Aluminum-induced photoluminescence red shifts in core-shell GaAs/Al xGa1-xAs nanowires

Nano Letters

Volumn 13, Issue 8, 2013, Pages 3581-3588

  Dhaka, Veer ^a   Oksanen, Jani ^a   Jiang, Hua ^a   Haggren, Tuomas ^a   Nykänen, Antti ^a   Sanatinia, Reza ^b   Kakko, Joona Pekko ^a   Huhtio, Teppo ^a   Mattila, Marco ^a   Ruokolainen, Janne ^a   Anand, Srinivasan ^b   Kauppinen, Esko ^a   Lipsanen, Harri ^a  

^a AALTO UNIVERSITY   (Finland)

^b ROYAL INSTITUTE OF TECHNOLOGY   (Sweden)

Author keywords

Al segregation; core shell nanowires; GaAs AlGaAs; MOCVD; MOVPE; TRPL

Indexed keywords

CARRIER CONFINEMENTS; CORE-SHELL NANOWIRES; CROSS SECTIONAL TRANSMISSION ELECTRON MICROSCOPY; ELECTRON-HOLE TRANSITIONS; GAAS/ALGAAS; METAL-ORGANIC VAPOR PHASE EPITAXY; TIME-RESOLVED PL MEASUREMENT; TRPL;

COMPUTER SIMULATION; DOPPLER EFFECT; GALLIUM ARSENIDE; METALLORGANIC CHEMICAL VAPOR DEPOSITION; METALLORGANIC VAPOR PHASE EPITAXY; NANOWIRES; PASSIVATION; PHOTOLUMINESCENCE; SEMICONDUCTING GALLIUM; SHELLS (STRUCTURES); TRANSMISSION ELECTRON MICROSCOPY;

ALUMINUM;

EID: 84881584613     PISSN: 15306984     EISSN: 15306992     Source Type: Journal    
DOI: 10.1021/nl4012613     Document Type: Article

References (28)

