Effects of sputtered buffer layer on the characteristics of ZnO:Al films grown on glass substrates using high-temperature H2O generated by a catalytic reaction

Japanese Journal of Applied Physics

Volumn 53, Issue 2 PART 2, 2014, Pages

  Nishiyama, Tomoya ^a   Takezawa, Kazuki ^a   Nakazawa, Yuta ^a   Oyanagi, Takahiro ^a   Kato, Takahiro ^a   Oishi, Koichiro ^b   Nakamura, Susumu ^b   Yasui, Kanji ^a  

^a NAGAOKA UNIVERSITY OF TECHNOLOGY   (Japan)

^b NAGAOKA NATIONAL COLLEGE OF TECHNOLOGY   (Japan)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 84894325139     PISSN: 00214922     EISSN: 13474065     Source Type: Journal    
DOI: 10.7567/JJAP.53.02BC02     Document Type: Article

References (35)

1. S. Pizzini, N. Buttá, D. Narducci, and M. Palladino, J. Electrochem. Soc. 136, 1945 (1989).
2. I.-S. Jeong, J. H. Kim, and S. Im, Appl. Phys. Lett. 83, 2946 (2003).
3. P. Fons, K. Iwata, S. Niki, A. Yamada, and K. Matsubara, J. Cryst. Growth 201-202, 627 (1999).
4. A. Tsukazaki, A. Ohtomo, T. Onuma, M. Ohtani, T. Makino, M. Sumiya, K. Ohtani, S. F. Chichibu, S. Fuke, Y. Segawa, H. Ohno, H. Koinuma, and M. Kawasaki, Nat. Mater. 4, 42 (2005).
5. T. Minami, H. Sato, H. Nanto, and S. Takata, Jpn. J. Appl. Phys. 24, L781 (1985).
6. T. Minami, K. Oohashi, S. Takata, T. Mouri, and N. Ogawa, Thin Solid Films 193-194, 721 (1990).
7. T. Nakada, Y. Ohkubo, and A. Kunioka, Jpn. J. Appl. Phys. 30, 3344 (1991).
8. G. L. Harding, B. Window, and E. C. Horrigan, Sol. Energy Mater. Sol. Cells 22, 69 (1991).
9. M. Kon, P. K. Song, A. Mitsui, and Y. Shigesato, Jpn. J. Appl. Phys. 41, 6174 (2002).
10. N. Malkomes, M. Vergöhl, and B. Szyszka, J. Vac. Sci. Technol. A 19, 414 (2001).
11. T. Minami, Semicond. Sci. Technol. 20, S35 (2005).
12. K. Ogata, K. Sakurai, Sz. Fujita, Sg. Fujita, and K. Matsushige, J. Cryst. Growth 214-215, 312 (2000).
13. P. Fons, K. Iwata, A. Yamada, K. Matsubara, S. Niki, K. Nakahara, T. Tanabe, and H. Takasu, Appl. Phys. Lett. 77, 1801 (2000).
14. K. Miyamoto, M. Sano, H. Kato, and T. Yao, J. Cryst. Growth 265, 34 (2004).
15. A. El-Shaer, A. Bakin, A. C. Mofor, J. Bläsing, A. Krost, J. Stoimenos, B. Pécz, M. Kreye, M. Heuken, and A. Waag, Phys. Status Solidi B 243, 768 (2006).
16. H. Sankur and J. T. Cheung, J. Vac. Sci. Technol. A 1, 1806 (1983).
17. E. M. Kaidashev, M. Lorenz, H. von Wenckstern, A. Rahm, H.-C. Semmelhack, K.-H. Han, G. Benndorf, C. Bundesmann, H. Hochmuth, and M. Grundmann, Appl. Phys. Lett. 82, 3901 (2003).
18. A. Ohtomo and A. Tsukazaki, Semicond. Sci. Technol. 20, S1 (2005).
19. H. von Wenckstern, M. Brandt, G. Zimmermann, J. Lenzner, H. Hochmuth, M. Lorenz, and M. Grundmann, MRS Proc. 957, K03 (2007).
20. D. J. Rogers, D. C. Look, F. H. Téhérani, K. Minder, M. Razeghi, A. Largeteau, G. Demazeau, J. Morrod, K. A. Prior, A. Lusson, and S. Hassani, Phys. Status Solidi C 5, 3084 (2008).
21. C. K. Lau, S. K. Tiku, and K. M. Lakin, J. Electrochem. Soc. 127, 1843 (1980).
22. W. W. Wenas, A. Yamada, M. Konagai, and K. Takahashi, Jpn. J. Appl. Phys. 30, L441 (1991).
23. J. Hu and R. G. Gordon, J. Appl. Phys. 72, 5381 (1992).
24. J. Dai, F. Jiang, Y. Pu, L. Wang, W. Fang, and F. Li, Appl. Phys. A 89, 645 (2007).
25. J. Dai, H. Su, L. Wang, Y. Pu, W. Fang, and F. Jiang, J. Cryst. Growth 290, 426 (2006).
26. E. Nagatomi, S. Satomoto, M. Tahara, T. Kato, and K. Yasui, Surf. Coatings Technol. 215, 148 (2013).
27. H. Ibach, Phys. Status Solidi 33, 257 (1969).
28. S. Asano, H. Katagiri, Y. Koroki, K. Yasui, M. Takata, and T. Akahane, IEICE Tech. Rep. CPM-2007-108 (2007) p. 19 [in Japanese].
29. G. Zheng, A. Yang, H. Wei, X. Liu, H. Song, Y. Guo, C. Jia, C. Jiao, S. Yang, Q. Zhu, and Z. Wang, Appl. Surf. Sci. 256, 2606 (2010).
30. H. Morkoç and Ü. Ozgür, Zinc Oxide (Wiley-VCH, Weinheim, 2009) p. 192.
31. J. I. Pankove, Phys. Rev. 140, A2059 (1965).
32. D. Redfield, Phys. Rev. 130, 914 (1963).
33. D. Redfield, Phys. Rev. 130, 916 (1963).
34. D. Redfield, Phys. Rev. 140, A2056 (1965).
35. V. Srikant and D. R. Clarke, J. Appl. Phys. 81, 6357 (1997).