Growth, thermodynamics, and electrical properties of silicon nanowires

Chemical Reviews

Volumn 110, Issue 1, 2010, Pages 361-388

  Schmidt, V ^a   Wittemann, J V ^a   Gosele U ^a,b  

^a MAX PLANCK INSTITUTE OF MICROSTRUCTURE PHYSICS   (Germany)

^b Duke University   (United States)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

DOPANT TYPE; DOPING CONCENTRATION; ELECTRIC CHARACTERISTICS; ELECTRICAL PROPERTY; HIGH TEMPERATURE; HOT-WALL REACTORS; INDIRECT IMPLICATION; IONIZATION EFFICIENCY; LIQUID DROPLETS; SILICON NANOWIRES; VAPOR PHASE; VAPOR-LIQUID-SOLID MECHANISM; VLS MECHANISM; WIRE GROWTH;

CARRIER CONCENTRATION; CHEMICAL VAPOR DEPOSITION; DOPING (ADDITIVES); ELECTRIC PROPERTIES; ELECTRIC WIRE; IONIZATION OF LIQUIDS; LIQUIDS; NANOWIRES; SILICON; THERMODYNAMICS; VAPORS; WIRE PRODUCTS;

CARRIER MOBILITY;

EID: 75649120744     PISSN: 00092665     EISSN: 15206890     Source Type: Journal    
DOI: 10.1021/cr900141g     Document Type: Article

References (236)

1. Treuting, R. G.; Arnold, S. M. Acta Met. 1957, 5, 598.
2. Wagner, R. S.; Ellis, W. C. Appl. Phys. Lett. 1964, 4, 89.
3. Schmidt, V.; Senz, S.; Gösele, U. Z. Metallkd. 2005, 96, 427.
4. Schmidt, V.; Wittemann, J. V.; Senz, S.; Gösele, U. Adv. Mater. 2009, 21, 2681.
5. Walch, S. P.; Dateo, C. E. J. Phys. Chem. A 2001, 105, 2015.
6. Garnett, E. C.; Liang, W.; Yang, P. Adv. Mater. 2007, 19, 2946.
7. Kayes, B. M.; Filler, M. A.; Putnam, M. C.; Kelzenberg, M. D.; Lewis, N. S.; Atwater, H. A. Appl. Phys. Lett. 2007, 91, 103110.
8. Hochbaum, A. I.; Fan, R.; He, R.; Yang, P. Nano Lett. 2005, 5, 457.
9. Lombardi, I.; Hochbaum, A. I.; Yang, P.; Carraro, C.; Maboudian, R. Chem. Mater. 2006, 18, 988.
10. Givargizov, E. I. J. Cryst. Growth 1975, 31, 20.
11. Nebol'sin, V. A.; Shchetinin, A. A.; Dolgachev, A. A.; Korneeva, V. V. Inorg. Mater. 2005, 41, 1256.
12. Lew, K.-K.; Redwing, J. M. J. Cryst. Growth 2003, 254, 14.
13. Chung, S. W.; Yu, J. Y.; Heath, J. R. Appl. Phys. Lett. 2000, 76, 2068.
14. Wagner, R. S.; Ellis, W. C.; Jackson, K. A.; Arnold, S. M. J. Appl. Phys. 1964, 35, 2993.
15. Greiner, E. S.; Gutowski, J. A.; Ellis, W. C. J. Appl. Phys. 1961, 32 2489.
16. Wagner, R. S.; Ellis, W. C. Trans. Met. Soc. AIME 1965, 233, 1053.
17. Theuerer, H. C. J. Electrochem. Soc. 1961, 108, 649.
18. Weyher, J. Mater. Sci. Eng. 1975, 20, 171.
19. Ostwald, W. Lehrbuch der Allgemeinen Chemie; Engelmann: Leipzig, Germany, 1896; Vol. 2
20. Lifshitz, I. M.; Slyozov, V. V. J. Phys. Chem. Solids 1961, 19, 35.
21. Chakraverty, B. K. J. Phys. Chem. Solids 1967, 28, 2401.
22. Wynblatt, P.; Gjostein, N. A. Acta Met. 1976, 24, 1165.
23. Wynblatt, P. Acta Met. 1976, 24, 1175.
24. Hannon, J. B.; Kodambaka, S.; Ross, F. M.; Tromp, R. M. Nature 2006, 440, 69.
25. den Hertog, M. I.; Rouviere, J.-L.; Dhalluin, F.; Desre, P. J.; Gentile, P.; Ferret, P.; Oehler, F.; Baron, T. Nano Lett. 2008, 8, 1544.