1. Wallentin, J.; Antuu, N.; Asoli, D.; Huffman, M.; Åberg, I.; Magnusson, M. H.; Siefer, G.; Fuss-Kailuweit, P.; Dimorth, F.; Witzigmann, B.; Xu, H. Q.; Samuelson, L.; Deppert, K.; Borgström, M. T. Science 2013, 339, 1057-1060
2. Huang, M. H.; Mao, S.; Feick, H.; Yan, H.; Wu, Y.; Kind, H.; Weber, E.; Russo, R.; Yang, P. Science 2001, 292, 1897-1899
3. Duan, X. F.; Huang, Y.; Agarwal, R.; Lieber, C. M. Nature 2003, 421, 241-245
4. Wang, J.; Gudiksen, M. S.; Duan, X.; Cui, Y.; Lieber, C. M. Science 2001, 293, 1455-1457
5. Thelander, C.; Fröberg, L. E.; Rehnstedt, C.; Samuelson, L.; Wernersson, L. E. IEEE Electron Device Lett. 2008, 29, 206-208
6. Chang, C. C.; Chi, C.-Y.; Yao, M.; Huang, N.; Chen, C.-C.; Theiss, J.; Bushmaker, A. W.; LaLumondiere, S.; Yeh, T.-W.; Povinelli, M. L.; Zhou, C.; Dapkus, P. D.; Cronin, S. B. Nano Lett. 2012, 12, 4484-4489
7. Demichel, O.; Heiss, M.; Bleuse, J.; Mariette, H.; i Morral, A. F. Appl. Phys. Lett. 2010, 97, 201907
8. Parkinson, P.; Lloyd-Hughes, J.; Gao, Q.; Tan, H. H.; Jagadish, C.; Johnston, M. B.; Herz, L. M. Nano Lett. 2007, 7, 2162
9. Schricker, A. D.; Davidson, F. M.; Wiacek, R. J.; Korgel, B. A. Nanotechnology 2006, 17 (10) 2681-2688
10. Katzenmeyer, A. M.; Léonard, F.; Talin, A. A.; Wong, P.-S.; Huffaker, D. L. Nano Lett. 2010, 10, 4935
11. Yuan, Y. R.; Pudensi, M. A. A.; Vawter, G. A.; Merz, J. L. J. Appl. Phys. 1985, 58, 397
12. Dhaka, V.; Haggren, T.; Jussila, H.; Jiang, H.; Kauppinen, E.; Huhtio, T.; Sopanen, M.; Lipsanen, H. Nano Lett. 2012, 12, 1912-1918
13. Zhou, H. L.; Hoang, T. B.; Dheeraj, D. L.; Helvoort, A. T. J.; Liu, L.; Harmand, J. C.; Fimland, B. O.; Weman, H. Nanotechnology 2009, 20, 415701
14. Chen, C.; Shehata, S.; Fradin, C.; laPierre, R.; Couteau, C.; Weihs, G. Nano Lett. 2007, 7, 2584
15. Sköld, N.; Wagner, J. B.; Karlsson, G.; Hernàn, T.; Seifert, W.; Pistol, M.-E.; Samuelson, L. Nano Lett. 2006, 6, 2743-7
16. Zheng, C.; Wong-Leung, J.; Gao, Q.; Tan, H. H.; Jagadish, C.; Etheridge, J. Nano Lett. 2013, 10.1021/nl401680k
17. 'Regan, D. D.; Luo, J. W.; Ketterer, B.; Conesa-Boj, S.; Kuhlmann, A. V.; Houel, J.; Russo-Averchi, E.; Morante, J. R.; Cantoni, M.; Marzari, N.; Arbiol, J.; Zunger, A.; Warburton, R. J.; Fontcuberta I Morral, A. Nat. Mater. 2013, 12 (5) 439-444
18. Rudolph, D.; Funk, S.; Doblinger, M.; Morkotter, S.; Hertenberger, S.; Schweickert, L.; Becker, J.; Matich, S.; Bichler, M.; Spirkoska, D.; Zardo, I.; Finley, J. J.; Abstreiter, G.; Koblmuller, G. Nano Lett. 2013, 13 (4) 1522-1527
19. Heiss, M. Phys. Rev. B 2011, 83, 045303
20. Hocevar, M.; Giang, L. T. T.; Songmuang, R.; Hertog, M. D.; Besombes, L.; Bleuse, J.; Niquet, Y.-M.; Pelekanos, N. T. Appl. Phys. Lett. 2013, 102, 191103
21. Zhang, G. Q.; Tateno, K.; Sanad, H.; Tawara, T.; Gotoh, H.; Nakano, H. Appl. Phys. Lett. 2009, 95, 123104
22. Joyce, H. J.; Gao, Q.; Tan, H. H.; Jagadish, C.; Kim, Y.; Fickenscher, M. A.; Perera, S.; Hoang, T. B.; Smith, L. M.; Jackson, H. E.; Yarrison-Rice, J. M.; Zhang, X.; Zou, J. Nano Lett. 2009, 9, 695
23. Kang, J.-H.; Gao, Q.; Jouce, H. J.; Tan, H. H.; Jagadish, C.; Guo, Y. K. Y.; Xu, H.; Zou, J.; Fickenscher, M. A.; Smith, L. M.; Jackson, H. E.; Yarrison-rice, J. M. Cryst. Growth Des. 2011, 11, 3109
24. van Weert, M. H. M.; Wunnicke, O.; Roest, A. L.; Eijkemans, T. J.; Silov, A. Y.; Haverkort, J. E. M.; Hooft, G. W. 't.; Bakkers, E. P. A. M. Appl. Phys. Lett. 2006, 88, 043109
25. Mattila, M.; Hakkrainen, T.; Lipsanen, H.; Jiang, H.; Kauppinen, E. I. Appl. Phys. Lett. 2007, 90, 033101
26. Pierret, R. F. Semiconductor Device Fundamentals, 2 nd ed.; Addison-Wesley: Reading, MA, 1996.
27. Kivisaari, P.; Oksanen, J.; Tulkki, J. J. Appl. Phys. 2012, 111 (10) 103120
28. Levinshtein, M.; Rumyantsev, S.; Shur, M. Handbook Series on Semiconductor Parameters; World Scientific Publishing Company: Singapore, 1999; Vol. 2.