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Journal of Materials Chemistry C

Volumn 3, Issue 28, 2015, Pages 7455-7462

High density and patternable growth of silicon, germanium and alloyed SiGe nanowires by a rapid anneal protocol

(7) Bezuidenhout, M a Kennedy, T a Belochapkine, S a Guo, Y a Mullane, E a Kiely, P A a Ryan, K M a

a UNIVERSITY OF LIMERICK (Ireland)

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FILM GROWTH; GERMANIUM; LITHOGRAPHY;

COPPER METAL; DIRECT WRITING; FAST REACTION; HEATED SUBSTRATES; IN-DEPTH STUDY; LIQUID PRECURSORS; NANOWIRE GROWTH; SI-GE NANOWIRES;

NANOWIRES;

EID: 84938153687 PISSN: 20507534 EISSN: 20507526 Source Type: Journal
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