26. Wu, Y.; Cui, Y.; Huynh, L.; Barrelet, C. J.; Bell, D. C.; Lieber, C. M. Nano Lett. 2004, 4, 433.
27. Schmidt, V.; Senz, S.; Gösele, U. Nano Lett. 2005, 5, 931.
28. Givargizov, E. I. J. Cryst. Growth 1973, 20, 217.
29. Schmid, H.; Bjork, M. T.; Knoch, J.; Riel, H.; Riess, W. J. Appl. Phys. 2008, 103, 024304.
30. Bootsma, G. A.; Gassen, H. J. J. Cryst. G owth 1971, 10, 223.
31. Onischuk, A. A.; Strunin, V. P.; Ushakova, M. A.; Panfilov, V. N. Int. J. Chem. Kinet. 1998, 30, 99.
32. Odden, J. O.; Egeberg, P. K.; Kjekshus, A. Int. J. Chem. Kinet. 2006, 38, 309.
33. Ross, F. M.; Tersoff, J.; Reuter, M. C. Phys. Rev. Lett. 2005, 95, 146104.
34. Kodambaka, S.; Hannon, J. B.; Tromp, R. M.; Ross, F. M. Nano Lett. 2006, 6, 1292.
35. Hofmann, S.; Sharma, R.; Wirth, C. T.; Cervantes-Sodi, F.; Ducati, C.; Kasama, T.; Dunin-Borkowski, R. E.; Drucker, J.; Bennett, P.; obertson, J. Nat. Mater. 2008, 7, 372.
36. Kodambaka, S.; Tersoff, J.; Reuter, M. C.; Ross, F. M. Phys. Rev. Lett. 2006, 96, 096105.
37. Sunkara, M. K.; Sharma, S.; Miranda, R.; Lian, G.; Dickey, E. C. Appl. Phys. Lett. 2001, 79, 1546.
38. Hofmann, S.; Ducati, C.; Neill, R. J.; Piscanec, S.; Ferrari, A. C.; Geng, J.; Dunin-Borkowski, R. E.; Robertson, J. J. Appl. Phys. 2003, 94, 6005.
39. Sharma, S.; Sunkara, M. K. Nanotechnology 2004, 15, 130.
40. Iacopi, F.; Vereecken, P. M.; Schaekers, M.; Caymax, M.; Moelans, N.; Blanpain, B.; Richard, O.; Detavernier, C.; Griffiths, H. Nano-technology 2007, 18, 505307.
41. Westwater, J.; Gosain, D. P.; Usui, S. Jvn. J. Appl. Phys. 1997, 36, 6204.
42. Wang, Y. F.; Lew, K. K.; Ho, T. T.; Pan, S. W.; Novak, L.; Dickey, E. C.; Redewing, T. S.; Mayer, J. M. Nano Lett. 2005, 5, 2139.
43. Pan, L.; Lew, K. K.; Redwing, J. M.; Dickey, C. J. Cryst. Growth 2005, 277, 428.
44. Kempa, T. J.; Tian, B.; Kim, D. R.; Hu, J.; Zheng, X.; Lieber, C. M. Nano Lett. 2008, 8, 3456.
45. Wagner, R. S.; Doherty, C. J. J. Electrochem. Soc. 1968, 115, 93.
46. Westwater, J.; Gosain, D. P.; Tomiya, S.; Usui, S.; Ruda, H. J. Vac. Sci. Technol. B 1997, 15, 554.
47. Zhang, X.-Y.; Zhang, L.-D.; Meng, G.-W.; Li, G.-H.; Jin-Phillipp, N.-Y.; Phillipp, F. Adv. Mater. 2001, 13, 1238.
48. Lew, K.-K.; Reuther, C.; Carim, A. H.; Redwing, J. M.; Martin, B. R. J. Vac. Sci. Technol. B 2002, 20, 389.
49. Shimizu, T.; Xie, T.; Nishikawa, J.; Shingubara, S.; Senz, S.; Gösele, U. Adv. Mater. 2007, 19, 917.
50. Holmes, J. D.; Johnston, K. P.; Doty, R. C.; Korgel, B. A. Science 2000, 287, 1471.
51. Lu, X. M.; Hanrath, T.; Johnston, K. P.; Korgel, B. A. Nano Lett. 2003, 3, 93.
52. Hanrath, T.; Korgel, B. A. Adv. Mater. 2003, 15, 437.
53. Lee, D. C.; Hanrath, T.; Korgel, B. A. Angew. Chem., Int. Ed. 2005, 44, 3573.
54. Tuan, H. Y.; Korgel, B. A. Chem. Mater. 2008, 20, 1239.
55. Tuan, H.-Y.; Lee, D. C.; Korgel, B. A. Angew. Chem. 2006, 45, 5184.
56. Tuan, H. Y.; Ghezelbash, A.; Korgel, B. A. Chem. Mater. 2008, 20, 2306.
57. Heitsch, A. T.; Fanfair, D. D.; Tuan, H. Y.; Korgel, B. A. J. Am. Chem. Soc. 2008, 130, 5436.
58. Schubert, L.; Werner, P.; Zakharov, N. D.; Gerth, G.; Kolb, F. M.; Long, L.; Gösele, U.; Tan, T. Y. Appl. Phys. Lett. 2004, 84, 4968.
