Boron nitride film as a buffer layer in deposition of dielectrics on graphene

Small

Volumn 10, Issue 11, 2014, Pages 2293-2299

  Han, Qi ^a,b   Yan, Baoming ^a,b   Gao, Teng ^c   Meng, Jie ^a,b   Zhang, Yanfeng ^c   Liu, Zhongfan ^c   Wu, Xiaosong ^a,b   Yu, Dapeng ^a,b  

^a PEKING UNIVERSITY   (China)

^b Collaborative Innovation Center of Quantum Matter ^*  (China)

^c PEKING UNIVERSITY   (China)

Author keywords

boron nitride; buffer layer; damage; dielectrics; graphene

Indexed keywords

ATOMIC LAYER DEPOSITION; BORON NITRIDE; BUFFER LAYERS; CHARGE TRAPPING; DEPOSITION; DIELECTRIC MATERIALS; ELECTRONIC PROPERTIES; MAGNETRON SPUTTERING; MULTILAYERS; SEMICONDUCTOR DOPING;

BORON NITRIDE FILMS; DAMAGE; DEPOSITION METHODS; DIELECTRIC DEPOSITION; ENVIRONMENTAL INFLUENCES; HEXAGONAL BORON NITRIDE FILMS; MAGNETRON-SPUTTERING DEPOSITION; TWO-DIMENSIONAL MATERIALS;

GRAPHENE;

EID: 84901830250     PISSN: 16136810     EISSN: 16136829     Source Type: Journal    
DOI: 10.1002/smll.201303697     Document Type: Article

References (45)

