. Chichibu, and S. Nakamura, J. Phys.: Condens. Matter 9, 241 (1997).