59. Zakharov, N. D.; Werner, P.; Gerth, G.; Schubert, L.; Sokolov, L.; Gösele, U. J. Cryst. Growth 2006, 290, 6.
60. Zakharov, N.; Werner, P.; Sokolov, L.; Gösele, U. Physica E 2007, 37, 148.
61. Fuhrmann, B.; Leipner, H. S.; Höche, H.-R.; Schubert, L.; Werner, P.; Gösele, U. Nano Lett. 2005, 5, 2524.
62. Werner, P.; Zakharov, N. D.; Gerth, G.; Schubert, L.; Gösele, U. Int. J. Mater. Res. 2006, 97, 1008.
63. Sivakov, S.; Andrä, G.; Gösele, U.; Christiansen, S. Phys. Status Solidi A 2006, 203, 3692.
64. Sivakov, V.; Heyroth, F.; Falk, F.; Andrä, G.; Christiansen, S. J. Cryst. Growth 2007, 300, 288.
65. Das Kanungo, P.; Zakharov, N.; Bauer, J.; Breitenstein, O.; Werner, P.; Goesele, U. Appl. Phys. Lett. 2008, 92, 263107.
66. Morales, A. M.; Lieber, C. M. Science 1998, 279, 208.
67. Zhang, Y. F.; Tang, Y. F.; Wang, N.; Lee, C. S.; Bello, I.; Lee, S. T. Appl. Phys. Lett. 1998, 72, 1835.
68. Zhang, H. Z.; Yu, D. P.; Ding, Y.; Bai, Z. G.; Hang, Q. L.; Feng, S. Q. Appl. Phys. Lett. 1998, 73, 3396.
69. Peng, H. Y.; Pan, Z. W.; Xu, L.; Fan, X. H.; Wang, N.; Lee, C.-S.; Lee, S.-T. Adv. Mater. 2001, 13, 317.
70. Zhang, Y. F.; Tang, Y. H.; Peng, H. Y.; Wang, N.; Lee, C. S.; Bello, I.; Lees, S. T. Appl. Phys. Lett. 1999, 75, 1842.
71. Zhou, G. W.; Zhang, Z.; Bai, Z. G.; Feng, S. Q.; Yu, D. P. Appl. Phys. Lett. 1998, 73, 677.
72. Wang, N.; Tang, Y. H.; Zhang, Y. F.; Yu, D. P.; Lee, C. S.; Bello, I.; Lee, S. T. Chem. Phys. Lett. 1998, 283, 368.
73. Yang, Y.-H.; Wu, S.-J.; Chiu, H. S.; Lin, P.-I.; Chen, Y.-T. 2004, 108, 846.
74. Wang, N.; Tang, Y. H.; Zhang, Y. F.; Lee, C. S.; Lee, S. T. Phys. Rev.B 1998, 58, 16024.
75. Wang, N.; Zhang, Y. F.; Tang, Y. H.; Lee, C. S.; Lee, S. T. Appl. Phys. Lett. 1998, 73, 3902.
76. Zhang, R.-Q.; Lifshitz, Y.; Lee, S.-T. Adv. Mater. 2003, 15, 635.
77. Lee, S. T.; Zhang, Y. F.; Wang, N.; Tang, Y. H.; Bello, I.; Lee, C. S.; Chung, Y. W. J. Mater. Res. 1999, 14, 4503.
78. Zhao, Y.; Yakobson, B. I. Phys. Rev. Lett. 2003, 91, 035501.
79. Li, C.-P.; Lee, C.-S.; Ma, X.-L.; Wang, N.; Zhang, R.-Q.; Lee, S.-T. Adv. Mater. 2003, 15, 607.
80. Tang, Y. H.; Sham, T. K.; Jürgensen, A.; Hu, Y. F.; Lee, C. S.; Lee, S. T. Appl. Phys. Lett. 2002, 8O, 3709.
81. Cui, Y.; Duan, X.; Hu, J.; Lieber, C. M. J. Phys. Chem. B. 2000, 104, 5213.
82. Pan, Z. W.; Dai, Z. R. J. Phys. Chem. B. 2001, 105, 2507.
83. Kolb, F. M.; Hofmeister, H.; Scholz, R.; Zacharias, M.; Gösele, U.; Ma, D. D.; Lee, S. T. J. Electrochem. Soc. 2004, 151, G472.
