Impurity-dependent photoresponse properties in single cdse nanobelt photodetectors

ACS Applied Materials and Interfaces

Volumn 3, Issue 6, 2011, Pages 1859-1864

  Wu, Peicai ^a   Dai, Yu ^a   Sun, Tuo ^a   Ye, Yu ^a   Meng, Hu ^a   Fang, Xiaolong ^a   Yu, Bin ^a   Dai, Lun ^a  

^a PEKING UNIVERSITY   (China)

Author keywords

CdSe; Impurity; Nanobelt; Nanostructure; Photodetector; Photoresponse

Indexed keywords

CDSE; HIGH-GAIN; PHOTORESPONSES; SCHOTTKY CONTACTS; SEMICONDUCTOR NANOMATERIALS; SEMICONDUCTOR NANOSTRUCTURES; SIZE-DEPENDENT EFFECT;

CADMIUM COMPOUNDS; LIGHT SENSITIVE MATERIALS; NANOBELTS; OPTOELECTRONIC DEVICES; PHOTODETECTORS; PHOTOSENSITIVITY;

CADMIUM ALLOYS;

NANOMATERIAL; SULFIDE; ZINC DERIVATIVE; ZINC SULFIDE;

ARTICLE; CHEMISTRY; METHODOLOGY; NANOTECHNOLOGY; PHOTOCHEMISTRY; SEMICONDUCTOR; TRANSMISSION ELECTRON MICROSCOPY; ULTRASTRUCTURE;

MICROSCOPY, ELECTRON, TRANSMISSION; NANOSTRUCTURES; NANOTECHNOLOGY; PHOTOCHEMISTRY; SEMICONDUCTORS; SULFIDES; ZINC COMPOUNDS;

EID: 80054785408     PISSN: 19448244     EISSN: 19448252     Source Type: Journal    
DOI: 10.1021/am200043c     Document Type: Article

References (36)

