Anomalous and highly efficient InAs nanowire phototransistors based on majority carrier transport at room temperature

Advanced Materials

Volumn 26, Issue 48, 2014, Pages 8203-8209

  Guo, Nan ^a   Hu, Weida ^a   Liao, Lei ^b   Yip, SenPo ^c   Ho, Johnny C ^c   Miao, Jinshui ^a   Zhang, Zhi ^d   Zou, Jin ^d   Jiang, Tao ^e   Wu, Shiwei ^e   Chen, Xiaoshuang ^a   Lu, Wei ^a  

^a SHANGHAI INSTITUTE OF TECHNICAL PHYSICS   (China)

^b WUHAN UNIVERSITY   (China)

^c CITY UNIVERSITY OF HONG KONG   (Hong Kong)

^d UNIVERSITY OF QUEENSLAND   (Australia)

^e FUDAN UNIVERSITY   (China)

Author keywords

InAs nanowires; Majority carrier transport; Photogating effect; Phototransistors

Indexed keywords

CARRIER TRANSPORT; ELECTRIC FIELDS; III-V SEMICONDUCTORS; INDIUM ARSENIDE; NANOWIRES;

BUILT-IN ELECTRIC FIELDS; FAST RESPONSE TIME; INAS NANOWIRES; MAJORITY CARRIERS; OPTICAL ILLUMINATION; PHOTO DETECTION; PHOTOCONDUCTIVE GAINS; PHOTOGATING EFFECT;

PHOTOTRANSISTORS;

EID: 84920196152     PISSN: 09359648     EISSN: 15214095     Source Type: Journal    
DOI: 10.1002/adma.201403664     Document Type: Article

References (42)