84. Kolb, F. M.; Hofmeister, H.; Zacharias, M.; Gösele, U. Appl. Phys. A: Mater. Sci. Process. 2005, 80, 1405.
85. Shi, W. S.; Peng, H. Y.; Zheng, Y. F.; Wang, N.; Shang, N. G.; Pan, Z. W.; Lee, C. S.; Lee, S. T. Adv. Mater. 2000, 12, 1343.
86. Gole, J. L.; Stout, J. D.; Rauch, W. L.; Wang, Z. L. Appl. Phys. Lett. 2000, 76, 2346.
87. Zhang, Z.; Fan, X. H.; Xu, L.; Lee, C. S.; Lee, S. T. Chem. Phys. Lett. 2001, 337, 18.
88. http://www.british biocell.co.uk/.
89. Shchetinin, A. A.; Nebol'sin, V. A.; Kozenkov, O. D.; Tatarenkov, A. F.; Dunaev, A. I. N. E. P. Inorg. Mater. 1991, 27, 1137.
90. Allen, J. E.; Hemesath, E. R.; Perea, D. E.; Lensch-Falk, J. L.; Li, Z. Y.; Yin, F.; Gass, M. H.; Wang, P.; Bleloch, A. L.; Palmer, R. E.; Lauhon, L. J. Nat. Nanotechnol. 2008, 3, 168.
91. Perea, D. E.; Allen, J. E.; May, S. J.; Wessels, B. W.; Seidman, D. N.; Lauhon, L. J. Nano Lett. 2006, 6, 181.
92. Tatsumi, Y.; Shigi, M.; Hirata, M. J. Phys. Soc. Jpn. 1978, 45, 703.
93. Nebol'sin, V. A.; Shchetinin, A. A. Inorg. Mater. 2003, 39, 899.
94. Osada, Y.; Nakayama, H.; Shindo, M.; Odaka, T.; Ogata, Y. J. Electrochem. Soc. 1979, 126, 31.
95. Wang, Y.; Schmidt, V.; Senz, S.; Gösele, U. Nat. Nanotechnol. 2006, 1, 186.
96. Whang, S. J.; Lee, S. J.; Yang, W.; Cho, B. J.; Liew, Y. F.; Li, K.; Bera, L. K.; Tung, C. H.; Kwong, D. L. Conference Abstract 210th ECS Meeting; 2006; abstract 0097.
97. Whang, S. J.; Lee, S. J.; Yang, W. F.; Cho, B. J.; Liew, Y. F.; Kwong, D. L. Electrochem. Solid-State Lett. 2007, 10, E11.
98. Whang, S. J.; Lee, S. J.; Chi, D. Z.; Yang, W. F.; Cho, B. J.; Liew, Y. F.; Kwong, D. L. Nanotechnology 2007, 18, 275302.
99. Bae, J.; Kulkarni, N. N.; Zhou, J. P.; Ekerdt, J. G.; Shih, C. K. J. Cryst. Growth 2008, 310, 4407.
100. Miyamoto, Y.; Hirata, M. Jpn. J. Appl. Phys. 1976, 15, 1159.
101. Yao, Y.; Fan, S. Mater. Lett. 2007, 61, 177.
102. Arbiol, J.; Kalache, B.; Roca i Cabarrocas, P.; Morante, J. R.; Fontcuberta i Morral, A. Nanotechnology 2007, 18, 305606.
103. Gu, Q.; Dang, H.; Cao, J.; Zhao, J.; Fan, S. Appl. Phys. Lett. 2000, 76, 3020.
104. Feng, S. Q.; Yu, D. P.; Zhang, H. Z.; Bai, Z. G.; Ding, Y. J. Cryst. Growth 2000, 209, 513.
105. Liu, Z. Q.; Xie, S. S.; Zhou, W. Y.; Sun, L. F.; Li, Y. B.; Tang, D. S.; Zou, X. P.; Wang, C. Y.; Wang, G. J. Cryst. Growth 2001, 224, 230.
106. Barsotti, R. J.; Fischer, J. E.; Lee, C. H.; Mahmood, J.; Adu, C. K. W.; Eklund, P. C. Appl. Phys. Lett. 2002, 81, 2866.
107. Givargizov, E. I.; Sheftal, N. N. J. Cryst. Growth 1971, 9, 326.
108. Iacopi, F.; Richard, O.; Eichhammer, Y.; Bender, H.; Vereecken, P. M.; de Gendt, S.; Heyns, M. Electrochem. Solid-State Lett. 2008, 11, K98.
