Carbon doping of InSb using CBr4 during growth by gas-source molecular beam epitaxy

Applied Physics Letters

Volumn 72, Issue 10, 1998, Pages 1235-1237

  Schoenfeld, W V ^a   Antonell, M J ^a   Abernathy, C R ^a  

^a University of Florida   (United States)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 0004392082     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.121024     Document Type: Article

References (20)

1. R. M. Biefeld, J. Cryst. Growth 77, 392 (1986).
2. R. M. Biefeld, S. R. Kurtz, and I. J. Fritz, J. Electron. Mater. 18, 775 (1989).
3. S. R. Kurtz, L. R. Dawson, T. E. Zipperian, and R. D. Whaley, Jr., IEEE Electron Device Lett. 11, 54 (1990).
4. R. M. Biefeld, J. R. Wendt, and S. R. Kurtz, J. Cryst. Growth 107, 836 (1991).
5. R. M. Biefeld, S. R. Kurtz, and S. A. Casalnuovo, J. Cryst. Growth 124, 401 (1992).
6. P. E. Thompson, J. L. Davis, and D. S. Simmons, Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 216, 221 (1991).
7. R. L. Williams, E. Skuras, R. A. Stradling, R. Droopad, S. N. Holmes, and S. D. Parker, Semicond. Sci. Technol. 5, S338 (1990).
8. A. J. Noreika, J. Greggi, Jr., W. J. Takei, and M. H. Francombe, J. Vac. Sci. Technol. A 1, 558 (1983).
9. C. C. Hodge, C. C. Phillips, R. H. Thomas, S. D. Parker, R. L. Williams, and R. Droopad, Semicond. Sci. Technol. 5, S319 (1990).
10. T. Ohashi, D. P. Bour, T. Itoh, J. D. Berry, S. R. Jost, G. W. Wicks, and L. F. Eastman, J. Vac. Sci. Technol. B 4, 622 (1986).
11. C. R. Abernathy, S. J. Pearton, F. Ren, W. S. Hobson, and P. W. Wisk, J. Vac. Sci. Technol. A 12, 1186 (1994).
12. J. D. MacKenzie, C. R. Abernathy, S. J. Pearton, and S. N. G. Chu, Appl. Phys. Lett. 66, 1397 (1995).
13. T. J. deLyon, N. I. Buchan, P. D. Kirchner, J. M. Woodall, G. J. Scilla, and F. Cardone, Appl. Phys. Lett. 58, 517 (1991).
14. Y. M. Houng, S. D. Lester, D. E. Mars, and J. N. Miller, J. Vac. Sci. Technol. B 11, 915 (1993).
15. C. Palmstrom, B. P. Van der Gaag, J. I. Song, and S. A. Schwarz, presented at ICCBE-4, Nara, Japan, July, 1993.
16. J. E. Oh, F. Fukuchi, H. C. Kang, and M. Konagai, J. Cryst. Growth 164, 425 (1996).
17. J. E. Oh, J. Shirakashi, F. Fukuchi, and M. Konagai, Appl. Phys. Lett. 66, 2891 (1995).
18. M. Kamp, M. Weyers, H. Heinecke, H. Lüth, and P. Balk, J. Cryst. Growth 105, 178 (1990).
19. J. M. VanHove, P. P. Chow, M. F. Rosamond, G. L. Carpenter, and L. A. Chow, J. Vac. Sci. Technol. B 12, 1200 (1994).
20. Y. Cheng, M. Stavola, C. R. Abernathy, S. J. Pearton, and W. S. Hobson, Phys. Rev. B 49, 2469 (1994).