Low schottky barrier black phosphorus field-effect devices with ferromagnetic tunnel contacts

Small

Volumn 11, Issue 18, 2015, Pages 2209-2216

  Venkata Kamalakar, M ^a   Madhushankar, B N ^a   Dankert, André ^a   Dash, Saroj P ^a  

^a CHALMERS UNIVERSITY OF TECHNOLOGY   (Sweden)

Author keywords

Black phosphorus; Ferromagnetism; Field effect transistors; Magnetoresistance; Phosphorene; Spintronics; Tunnel contact

Indexed keywords

CONTACT RESISTANCE; DRAIN CURRENT; ELECTRON TRANSPORT PROPERTIES; FERROMAGNETIC MATERIALS; FERROMAGNETISM; HOLE MOBILITY; MAGNETOELECTRONICS; MAGNETORESISTANCE; PHOSPHORUS; SCHOTTKY BARRIER DIODES; THRESHOLD VOLTAGE; TRANSISTORS; TUNNELLING MAGNETORESISTANCE;

FIELD-EFFECT DEVICES; PHOSPHORENE; SEMICONDUCTING MATERIALS; SOURCE DRAIN CONTACT RESISTANCE; SPINTRONIC APPLICATIONS; TRANSISTOR PERFORMANCE; TUNNEL BARRIER LAYERS; TUNNEL CONTACTS;

FIELD EFFECT TRANSISTORS;

EID: 85028229717     PISSN: 16136810     EISSN: 16136829     Source Type: Journal    
DOI: 10.1002/smll.201402900     Document Type: Article

References (43)