109. James, D. W. F.; Lewis, C. Br. J. Appl. Phys. 1965, 16, 1089.
110. Jin, S.; Li, Q.; Lee, C. S. Phys. Status Solidi A 2001, 188, R1.
111. Tatsumi, Y.; Hirata, M.; Yamada, K. J. Phys. Soc. Jpn. 1981, 50, 2288.
112. Weyher, J. J. Cryst. Growth 1978, 43, 235.
113. Baron, T.; Gordon, M.; Dhalluin, F.; Ternon, C.; Ferret, P.; Gentile, P. Appl. Phys. Lett. 2006, 89, 233111.
114. Jeon, M.; Kamisako, K. Mater. Lett. 2009, 63, 777.
115. Kamins, T. I.; Williams, R. S.; Chen, Y.; Chang, Y.-L.; Chang, Y. A. Appl. Phys. Lett. 2000, 76, 562.
116. Kamins, T. I.; Williams, R. S.; Basile, D. P.; Hesjedal, T.; Harris, J. S. J. Appl. Phys. 2001, 89, 1008.
117. Sharma, S.; Kamins, T. I.; Williams, R. S. J. Cryst. Growth 2004, 267, 613.
118. Yu, J. Y.; Chung, S. W.; Heath, J. R. J. Phys. Chem. B 2000, 104, 11864.
119. Wakaser, B. A.; Reuter, M. C.; Khayyat, M. M.; Wen, C.-Y.; Haight, R.; Guha, S.; Ross, F. M. Nano Lett. 2009, 9, 3296.
120. Majni, G.; Ottaviani, G. Appl. Phys. Lett. 1977, 31, 125.
121. Weber, L. Metall. Mater. Trans. A 2002, 33A, 1145.
122. Geiger, F.; Busse, C. A.; Loehrke, R. I. Int. J. ThermoPhys. 1987, 8, 425.
123. Massalski, T. B.; Okamoto, H.; Subramanian, P.; Kacprzak, L. Binary Alloy Phase Diagrams, 2nd ed.; ASM International: Materials Park, OH, 1990; Vol. 1-3
124. Ge, S.; Jiang, K.; Lu, X.; Chen, Y.; Wang, R.; Fan, S. Adv. Mater. 2005, 17, 56.
125. Wagner, R. S. J. Appl. Phys. 1967, 38, 1554.
126. Ma, D. D. D.; Lee, C. S.; Au, F. C. K.; Tong, S. Y.; Lee, S. T. Science 2003, 299, 1874.
127. Carmi, A. H.; Lew, K.-K.; Redwing, J. M. Adv. Mater. 2001, 13, 1489.
128. Fontcuberta i Morral, A.; Arbiol, J.; Prades, J. D.; Cirera, A.; Morante, J. R. Adv. Mater. 2007, 19, 1347.
129. Kailer, A.; Gogotsi, Y. G.; Nickel, K. G. J. Appl. Phys. 1997, 81, 3057.
130. Meade, R. D.; Vanderbilt, D. Phys. Rev. Lett. 1989, 63, 1404.
131. Twesten, R. D.; Gibson, J. M. Phys. Rev.B 1994, 50, 17628.
132. van Heys, J.; Pehlke, E. Phys. Rev.B 2005, 72, 125351.
133. Kohno, H.; Ozaki, N.; Yoshida, H.; Tanaka, K.; Takeda, S. Cryst. Res. Technol. 2003, 38, 1082.
134. Chen, Y.-W.; Tang, Y.-H.; Pei, L.-Z.; Guo, C. Adv. Mater. 2005, 17, 564.
135. De Crescenzi, M.; Castruzzi, P.; Scarselli, M.; Diociaiuti, M.; Chaudharis, P. s.; Balasubramanian, C.; Bhave, T. M.; Bhoraskar, S. V. Appl. Phys. Lett. 2005, 86, 231901.
136. Perepichka, D. F.; Rosei, F. Small 2006, 2, 22.
137. Tang, Y. H.; Pei, L. Z.; Chen, Y. W.; Guo, C. Phys. Rev. Lett. 2005, 95, 116102.
138. Yamada, S.; Fujiki, H. Jpn. J. Appl. Phys. 2006, 45, L837.
139. Tersoff, J.; LeGoues, F. K. Phys. Rev. Lett. 1994, 72, 3570.
140. Ertekin, E.; Greaney, P. A.; Sands, T. D.; Chrzan, D. C. Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 2003, 737, F10.4.1
141. Kastner, G.; Gösele, U. Philos. Mae. 2004, 84, 3803.
142. Björk, M. T.; Ohlsson, B. J.; Sass, T.; Persson, A. I.; Thelander, C.; Magnusson, M. H.; Deppert, K.; Wallenberg, L. R.; Samuelson, L. Nano Lett. 2002, 2, 87.