1. K. S. Novoselov, A. K. Geim, S. V. Morozov, D. Jiang, Y. Zhang, S. V. Dubonos, I. V. Grigorieva, A. A. Firsov, Science 2004, 306 (5696), 666-669.
2. P. Blake, E. W. Hill, A. H. Castro Neto, K. S. Novoselov, D. Jiang, R. Yang, T. J. Booth, A. K. Geim, Appl. Phys. Lett. 2007, 91 (6), 063124.
3. J.-H. Chen, C. Jang, S. Xiao, M. Ishigami, M. S. Fuhrer, Nat. Nanotechnol. 2008, 3 (4), 206-209.
4. S. V. Morozov, K. S. Novoselov, M. I. Katsnelson, F. Schedin, D. C. Elias, J. A. Jaszczak, [A] K. Geim, Phys. Rev. Lett. 2008, 100 (1), 016602.
5. S. Fratini, F. Guinea, Phys. Rev. B 2008, 77 (19), 195415.
6. J. Martin, N. Akerman, G. Ulbricht, T. Lohmann, J. H. Smet, K. von Klitzing, A. Yacoby, Nat. Phys. 2008, 4 (2), 144-148.
7. A. F. Young, P. Kim, Nat Phys 2009, 5 (3), 222-226.
8. N. Stander, B. Huard, D. Goldhaber-Gordon, Phys. Rev. Lett. 2009, 102 (2), 026807.
9. Y. Zhang, T.-T. Tang, C. Girit, Z. Hao, M. C. Martin, A. Zettl, M. F. Crommie, Y. R. Shen, F. Wang, Nature 2009, 459 (7248), 820-823.
10. C. R. Dean, A. F. Young, I. Meric, C. Lee, L. Wang, S. Sorgenfrei, K. Watanabe, T. Taniguchi, P. Kim, K. L. Shepard, J. Hone, Nat. Nanotechnol. 2010, 5 (10), 722-726.
11. R. g. Decker, Y. Wang, V. W. Brar, W. Regan, H.-Z. Tsai, Q. Wu, W. Gannett, A. Zettl, M. F. Crommie, Nano Lett. 2011, 11 (6), 2291-2295.
12. B. Hunt, J. D. Sanchez-Yamagishi, A. F. Young, M. Yankowitz, B. J. LeRoy, K. Watanabe, T. Taniguchi, P. Moon, M. Koshino, P. Jarillo-Herrero, R. C. Ashoori, Science 2013, 340 (6139), 1427-1430.
13. L. Britnell, R. V. Gorbachev, R. Jalil, B. D. Belle, F. Schedin, A. Mishchenko, T. Georgiou, M. I. Katsnelson, L. Eaves, S. V. Morozov, N. M. R. Peres, J. Leist, A. K. Geim, K. S. Novoselov, L. A. Ponomarenko, Science 2012, 335 (6071), 947-950.
14. A. S. Mayorov, R. V. Gorbachev, S. V. Morozov, L. Britnell, R. Jalil, L. A. Ponomarenko, P. Blake, K. S. Novoselov, K. Watanabe, T. Taniguchi, A. K. Geim, Nano Lett. 2011, 11 (6), 2396-2399.
15. L. Liao, X. Duan, Mater. Sci. Eng. R 2010, 70 (3-6), 354-370.
16. G. Liu, J. Velasco, W. Bao, C. N. Lau, Appl. Phys. Lett. 2008, 92 (20), 203103.
17. M. T. Allen, J. Martin, A. Yacoby, Nat Commun 2012, 3, 934.
18. R. T. Weitz, M. T. Allen, B. E. Feldman, J. Martin, A. Yacoby, Science 2010, 330 (6005), 812-816.
19. B. Huard, J. A. Sulpizio, N. Stander, K. Todd, B. Yang, D. Goldhaber-Gordon, Phys. Rev. Lett. 2007, 98 (23), 236803.
20. B. Dlubak, P. Seneor, A. Anane, C. Barraud, C. Deranlot, D. Deneuve, B. Servet, R. Mattana, F. Petroff, A. Fert, Appl. Phys. Lett. 2010, 97 (9), 092502.
21. X. Wang, S. M. Tabakman, H. Dai, J. Am. Chem. Soc. 2008, 130 (26), 8152-8153.
22. Y. Xuan, Y. Q. Wu, T. Shen, M. Qi, M. A. Capano, J. A. Cooper, P. D. Ye, Appl. Phys. Lett. 2008, 92 (1), 013101.
23. B. Lee, G. Mordi, M. J. Kim, Y. J. Chabal, E. M. Vogel, R. M. Wallace, K. J. Cho, L. Colombo, J. Kim, Appl. Phys. Lett. 2010, 97 (4), 043107.
24. S. Jandhyala, G. Mordi, B. Lee, G. Lee, C. Floresca, P.-R. Cha, J. Ahn, R. M. Wallace, Y. J. Chabal, M. J. Kim, L. Colombo, K. Cho, J. Kim, ACS Nano 2012, 6 (3), 2722-2730.
25. J. R. Williams, L. DiCarlo, C. M. Marcus, Science 2007, 317 (5838), 638-641.
26. T. S. Sreeprasad, V. Berry, Small 2013, 9 (3), 341-350.
27. A. C. Ferrari, Solid State Commun. 2007, 143 (1-2), 47-57.
28. F. Tuinstra, J. Chem. Phys. 1970, 53 (3), 1126.
29. A. Jorio, M. S. Dresselhaus, R. Saito, G. Dresselhaus, Raman spectroscopy in graphene related systems, Wiley-VCH, Weinheim, Germany 2011.
30. A. Das, S. Pisana, B. Chakraborty, S. Piscanec, S. K. Saha, U. V. Waghmare, K. S. Novoselov, H. R. Krishnamurthy, A. K. Geim, A. C. Ferrari, A. K. Sood, Nat. Nanotechnol. 2008, 3 (4), 210-215.
31. C. Casiraghi, S. Pisana, K. S. Novoselov, A. K. Geim, A. C. Ferrari, Appl. Phys. Lett. 2007, 91 (23), 233108.
32. S. Pisana, M. Lazzeri, C. Casiraghi, K. S. Novoselov, A. K. Geim, A. C. Ferrari, F. Mauri, Nat. Mater. 2007, 6 (3), 198-201.
33. A. C. Ferrari, D. M. Basko, Nat. Nanotechnol. 2013, 8 (4), 235-246.
34. S. Ryu, M. Y. Han, J. Maultzsch, T. F. Heinz, P. Kim, M. L. Steigerwald, L. E. Brus, Nano Lett. 2008, 8 (12), 4597-4602.
35. M. Jaiswal, C. H. Yi Xuan Lim, Q. Bao, C. T. Toh, K. P. Loh, B. Özyilmaz, ACS Nano 2011, 5 (2), 888-896.
36. P. L. King, L. Pan, P. Pianetta, A. Shimkunas, P. Mauger, D. Seligson, J. Vac. Sci. Technolol., B 1988, 6 (1), 162-166.
37. W. A. Johnson, R. A. Levy, D. J. Resnick, T. E. Saunders, A. W. Yanof, H. Betz, H. Huber, H. Oertel, J. Vac. Sci. Technolol, B 1987, 5 (1), 257-261.
38. V. Carozo, C. M. Almeida, E. H. M. Ferreira, L. G. Cançado, C. A. Achete, A. Jorio, Nano Lett. 2011, 11 (11), 4527-4534.
39. T. O. Wehling, M. I. Katsnelson, A. I. Lichtenstein, Chem. Phys. Lett. 2009, 476 (4-6), 125-134.
40. T. O. Wehling, A. I. Lichtenstein, M. I. Katsnelson, Appl. Phys. Lett. 2008, 93 (20), 202110.
41. M. Lee, J. Choi, J.-S. Kim, I.-S. Byun, D. Lee, S. Ryu, C. Lee, B. Park, Nano Res. 2012, 5 (10), 710-717.
42. H. Liu, K. Xu, X. Zhang, P. D. Ye, Appl. Phys. Lett. 2012, 100 (15), 152115.
43. C. T. Chen, E. A. Casu, M. Gajek, S. Raoux, Appl. Phys. Lett. 2013, 103 (3), 033109.
44. K. K. Kim, A. Hsu, X. Jia, S. M. Kim, Y. Shi, M. Hofmann, D. Nezich, J. F. Rodriguez-Nieva, M. Dresselhaus, T. Palacios, J. Kong, Nano Lett. 2011, 12 (1), 161-166.
45. Y. Q. Bie, Y. B. Zhou, Z. M. Liao, K. Yan, S. Liu, Q. Zhao, S. Kumar, H. C. Wu, G. S. Duesberg, G. L. Cross, J. Xu, H. Peng, Z. Liu, D. P. Yu, Adv. Mater. 2011, 23 (34), 3938-3943.