GaAs/AlGaAs nanowire photodetector

Nano Letters

Volumn 14, Issue 5, 2014, Pages 2688-2693

  Dai, Xing ^a   Zhang, Sen ^a,b,c   Wang, Zilong ^a,d   Adamo, Giorgio ^d   Liu, Hai ^e   Huang, Yizhong ^e   Couteau, Christophe ^b,d,f   Soci, Cesare ^a,b,d  

^a NANYANG TECHNOLOGICAL UNIVERSITY   (Singapore)

^b RESEARCH TECHNO PLAZA   (Singapore)

^c Tang Consulting Inc   (China)

^d NANYANG TECHNOLOGICAL UNIVERSITY   (Singapore)

^e NANYANG TECHNOLOGICAL UNIVERSITY   (Singapore)

^f UNIVERSITÉ DE TECHNOLOGIE DE TROYES   (France)

Author keywords

III V nanowires; nanowire photodetector; optical confinement; transport in nanowire heterostructures

Indexed keywords

ELECTRIC FIELDS; HETEROJUNCTIONS; PHOTODETECTORS; PHOTONS;

BUILT-IN ELECTRIC FIELDS; METAL SEMICONDUCTOR METAL; NANOWIRE HETEROSTRUCTURES; NEAR INFRARED REGION; OPTICAL CONFINEMENT; PHOTOCONDUCTIVE RESPONSE; PHOTOCURRENT DENSITY; PHOTOGENERATED CHARGE;

NANOWIRES;

EID: 84900474962     PISSN: 15306984     EISSN: 15306992     Source Type: Journal    
DOI: 10.1021/nl5006004     Document Type: Article

References (39)