143. Kasper, E. Phys. Scr. 1991, T35, 232.
144. Wu, Y.; Fan, R.; Yang, P. Nano Lett. 2002, 2, 83.
145. Redwing, J. M.; Lew, K.-K.; Bogart, T. E.; Pan, L.; Dickey, E. C.; Carim, A. H.; Wang, Y.; Cabassi, M. A.; Mayer, T. S. Proc. SPIE-Int. Soc. Opt. Eng. 2004, 5361, 52.
146. Hanke, M.; Eisenschmidt, C.; Werner, P.; Zakharov, N. D.; Syrowatka, F.; Heyroth, F.; Schafer, P.; Konovalov, O. Phys. Rev. B 2007, 75, 161303.
147. Dujardin, R.; Poydenot, V.; Devillers, T.; Favre-Nicolin, V.; Gentile, P.; Barski, A. Appl. Phys. Lett. 2006, 89, 153129.
148. Clark, T. E.; Nimmatoori, P.; Lew, K.-K.; Pan, L.; Redwing, J. M.; Dickey, E. C. Nano Lett. 2008, 8, 1246.
149. Lu, W.; Xiang, J.; Timko, B. P.; Wu, Y.; Lieber, C. M. Proc. Natl. Acad. Sci. 2005, 102, 10046.
150. Goldthorpe, I. A.; Marshall, A. F.; McIntyre, P. C. Nano Lett. 2008, 8, 4081.
151. Colin, J.; Grilhé, J.; Junqua, N. Philos. Mae. A 1997, 76, 793.
152. Gao, H.; Nix, W. D. Annu. Rev. Mater. Sci. 1999, 29, 173.
153. Liang, Y.; Nix, W. D.; Griffin, P. B.; Plummer, J. D. J. Appl. Phys. 2005, 97, 043519.
154. Yang, F.; Song, W. Int. J. Solids Struct. 2006, 43, 6767.
155. Wang, H.; Upmanyu, M.; Ciobanu, C. V. Nano Lett. 2008, 8, 4305.
156. Schmidt, V.; McIntyre, P. C.; Gösele, U. Phys. Rev.B 2008, 77, 235302.
157. Lauhon, L. J.; Gudiksen, M. S.; Wang, D.; Lieber, C. M. Nature 2002, 420, 57.
158. Xiang, J.; Lu, W.; Hu, Y.; Wu, Y.; Yan, H.; Lieber, C. M. Nature 2006, 441, 489.
159. Wu, Y.; Xiang, J.; Yang, C.; Lu, W.; Lieber, C. M. Nature 2004, 430, 61.
160. Maex, K.; van Rossum, M. Properties of metal silicides; INSPEC: London, 1995.
161. Lin, Y.-C.; Lu, K.-C.; Wu, W.-W.; Bai, J.; Chen, L. J.; Tu, K. N.; Huang, Y. Nano Lett. 2008, 8, 913.
162. Weber, W. M.; Geelhaar, L.; Graham, A. P.; Unger, E.; Duesburg, G. S.; Liebau, M.; Pamler, W.; Cheze, C.; Riechert, H.; Lugli, P.; Kreupl, F. Nano Lett. 2006, 6, 2660.
163. Gibbs, J. W. In The Scientific Papers of J. Williard Gibbs, PH.D., LL.D. ; Longmans, Green, and Co.: London, New York, Bombay, 1906; Vol. I. Thermodynamics; Chapter 3, pp 315-318.
164. Shuttleworth, R. Proc. Phys. Soc. A 1950, 63, 444.
165. Cahn, J. W. Acta Met. 1980, 28, 1333.
166. Tanaka, T.; Hara, S. Z. Metallkd. 2001, 92, 467.
167. Dinsdale, A. T. Calphad 1991, 15, 317.
168. Chevalier, P.-Y. Thermochim. Acta 1988, 130, 33.
169. Jacobs, M. H. G.; Spencer, P. J. 1996, 20, 307.
170. CRC Handbook ofchemistry and physics, 80th ed.; CRC Press: Boca Raton, London, New York, Washington, DC, 1999; Chapter 4, pp 37-194.
171. Wittenberg, L. J.; DeWitt, R. J. Chem. Phys. 1972, 56, 4526.
172. Keene, B. J. Int. Mater. Rev. 1993, 38, 157.
173. Tyson, W. R.; Miller, W. A. Surf. Sci. 1977, 62, 267.
174. Gibbs, J. W. In The Scientific Pavers of J. Williard Gibbs, PH.D., LL.D.; Dover Publications: New York, 1961; Vol. I. Thermodynamics; Chapter 3, pp 287-288.