1. K. Takei, T. Takahashi, J. C. Ho, H. Ko, A. G. Gillies, P. W. Leu, R. S. Fearing, A. Javey, Nat. Mater. 2010, 9, 821.
2. D. Saxena, S. Mokkapati, P. Parkinson, N. Jiang, Q. Gao, H. H. Tan, C. Jagadish, Nat. Photonics 2013, 7, 963.
3. M. S. Gudiksen, L. J. Lauhon, J. F. Wang, D. C. Smith, C. M. Lieber, Nature 2002, 415, 617.
4. Y. Huang, X. F. Duan, Y. Cui, L. J. Lauhon, K. H. Kim, C. M. Lieber, Science 2001, 294, 1313.
5. J. Wallentin, N. Anttu, D. Asoli, M. Huffman, I. A˚berg, M. H. Magnusson, G. Siefer, P. Fuss-Kailuweit, F. Dimroth, B. Witzigmann, H. Q. Xu, L. Samuelson, K. Deppert, M. T. Borgström, Science 2013, 339, 1057.
6. J. Y. Tang, Z. Y. Huo, S. Brittman, H. W. Gao, P. D. Yang, Nat. Nanotechnol. 2011, 6, 568.
7. S. Ju, A. Facchetti, Y. Xuan, J. Liu, F. Ishikawa, P. D. Ye, C. W. Zhou, T. J. Marks, D. B. Janes, Nat. Nanotechnol. 2007, 2, 378.
8. D. C. Dillen, K. Kim, E. S. Liu, E. Tutuc, Nat. Nanotechnol. 2014, 9, 116.
9. T. Takahashi, K. Takei, E. Adabi, Z. Y. Fan, A. M. Niknejad, A. Javey, ACS Nano 2010, 4, 5855.
10. A. C. Ford, J. C. Ho, Y. L. Chueh, Y. C. Tseng, Z. Y. Fan, J. Guo, J. Bokor, A. Javey, Nano Lett. 2009, 9, 360.
11. N. Han, F. Y. Wang, J. J. Hou, S. P. Yip, H. Lin, F. Xiu, M. Fang, Z. X. Yang, X. L. Shi, G. F. Dong, T. F. Hung, J. C. Ho, Adv. Mater. 2013, 25, 4445.
12. S. A. Dayeh, D. P. R. Aplin, X. T. Zhou, P. K. L. Yu, E. T. Yu, D. L. Wang, Small 2007, 3, 326.
13. H. Kind, H. Q. Yan, B. Messer, M. Law, P. D. Yang, Adv. Mater. 2002, 14, 158.
14. J. J. Wang, F. F. Cao, L. Jiang, Y. G. Guo, W. P. Hu, L. J. Wan, J. Am. Chem. Soc. 2009, 131, 15602.
15. S. C. Kung, W. E. Van der Veer, F. Yang, K. C. Donavan, R. M. Penner, Nano Lett. 2010, 10, 1481.
16. Y. H. Ahn, J. Park, Appl. Phys. Lett. 2007, 91, 162102.
17. Z. Wang, M. Safdar, C. Jiang, J. He, Nano Lett. 2012, 12, 4715.
18. G. Chen, B. Liang, X. Liu, Z. Liu, G. Yu, X. M. Xie, T. Luo, D. Chen, M. Q. Zhu, G. Z. Shen, Z. Y. Fan, ACS Nano 2014, 8, 787.
19. Z. Liu, G. Chen, B. Liang, G. Yu, H. T. Huang, D. Chen, G. Z. Shen, Opt. Express 2013, 21, 7799.
20. P. C. Wu, Y. Dai, Y. Ye, Y. Yin, L. Dai, J. Mater. Chem. 2011, 21, 2563.
21. C. Soci, A. Zhang, B. Xiang, S. A. Dayeh, D. P. R. Aplin, J. Park, X. Y. Bao, Y. H. Lo, D. Wang, Nano Lett. 2007, 7, 1003.
22. J. S. Miao, W. D. Hu, N. Guo, Z. Y. Lu, X. Y. Zou, L. Liao, S. X. Shi, P. P. Chen, Z. Y. Fan, J. C. Ho, T. X. Li, X. S. Chen, W. Lu, ACS Nano 2014, 8, 3628.
23. P. C. Wu, Y. Dai, T. Sun, Y. Ye, H. Meng, X. L. Fang, B. Yu, L. Dai, ACS Appl. Mater. Interfaces 2011, 3, 1859.
24. Q. Hang, F. Wang, P. D. Carpenter, D. Zemlyanov, D. Zakharov, E. A. Stach, W. E. Buhro, D. B. Janes, Nano Lett. 2008, 8, 49.
25. Y. H. Ahn, J. Dunning, J. Park, Nano Lett. 2005, 5, 1367.
26. S. Thunich, L. Prechtel, D. Spirkoska, G. Abstreiter, A. F. Morral, A. W. Holleitner, Appl. Phys. Lett. 2009, 95, 083111.
27. J. Zhou, Y. Gu, Y. Hu, W. Mai, P. H. Yeh, G. Bao, A. K. Sood, D. L. Polla, Z. L. Wang, Appl. Phys. Lett. 2009, 94, 191103.
28. C. H. Lin, T. T. Chen, Y. F. Chen, Opt. Express 2008, 16, 16916.
29. M. W. Chen, C. Y. Chen, D. H. Lien, Y. Ding, J. H. He, Opt. Express 2010, 18, 14836.
30. T. J. Kempa, B. Z. Tian, D. R. Kim, J. S. Hu, X. L. Zheng, C. M. Lieber, Nano Lett. 2008, 8, 3456.
31. M. Heurlin, P. Wickert, S. Fält, M. T. Borgström, K. Deppert, L. Samuelson, M. H. Magnusson, Nano Lett. 2011, 11, 2028.
32. Y. Guo, Y. Zhang, H. Liu, S. W. Lai, Y. Li, Y. Li, W. Hu, S. Wang, C. M. Che, D. Zhu, J. Phys. Chem. Lett. 2010, 1, 327.
33. W. Wei, X. Y. Bao, C. Soci, Y. Ding, Z. L. Wang, D. Wang, Nano Lett. 2009, 9, 2926.
34. S. P. Mondal, S. K. Ray, Appl. Phys. Lett. 2009, 94, 223119.
35. Z. Guo, D. X. Zhao, Y. C. Liu, D. Z. Shen, J. Y. Zhang, B. H. Li, Appl. Phys. Lett. 2008, 93, 163501.
36. H. Zhou, G. Fang, L. Yuan, C. Wang, X. Yang, H. Huang, C. Zhou, X. Zhao, Appl. Phys. Lett. 2009, 94, 013503.
37. G. Konstantatos, M. Badioli, L. Gaudreau, J. Osmond, M. Bernechea, F. P. G. Arquer, F. Gatti, F. H. L. Koppens, Nat. Nanotechnol. 2012, 7, 363.
38. C. H. Liu, Y. C. Chang, T. B. Norris, Z. H. Zhong, Nat. Nanotechnol. 2014, 9, 273.
39. H. J. Joyce, Q. Gao, H. H. Tan, C. Jagadish, Y. Kim, X. Zhang, Y. Guo, J. Zou, Nano Lett. 2007, 7, 921.
40. J. J. Hou, N. Han, F. Wang, F. Xiu, S. P. Yip, A. T. Hui, T. Hung, J. C. Ho, ACS Nano 2012, 6, 3624.
41. W. Choi, M. Y. Cho, A. Konar, J. H. Lee, G. B. Cha, S. C. Hong, S. Kim, J. Kim, D. Jena, J. Joo, S. Kim, Adv. Mater. 2012, 24, 5832.
42. Y. Jiang, W. J. Zhang, J. S. Jie, X. M. Meng, X. Fan, S. T. Lee, Adv. Funct. Mater. 2007, 17, 1795.