1. Soci, C.; Zhang, A.; Bao, X. Y.; Kim, H.; Lo, Y.; Wang, D. L. J. Nanosci. Nanotechnol. 2010, 10, 1430-1449
2. Gallo, E. M.; Chen, G.; Currie, M.; McGuckin, T.; Prete, P.; Lovergine, N.; Nabet, B.; Spanier, J. E. Appl. Phys. Lett. 2011, 98, 241113
3. Holm, J. V.; Jorgensen, H. I.; Krogstrup, P.; Nygard, J.; Liu, H.; Aagesen, M. Nat. Commun. 2013, 4, 1498
4. Krogstrup, P.; Jørgensen, H. I.; Heiss, M.; Demichel, O.; Holm, J. V.; Aagesen, M.; Nygard, J.; Morral, A. F. i. Nat. Photonics 2013, 7, 306-310
5. Colombo, C.; Heibeta, M.; Gratzel, M.; Fontcuberta i Morral, A. Appl. Phys. Lett. 2009, 94, 173108
6. Kind, H.; Yan, H.; Messer, B.; Law, M.; Yang, P. Adv. Mater. 2002, 14, 158-160
7. Piccione, B.; Cho, C.-H.; Vugt, L. K. v.; Agarwal, R. Nat. Nanotechnol. 2012, 7, 640-645
8. Brubaker, M. D.; Blanchard, P. T.; Schlager, J. B.; Sanders, A. W.; Roshko, A.; Duff, S. M.; Gray, J. M.; Bright, V. M.; Sanford, N. A.; Bertness, K. A. Nano Lett. 2013, 13, 374-377
9. Barrelet, C. J.; Greytak, A. B.; Lieber, C. M. Nano Lett. 2004, 4, 1981-1985
10. Joyce, H. J.; Gao, Q.; Hoe Tan, H.; Jagadish, C.; Kim, Y.; Zou, J.; Smith, L. M.; Jackson, H. E.; Yarrison-Rice, J. M.; Parkinson, P.; Johnston, M. B. Prog. Quantum Electron. 2011, 35, 23-75
11. Logeeswaran, V. J.; Oh, J.; Nayak, A. P.; Katzenmeyer, A. M.; Gilchrist, K. H.; Grego, S.; Kobayashi, N. P.; Wang, S.-Y.; Talin, A. A.; Dhar, N. K.; Islam, M. S. IEEE J. Sel. Top. Quantum Electron. 2011, 17, 1002-1032
12. Wilhelm, C.; Larrue, A.; Dai, X.; Migas, D.; Soci, C. Nanoscale 2012, 4, 1446-1454
13. Chen, R.; Tran, T.-T. D.; Ng, K. W.; Ko, W. S.; Chuang, L. C.; Sedgwick, F. G.; Chang-Hasnain, C. Nat. Photonics 2011, 5, 170-175
14. Tomioka, K.; Yoshimura, M.; Fukui, T. Nature 2012, 488, 189-92
15. Ramdani, M. R.; Gil, E.; Leroux, C.; André, Y.; Trassoudaine, A.; Castelluci, D.; Bideux, L.; Monier, G.; Robert-Goumet, C.; Kupka, R. Nano Lett. 2010, 10, 1836-1841
16. Jiang, X.; Xiong, Q.; Nam, S.; Qian, F.; Li, Y.; Lieber, C. M. Nano Lett. 2007, 7, 3214-3218
17. Dayeh, S. A.; Soci, C.; Bao, X.-Y.; Wang, D. Nano Today 2009, 4, 347-358
18. Demichel, O.; Heiss, M.; Bleuse, J.; Mariette, H.; Fontcuberta i Morral, A. Appl. Phys. Lett. 2010, 97, 201907
19. Yong, C. K.; Noori, K.; Gao, Q.; Joyce, H. J.; Tan, H. H.; Jagadish, C.; Giustino, F.; Johnston, M. B.; Herz, L. M. Nano Lett. 2012, 12, 6293-6301
20. Saxena, D.; Mokkapati, S.; Parkinson, P.; Jiang, N.; Gao, Q.; Tan, H. H.; Jagadish, C. Nat. Photonics 2013, 7, 963-968
21. Mariani, G.; Scofield, A. C.; Hung, C.-H.; Huffaker, D. L. Nat. Commun. 2013, 4, 1497
22. Sze, S. M.; Coleman, D. J., Jr.; Loya, A. Solid-State Electron. 1971, 14, 1209-1218
23. Soole, J. B. D.; Schumacher, H. IEEE J. Quantum Electron. 1991, 27, 737-752
24. Wang, H. Appl. Phys. Lett. 2013, 103, 093101
25. Gu, Y.; Kwak, E.-S.; Lensch, J. L.; Allen, J. E.; Odom, T. W.; Lauhon, L. J. Appl. Phys. Lett. 2005, 87, 043111
26. Nabet, B.; Cola, A.; Cataldo, A.; Chen, X.; Quaranta, F. IEEE Trans. Microwave Theory Techn. 2003, 51, 2063-2072
27. Zhang, Z.; Lu, Z.-Y.; Chen, P.-P.; Xu, H.-Y.; Guo, Y.-N.; Liao, Z.-M.; Shi, S.-X.; Lu, W.; Zou, J. Appl. Phys. Lett. 2013, 103, 073109
28. Spicer, W. E.; Lindau, I.; Skeath, P.; Su, C. Y. J. Vac. Sci. Technol. 1980, 17, 1019-1027
29. Calarco, R.; Marso, M.; Richter, T.; Aykanat, A. I.; Meijers, R.; v.d. Hart, A.; Stoica, T.; Lüth, H. Nano Lett. 2005, 5, 981-984
30. Wang, L.; Asbeck, P. Sixth IEEE Conf. Nanotechnol. 2006, 2, 716-719
31. Bercu, B.; Geng, W.; Simonetti, O.; Kostcheev, S.; Sartel, C.; Sallet, V.; Lérondel, G.; Molinari, M.; Giraudet, L.; Couteau, C. Nanotechnology 2013, 24, 415202
32. Dhaka, V.; Haggren, T.; Jussila, H.; Jiang, H.; Kauppinen, E.; Huhtio, T.; Sopanen, M.; Lipsanen, H. Nano Lett. 2012, 12, 1912-1918
33. Dhaka, V.; Oksanen, J.; Jiang, H.; Haggren, T.; Nykänen, A.; Sanatinia, R.; Kakko, J.-P.; Huhtio, T.; Mattila, M.; Ruokolainen, J.; Anand, S.; Kauppinen, E.; Lipsanen, H. Nano Lett. 2013, 13, 3581-3588
34. Kim, D. C.; Ahtapodov, L.; Boe, A. B.; Choi, J. W.; Ji, H.; Kim, G. T.; Moses, A. F.; Dheeraj, D. L.; Fimland, B. O.; Weman, H. AIP Conf. Proc. 2011, 1399, 429-430
35. For instance, common GaAs biased photodetector (400-900 nm) has responsivity of 0.45 A/W at 850 nm. http://search.newport.com/?q=*&x2= sku&q2=818-BB-45.
36. Constant, M.; Le Febvre, O.; Boussekey, L.; Decoster, D.; Vilcot, J. P. Electron. Lett. 1988, 24, 1019-1021
37. Kempa, T. J.; Cahoon, J. F.; Kim, S.-K.; Day, R. W.; Bell, D. C.; Park, H.-G.; Lieber, C. M. Proc. Natl. Acad. Sci. U.S.A. 2012, 109, 1409-1412
38. Hua, B.; Motohisa, J.; Kobayashi, Y.; Hara, S.; Fukui, T. Nano Lett. 2008, 9, 112-116
39. Mayer, B.; Rudolph, D.; Schnell, J.; Morkötter, S.; Winnerl, J.; Treu, J.; Müller, K.; Bracher, G.; Abstreiter, G.; Koblmüller, G.; Finley, J. J. Nat. Commun. 2013, 4, 2931