175. Rowlinson, J. S.; Widom, B. In Molecular Theory ofCavillarity; Dover Publications: Mineola, NY, 2002; Chapter 8, p 209.
176. Shchetinin, A. A.; Darinskii, B. M.; Kozenkov, O. D.; Nebol'sin, V. A. Inorg. Mater. 1990, 26, 1157.
177. Wakayama, Y.; Tanaka, S. Surf. Sci. 1999, 420, 190.
178. Givargizov, E. I. Highly Anisotrovic Crystals; Reidel: Dordrecht, 1987.
179. Ressel, B.; Prince, K. C.; Heun, S.; Homma, Y. J. Appl. Phys. 2003, 93, 3886.
180. Satunkin, G. A.; Tatarchenko, V. A. Kristallografiya 1985, 30, 772.
181. Tatarchenko, Y. A. In Shaved Crystal Growth; Kluwer Academic: Dordrecht, 1993; Chapter 1, pp 197-206.
182. Schmidt, V.; Senz, S.; Gösele, U. Appl. Phys. A: Mater. Sci. Process. 2005, 80, 445.
183. Rowlinson, J. S.; B., W. Molecular Theory of Cavillarity; Dover Publications: Mineola, NY, 2002.
184. Chen, P.; Gaydos, J.; Neumann, A. W. Langmuir 1996, 12, 5956.
185. Naidich, Y. V.; Perevertailo, V. M.; Obushchak, L. P. Zh. Fiz. Khim. 1975, 49, 1554.
186. Jaccodine, R. J. J. Electrochem. Soc. 1963, 110, 524.
187. Kikkawa, J.; Ohno, Y.; Takeda, S. Appl. Phys. Lett. 2005, 86, 123109.
188. Schmid, H.; Bjork, M. T.; Knoch, J.; Karg, S.; Riel, H.; Riess, W. Nano Lett. 2009, 9, 173.
189. Schmidt, V.; Senz, S.; Gösele, U. Phys. Rev.B 2007, 75, 045335.
190. Tan, T. Y.; Li, N.; Gösele, U. Appl. Phys. Lett. 2003, 83, 1199.
191. Tan, T. Y.; Li, N.; Gösele, U. Appl. Phys. A: Mater. Sci. Process. 2004, 78, 519.
192. Dhalliun, F.; Desré, P. J.; den Hertog, M. I.; Rouviere, J.; Ferret, P.; Gentile, P.; Baron, T. J. Appl. Phys. 2007, 102, 094906.
193. Sze, S. M. Physics of Semiconductor Devices, 2nd ed.; Wiley: New York, 1981.
194. Fahey, P. M.; Griffin, P. B.; Plummer, J. D. Rev. Mod. Phys. 1989, 61, 289.
195. Peelaers, H.; Partoens, B.; Peeters, F. M. Nano Lett. 2006, 6, 2781.
196. Schmidt, V.; Riel, H.; Senz, S.; Karg, S.; Riess, W.; Gösele, U. Small 2006, 2, 85.
197. Fukata, N.; Chen, J.; Sekiguchi, T.; Okada, N.; Murakami, K.; Tsurui, T.; Ito, S. Appl. Phys. Lett. 2006, 89, 203109.
198. Fukata, N.; Chen, J.; Sekiguchi, T.; Matsushita, S.; Oshima, T.; Uchida, N.; Murakami, K.; Tsurui, T.; Ito, S. Appl. Phys. Lett. 2007, 90, 153117.
199. Gudiksen, M. S.; Lauhon, L. J.; Wang, J.; Smith, D. C.; Lieber, C. M. Nature 2002, 415, 617.
200. Yang, C.; Zhong, Z.; Lieber, C. M. Science 2005, 310, 1304.
201. Lew, K.-K.; Pan, L.; Bogart, T. E.; Dilts, S. M.; Dickey, E. C.; Redwing, J. M.; Wang, Y. F.; Cabassi, M.; Mayer, T. S.; Novak, S. W. Appl. Phys. Lett. 2004, 85, 3101.
202. White, R. T.; Espino-Rios, R. L.; Rodgers, D. S.; Ring, M. A.; O'Neal, H. E. Int. J. Chem. Kinet. 1985, 17, 1029.
203. Jasinski, J. M.; Gates, S. M. Acc. Chem. Res. 1991, 24, 9.
204. Diarra, M.; Niquet, Y. M.; Delerue, C.; Allan, G. Phys. Rev.B 2007, 75, 045301.
205. Niquet, Y. M.; Lherbier, A.; Quang, N. H.; Fenrández-Serre, M. V.; Blase, X.; Delerue, C. Phys. Rev.B 2006, 73, 165319.
