Watt-class high-output-power 365 nm ultraviolet light-emitting diodes

Japanese Journal of Applied Physics, Part 1: Regular Papers and Short Notes and Review Papers

Volumn 43, Issue 9 A, 2004, Pages 5945-5950

  Morita, Daisuke ^a   Yamamoto, Masashi ^a   Akaishi, Kazuyuki ^a   Matoba, Kousuke ^a   Yasutomo, Katsuhiro ^a   Kasai, Yoshio ^a   Sano, Masahiko ^a   Nagahama, Shin Ichi ^a   Mukai, Takashi ^a  

^a NICHIA CORPORATION   (Japan)

Author keywords

365 nm; AllnGaN; GaN free; High power; LEDs; Ultraviolet

Indexed keywords

ABSORPTION; ENVIRONMENTAL PROTECTION; GALLIUM NITRIDE; METALLORGANIC CHEMICAL VAPOR DEPOSITION; MOLDING; NITRIDES; QUANTUM EFFICIENCY; RESINS; SAPPHIRE; SEMICONDUCTOR QUANTUM WELLS; SILICONES; ULTRAVIOLET DEVICES;

365 NM; ALINGAN; GAN FREE; HIGH POWER;

LIGHT EMITTING DIODES;

EID: 9244243665     PISSN: 00214922     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1143/JJAP.43.5945     Document Type: Article

References (19)

1. T. Matsuoka, H. Okamoto, M. Nakao, H. Harima and E. Kurimoto: Appl. Phys. Lett. 81 (2002) 1246.
2. J. Wu, W. Walukiewicz, K. M. Yu, J. W. Ager III, E. E. Haller, H. Lu, W. J. Schaff, Y. Saito and Y. Nanishi: Appl. Phys. Lett. 80 (2002) 3967.
3. T. Mukai, M. Yamada and S. Nakamura: Jpn. J. Appl. Phys. 38 (1999) 3976.
4. M. Yamada, T. Mitani, Y. Narukawa, S. Shioji, I. Niki, S. Sonobe, K. Deguchi, M. Sano and T. Mukai: Jpn. J. Appl. Phys. 41 (2002) L1431.
5. S. Watanabe, N. Yamada, M. Nagashima, Y. Ueki, C. Sasaki, Y. Yamada, T. Taguchi, K. Tadatomo, H. Okagawa and H. Kudo: Appl. Phys. Lett. 83 (2003) 4906.
6. T. Mukai, D. Morita and S. Nakamura: J. Cryst. Growth 189/190 (1998) 778.
7. M. Iwaya, S. Terao, T. Sano, T. Ukai, R. Nakamura, S. Kamiyama, H. Amano and I. Akasaki: J. Cryst. Growth 237/239 (2002) 951.
8. Y. B. Lee, T. Wang, Y. H. Liu, J. P. Ao, Y. Izumi, Y. Lacroix, H. D. Li, J. Bai, Y. Naoi and S. Sakai: Jpn. J. Appl. Phys. 41 (2002) 4450.
9. T. Nishida, H. Saito and N. Kobayashi: Appl. Phys. Lett. 79 (2001) 711.
10. A. Yasan, R. McClintock, K. Mayes, S. R. Darvish, H. Zhang, P. Kung, M. Razeghi, S. K. Lee and J. Y. Han: Appl. Phys. Lett. 81 (2002) 2151.
11. T. Nishida, H. Saito and N. Kobayashi: Appl. Phys. Lett. 78 (2001) 399.
12. T. Nishida, H. Saito and N. Kobayashi: Appl. Phys. Lett. 78 (2001) 3927.
13. T. Mukai and S. Nakamura: Jpn. J. Appl. Phys. 38 (1999) 5735.
14. A. Usui, H. Sunakawa, A. Sakai and A. Yamaguichi: Jpn. J. Appl. Phys. 36 (1997) L899.
15. S. Nagahama, N. Iwasa, M. Senoh, T. Matsushita, Y. Sugimoto, H. Kiyoku, T. Kozaki, M. Sano, H. Matsumura, H. Umemoto, K. Chocho and T. Mukai: Jpn. J. Appl. Phys. Lett. 39 (2000) L647.
16. D. Morita, M. Sano, M. Yamamoto, T. Murayama, S. Nagahama and T. Mukai: Jpn. J. Appl. Phys. 41 (2002) L1434.
17. M. K. Kelly, O. Ambacher, R. Dimitrov, H. Angerer, R. Handschuh and M. Stutzmann: Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 482 (1998) 973.
18. D. Morita, M. Sano, M. Yamamoto, M. Nonaka, K. Yasutomo, K. Akaishi, S. Nagahama and T. Mukai: Phys. Status Solidi A 200 (2003) 114.
19. D. A. Steigerwald, J. C. Bhat, D. Collins, R. M. Fletcher, M. O. Holcomb, M. J. Ludowise, P. S. Martin and S. L. Rudaz: IEEE J. Sel. Top. Quantum Electron. 8 (2002) 310.