1. A. K. Geim, I. V. Grigorieva, Nature 2013, 499, 419.
2. K. S. Novoselov, V. I. Fal'ko, L. Colombo, P. R. Gellert, M. G. Schwab, K. Kim, Nature 2012, 490, 192.
3. N. Tombros, C. Jozsa, M. Popinciuc, H. T. Jonkman, B. J. van Wees, Nature 2007, 448, 571.
4. B. Dlubak, M.-B. Martin, C. Deranlot, B. Servet, S. Xavier, R. Mattana, M. Sprinkle, C. Berger, W. A. De Heer, F. Petroff, A. Anane, P. Seneor, A. Fert, Nat. Phys. 2012, 8, 557.
5. A. Dankert, M. V. Kamalakar, J. Bergsten, S. P. Dash, Appl. Phys. Lett. 2014, 104, 192403.
6. F. Schwierz, Nat. Nanotechnol. 2010, 5, 487.
7. H. Dery, H. Wu, B. Ciftcioglu, M. Huang, Y. Song, R. Kawakami, J. Shi, I. Krivorotov, I. Zutic, L. J. Sham, IEEE Trans. Electron Devices 2012, 59, 259.
8. B. Radisavljevic, A. Radenovic, J. Brivio, V. Giacometti, A. Kis, Nat. Nanotechnol. 2011, 6, 147.
9. D. Jariwala, V. K. Sangwan, L. J. Lauhon, T. J. Marks, M. C. Hersam, ACS Nano 2014, 1102.
10. A. Dankert, L. Langouche, M. V. Kamalakar, S. P. Dash, ACS Nano 2014, 8, 476.
11. S. Das, H.-Y. Chen, A. V. Penumatcha, J. Appenzeller, Nano Lett. 2013, 13, 100.
12. K. F. Mak, C. Lee, J. Hone, J. Shan, T. F. Heinz, Phys. Rev. Lett. 2010, 105, 136805.
13. L. Li, Y. Yu, G. J. Ye, Q. Ge, X. Ou, H. Wu, D. Feng, X. H. Chen, Y. Zhang, Nat. Nanotechnol. 2014, 9, 372.
14. H. Liu, A. T. Neal, Z. Zhu, Z. Luo, X. Xu, D. Tománek, P. D. Ye, ACS Nano 2014, 8, 4033.
15. V. Tran, R. Soklaski, Y. Liang, L. Yang, Phys. Rev. B 2014, 89, 235319.
16. F. Xia, H. Wang, Y. Jia, Nat. Commun. 2014, 5, 4458.
17. S. P. Koenig, R. A. Doganov, H. Schmidt, A. H. Castro Neto, B. Özyilmaz, Appl. Phys. Lett. 2014, 104, 103106.
18. M. Buscema, D. J. Groenendijk, S. I. Blanter, G. A. Steele, H. S. J. van der Zant, A. Castellanos-Gomez, Nano Lett. 2014, 14, 3347.
19. S. P. Dash, S. Sharma, R. S. Patel, M. P. de Jong, R. Jansen, Nature 2009, 462, 491.
20. J. J. Pla, K. Y. Tan, J. P. Dehollain, W. H. Lim, J. J. L. Morton, F. A. Zwanenburg, D. N. Jamieson, A. S. Dzurak, A. Morello, Nature 2013, 496, 334.
21. R. J. Warburton, Nat. Mater. 2013, 12, 483.
22. A. Abragam, M. Goldman, Rep. Prog. Phys. 1978, 41, 395.
23. A. Fert, H. Jaffrès, Phys. Rev. B 2001, 64, 184420.
24. G. Schmidt, D. Ferrand, L. W. Molenkamp, A. T. Filip, B. J. van Wees, Phys. Rev. B 2000, 62, R4790.
25. R. T. Tung, Phys. Rev. Lett. 2000, 84, 6078.
26. J. Bardeen, Phys. Rev. 1942, 71, 717.
27. S. M. Sze, K. K. Ng, Physics of Semiconductor Devices, John Wiley & Sons, Inc., Hoboken, NJ, USA 2006.
28. B. C. Min, K. Motohashi, C. Lodder, R. Jansen, Nat. Mater. 2006, 5, 817.
29. J. Qiao, X. Kong, Z.-X. Hu, F. Yang, W. Ji, Nat. Commun. 2014, 5, 4475.
30. J.-R. Chen, P. M. Odenthal, A. G. Swartz, G. C. Floyd, H. Wen, K. Y. Luo, R. K. Kawakami, Nano Lett. 2013, 13, 3106.
31. J.-F. Dayen, V. Faramarzi, M. Pauly, N. T. Kemp, M. Barbero, B. P. Pichon, H. Majjad, S. Begin-Colin, B. Doudin, Nanotechnology 2010, 21, 335303.
32. M. Wojtaszek, I. J. Vera-Marun, E. Whiteway, M. Hilke, B. J. van Wees, Phys. Rev. B 2014, 89, 035417.
33. R. S. Patel, S. P. Dash, M. P. de Jong, R. Jansen, J. Appl. Phys. 2009, 106, 016107.
34. R. Jansen, B. C. Min, S. P. Dash, Nat. Mater. 2010, 9, 133.
35. R. Jansen, B. C. Min, S. P. Dash, S. Sharma, G. Kioseoglou, A,. T. Hanbicki, O. M. J. van 't Erve, P. E. Thompson, B. T. Jonker, Phys. Rev. B 2010, 82, 241305.
36. M. V. Kamalakar, A. Dankert, J. Bergsten, T. Ive, S. P. Dash, Appl. Phys. Lett. 2014, 105, 212405
37. M. V. Kamalakar, A. Dankert, J. Bergsten, T. Ive, S. P. Dash, Sci. Rep. 2014, 4, 6146.
38. F. Godel, M. V. Kamalakar, B. Doudin, Y. Henry, D. Halley, J.-F. Dayen, Appl. Phys. Lett. 2014, 105, 152407.
39. A. Dankert, M. V. Kamalakar, A. Wajid, R. S. Patel, S. P. Dash, Nano Research 2014, DOI: 10.1007/s12274-014-0627-4.
40. A. Dankert, R. S. Dulal, S. P. Dash, Sci. Rep. 2013, 3, 3196.
41. S. Sharma, A. Spiesser, S. P. Dash, S. Iba, S. Watanabe, B. J. van Wees, H. Saito, S. Yuasa, R. Jansen, Phys. Rev. B 2014, 89, 075301.
42. A. Dankert, S. P. Dash, Appl. Phys. Lett. 2013, 103, 242405.
43. E. Shikoh, K. Ando, K. Kubo, E. Saitoh, T. Shinjo, M. Shiraishi, Phys. Rev. Lett. 2013, 110, 127201.