206. Diarra, M.; Delerue, C.; Niquet, Y. M.; Allan, G. J. Appl. Phys. 2008, 103, 073703.
207. Björk, M. T.; Schmid, H.; Knoch, J.; Riel, H.; Riess, W. Nat Nanotechnol. 2009, 4, 103.
208. Deal, B. E. IEEE Trans. Electron Devices 1980, ED-27, 606.
209. White, M. H.; Cricchi, J. R. IEEE Trans. Electron Devices 1972, ED-19, 1280.
210. Nishi, Y. Jvn. J. Appl. Phys. 1966, 5, 333.
211. Nishi, Y. Jvn. J. Appl. Phys. 1971, 10, 52.
212. Nishi, Y.; Ohwada, A.; Tanaka, K. Jvn. J. Appl. Phys. 1972, 11, 85.
213. Griscom, D. L. Phys. Rev.B 1980, 22, 4192.
214. Caplan, P. J.; Poindexter, E. H.; Deal, B. E.; Razouk, R. R. J. Appl. Phys. 1979, 50, 5847.
215. Lenahan, P. M.; Dressendorfer, P. V. Appl. Phys. Lett. 1982, 41, 542.
216. Lenahan, P. M.; Dressendorfer, P. V. J. Appl. Phys. 1983, 54, 1457.
217. Lenahan, P. M.; Dressendorfer, P. V. Appl. Phys. Lett. 1984, 44, 96.
218. Kim, Y. Y.; Lenahan, P. M. J. Appl. Phys. 1988, 64, 3551.
219. Johnson, N. M.; Biegelsen, D. K.; Moyer, M. D.; Chang, S. T.; Poindexter, E. H.; Caplan, P. J. Appl. Phys. Lett. 1983, 43, 563.
220. Poindexter, E. H.; Caplan, P. J.; Deal, B. E.; Razouk, R. R. J. Appl. Phys. 1981, 52, 879.
221. Schmidt, V.; Senz, S.; Gösele, U. Appl. Phys. A: Mater. Sci. Process. 2007, 86, 187.
222. Seo, K. I.; Sharma, S.; Yasseri, A. A.; Stewart, D. R.; Kamins, T. I. Electrochem. Solid-State Lett. 2006, 9, G69.
223. Kimukin, I.; Islam, M. S.; Williams, R. S. Nanotechnology 2006, 17, S240.
224. Cui, Y.; Zhong, Z.; Wang, D.; Wang, W. U.; Lieber, C. M. Nano Lett. 2003, 3, 149.
225. Ramayya, E. B.; Vasileska, D.; Goodnick, S. M.; Knezevic, I. J. Appl. Phys. 2008, 104, 063711.
226. Kotlyar, R.; Obradovic, B.; Matagne, P.; Stettler, M.; Giles, M. D. Appl. Phys. Lett. 2004, 84, 5270.
227. Wang, D.; Sheriff, B. A.; Heath, J. R. Nano Lett. 2006, 6, 1096.
228. Gunawan, O.; Sekaric, L.; Majumdar, A.; Rooks, M.; Appenzeller, J.; Sleight, J. W.; Guha, S.; Haensch, W. Nano Lett. 2008, 8, 1566.
229. Ho, T.-T.; Wang, Y.; Eichfeld, S.; Lew, K.-K.; Liu, B.; Mohney, S. E.; Redwing, J. M.; Mayer, T. S. Nano Lett. 2008, 8, 4359.
230. Zheng, G.; Lu, W.; Jin, S.; Lieber, C. M. Adv. Mater. 2004, 16, 1890.
231. Duan, X.; Niu, C.; Sahi, V.; Chen, J.; Parce, J. W.; Empedocles, S.; Goldman, J. L. Nature 2003, 425, 274.
232. Björk, M. T.; Hayden, O.; Schmid, H.; Riel, H.; Riess, W. Appl. Phys. Lett. 2007, 90, 142110.
233. Goldberger, J.; Hochbaum, A. I.; Fan, R.; Yang, P. Nano Lett. 2006, 6, 973.
234. Buin, A. K.; Verma, A.; Svizhenko, A.; Anantram, M. P. Nano Lett. 2008, 8, 760.
235. Tang, Y. H.; Zhang, Y. F.; Wang, N.; Lee, C. S.; Han, X. D.; Bello, I.; Lee, S. T. J. Appl. Phys. 1999, 85, 7981.
236. Björk, M. T.; Knoch, J.; Schmid, H.; Riel, H.; Riess, W. Appl. Phys. Lett. 2008, 92, 193504.