1. Wang, J.; Gudiksen, M. S.; Duan, X.; Cui, Y.; Lieber, C. M. Science 2001, 293, 1455-1457.
2. Kind, H.; Yan, H.; Messer, B.; Law, M.; Yang, P. Adv. Mater. 2002, 14, 158-160.
3. Freitag, M; Martin, Y.; Misewich, J. A.; Martel, R.; Avouris, Ph. Nano Lett. 2003, 3, 1067-1071.
4. Calarco, R.; Marso, M.; Richter, T.; Aykanat, A. I.; Meijers, R.; Hart, A. v.d.; Stoica, T.; Lüth, H. Nano Lett. 2005, 5, 981-984.
5. Hayden, O.; Agarwal, R.; Lieber, C. M. Nat. Mater. 2006, 5, 352-356.
6. Jie, J. S.; Zhang, W. J.; Jiang, Y.; Meng, X. M.; Li, Y. Q.; Lee, S. T. Nano Lett. 2006, 6, 1887-1892.
7. Soci, C.; Zhang, A.; Xiang, B.; Dayeh, S. A.; Aplin, D. P. R.; Park, J.; Bao, X. Y.; Lo, Y. H.; Wang, D. Nano Lett. 2007, 7, 1003-1009.
8. Fan, Z.; Ho, J. C.; Jacobson, Z. A.; Razavi, H.; Javey, A. Proc. Natl. Acad. Sci. U.S.A. 2008, 105, 11066-11070.
9. Yang, Q.; Guo, X.; Wang, W.; Zhang, Y.; Xu, S.; Lien, D. H.; Wang, Z. L. ACS Nano 2010, 4, 285-6291.
10. Neamen, D. A. An Introduction to Semiconductor Devices: McGraw-Hill: New York, 2006, pp 605-608.
11. Zhou, J.; Gu, Y.; Hu, Y.; Mai, W.; Yeh, P. H.; Bao, G.; Sood, A. K.; Polla, D. L.; Wang, Z. L. Appl. Phys. Lett. 2009, 94, 191103.
12. Wei, T. Y.; Huang, C. T.; Hansen, B. J.; Lin, Y. F.; Chen, L. J.; Lu, S. Y.; Wang, Z. L. Appl. Phys. Lett. 2010, 96, 013508.
13. Law, J. B. K.; Thong, J. T. L. Appl. Phys. Lett. 2006, 88, 133114.
14. Yang, C.; Barrelet, C. J.; Capasso, F.; Lieber, C. M. Nano Lett. 2006, 6, 2929-2934.
15. Jiang, Y.; Zhang, W. J.; Jie, J. S.; Meng, X. M.; Fan, X.; Lee, S. T. Adv. Funct. Mater. 2007, 17, 1795-1800.
16. Lin, C. H.; Chen, T. T.; Chen, Y. F. Opt. Express 2008, 16, 16916-16922.
17. Zhai, T.; Fang, X.; Liao, M.; Xu, X.; Zeng, H.; Bando, Y.; Golberg, D. Sensors 2009, 9, 6504-6529.
18. Thunich, S.; Prechtel, L.; Spirkoska, D.; Abstreiter, G.; Morral, A. F. i; Holleitner, A. W. Appl. Phys. Lett. 2009, 95, 083111.
19. Sahoo, S.; Husale, S.; Colwill, B.; Lu, T. M.; Nayak, S.; Ajayan, P. M. ACS Nano 2009, 3, 3935-3944.
20. Zhai, T.; Ye, M.; Li, L.; Fang, X.; Liao, M.; Li, Y.; Koide, Y.; Bando, Y.; Golberg, D. Adv. Mater. 2010, 22, 4530-4533.
21. Huang, K.; Zhang, Q.; Yang, F.; He, D. Nano Res. 2010, 3, 281-287.
22. Zhai, T.; Li., L.; Wang, X.; Fang, X.; Bando, Y.; Golberg, D. Adv. Funct. Mater. 2010, 20, 4233-4248.
23. Yoon, Y. J.; Park, K. S.; Heo, J. H.; Park, J. G.; Nahm, S.; Choi, K. J. J. Mater. Chem. 2010, 20, 2386-2390.
24. Zhai, T.; Ma, Y.; Li, L.; Fang, X.; Liao, M.; Koide, Y.; Yao, J.; Bando, Y.; Golberg, D. J. Mater. Chem. 2010, 20, 6630-6637.
25. Wu, P. C.; Dai, Y.; Ye, Y.; Yin, Y.; Dai, L. J. Mater. Chem. 2011, 21, 2563-2567.
26. Zhai, T.; Fang, X.; Liao, M.; Xu, X.; Li, L.; Liu, B.; Koide, Y.; Ma, Y.; Yao, J.; Bando, Y.; Golberg, D. ACS Nano 2010, 4, 1596-1602.
27. Yan, C.; Singh, N.; Cai, H.; Gan, C. L.; Lee, P. S. ACS Appl. Mater. Interfaces 2010, 7, 1794-1797.
28. Rigutti, L.; Tchernycheva, M.; De Luna Bugallo, A.; Jacopin, G.; Julien, F. H.; Zagonel, L. F.; March, K.; Stephan, O.; Kociak, M.; Songmuang, R. Nano Lett. 2010, 10, 2939-2943.
29. Gu, Y.; Kwak, E.-S.; Lensch, J. L.; Allen, J. E.; Odom, T. W.; Lauhon, L. J. Appl. Phys. Lett. 2005, 87, 043111.
30. Chen, M. W.; Chen, C. Y.; Lien, D. H.; Ding, Y.; He, J. H. Opt. Express 2010, 18, 4836-14841.
31. Kung, S. C.; Van der Veer, W. E.; Yang, F.; Donavan, K. C.; Penner, R. M. Nano Lett. 2010, 10, 1481-1485.
32. Liu, C.; Wu, P. C.; Sun, T.; Dai, L.; Ye, Y.; Ma, R. M.; Qin, G. G. J. Phys. Chem. C 2009, 113, 14478-14481.
33. Kim, C. J.; Lee, H. S.; Cho, Y. J.; Kang, K.; Jo, M. H. Nano Lett. 2010, 10, 2043-2048.
34. Liu, Y.; Zhou, X.; Hou, D.; Wu, H. J. Mater. Sci. 2006, 41, 6492-6496.
35. Li, L.; Wu, P. C.; Fang, S. H.; Zhai, T. Y.; Dai, L.; Liao, M. Y.; Koide, Y.; Wang, H. Q.; Bando, Y.; Golberg, D. Adv. Mater. 2010, 22, 3161-3165.
36. Ye, Y.; Dai, L.; Wen, X.; Wu, P. C.; Pen, R. M.; Qin, G. G. ACS Appl. Mater. Interfaces 2010, 2, 2724-2727.