W and WSix Ohmic contacts on p- and n-type GaN

Journal of Vacuum Science and Technology A: Vacuum, Surfaces and Films

Volumn 17, Issue 4, 1999, Pages 1221-1225

  Cao, X A ^a   Ren, F ^a   Pearton, S J ^a   Zeitouny, A ^b   Eizenberg, M ^b   Zolper, J C ^c   Abernathy, C R ^a   Han, J ^d   Shul, R J ^d   Lothian, J R ^e  

^a University of Florida   (United States)

^b TECHNION ISRAEL INSTITUTE OF TECHNOLOGY   (Israel)

^c OFFICE OF NAVAL RESEARCH   (United States)

^d SANDIA NATIONAL LABORATORIES   (United States)

^e LUCENT TECHNOLOGIES   (United States)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 0001141009     PISSN: 07342101     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1116/1.581799     Document Type: Article

References (26)

1. See, for example, S. Nakamura, in GaN and Related Materials II, edited by S. J. Pearton (Gordon and Breach, New York, 1998).
2. S. Nakamura, T. Mukai, and M. Senoh, Appl. Phys. Lett. 64, 1687 (1994).
3. M. Schauler, C. Kirchner, M. Mayer, A. Pelzmann, F. Eberhard, M. Kamp, P. Unger, and K. J. Ebeling, MRS Internet J. Nitride Semicond. Res. 2, 44 (1997).
4. H. Ishikawa, S. Kobayashi, Y. Koide, S. Yamasaki, S. Nagai, J. Umezaki, M. Koike, and M. Murakami, J. Appl. Phys. 81, 1315 (1997).
5. K. V. Vassilevski, M. G. Rastegaeva, A. I. Babanin, I. P. Nikitina, and V. A. Dmitriev, MRS Internet J. Nitride Semicond. Res. 1, 38 (1996).
6. D. J. King, L. Zhang, J. C. Ramer, S. D. Hersee, and L. F. Lester, Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 468, 421 (1997).
7. L. F. Lester, D. J. King, L. Zhang, J. C. Ramer, S. D. Hersee, and J. C. Zolper, Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 97-1, 171 (1997).
8. I. Akasaki, H. Amano, S. Sota, H. Sakai, T. Tanaka, and M. Koike, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 34, L1517 (1995).
9. L. L. Smith, R. F. Davis, M. J. Kim, R. W. Carpenter, and Y. Huang, J. Mater. Res. 12, 2249 (1997).
10. T. Mori, T. Kozawa, T. Ohwaki, Y. Taga, S. Nagai, S. Yamasaki, S. Asami, N. Shibata, and M. Koike, Appl. Phys. Lett. 69, 3537 (1996).
11. T. Kim, J. Khim, S. Chae, and T. Kim, Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 468, 427 (1997).
12. J. T. Trexler, S. J. Pearton, P. H. Holloway, H. G. Mier, K. R. Evans, and R. F. Karlicek, Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 449, 1091 (1997).
13. L. L. Smith, M. D. Bremser, E. P. Carlson, T. W. Weeks, Jr., Y. Huang, M. J. Kim, R. W. Carpenter, and R. F. Davis, Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 395, 861 (1996).
14. J. T. Trexler, S. J. Miller, P. H. Holloway, and M. A. Khan, Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 395, 819 (1996).
15. T. Kim, M. C. Yoo, and T. Kim, Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 449, 1061 (1997).
16. S. E. Mohney and S. S. Lau, in GaN and Related Materials II, edited by S. J. Pearton (Gordon and Breach, New York, 1998).
17. Q. Z. Liu and S. S. Lau, Solid-State Electron. 42, 677 (1998).
18. M. W. Cole, F. Ren, and S. J. Pearton, J. Electrochem. Soc. 144, L275 (1997); Appl. Phys. Lett. 71, 3004 (1997).
19. M. W. Cole, F. Ren, and S. J. Pearton, J. Electrochem. Soc. 144, L275 (1997); Appl. Phys. Lett. 71, 3004 (1997).
20. M. W. Cole, D. W. Eckart, W. Y. Han, R. L. Pfeffer, T. Monahan, F. Ren, C. Yuan, R. A. Stall, S. J. Pearton, Y. Li, and Y. Lu, J. Appl. Phys. 80, 278 (1996).
21. J. C. Zolper and R. J. Shul, MRS Bull. 22, 36 (1997).
22. J. M. Van Hove, P. P. Chow, J. J. Klaasen, R. Hickman, A. M. Wowchak, D. R. Croswell, and C. Polley, Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 468, 51 (1997).
23. J. C. Zolper, R. J. Shul, A. G. Baca, R. G. Wilson, S. J. Pearton, and R. A. Stall, Appl. Phys. Lett. 68, 2273 (1996).
24. H. S. Venugopalan, S. E. Mohney, B. P. Luther, J. M. DeLucca, S. D. Wolter, J. M. Redwing, and G. E. Bulman, Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 468, 431 (1997).
25. V. M. Bermudez, R. Kaplan, M. A. Khan, and J. N. Kuznia, Phys. Rev. B 48, 2436 (1993).
26. S. E. Mohony, B. P. Luther, and T. N. Jackson, Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 395, 843 (1996).