Remote p-doping of InAs nanowires

Nano Letters

Volumn 7, Issue 5, 2007, Pages 1144-1148

  Li, H Y ^a   Wunnicke, O ^a,b   Borgstrom M T ^a   Immink, W G G ^a   Van Weert, M H M ^a   Verheijen, M A ^a   Bakkers, E P A M ^a  

^a PHILIPS RESEARCH LABORATORIES   (Netherlands)

^b NXP SEMICONDUCTORS   (Netherlands)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

CONDUCTION BANDS; EPITAXIAL GROWTH; FERMI LEVEL; FIELD EFFECT SEMICONDUCTOR DEVICES; INDIUM ARSENIDE; SEMICONDUCTOR DOPING;

CAPPING LAYERS; DOPANT CONCENTRATION; FERMI LEVEL PINNING; REMOTE DOPING;

NANOWIRES;

EID: 34249686628     PISSN: 15306984     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1021/nl0627487     Document Type: Article

References (31)

1. Cui, Y.; Lieber, C. M. Science 2001, 291, 851-853.
2. Samuelson, L.; Thelander, C.; Bjork, M. T.; Borgström, M. T.; Deppert, K.; Dick, K. A.; Hansen, A. E.; Martensson, T.; Panev, N.; Persson, A. I.; Seifert, W.; Skold, N.; Larsson, M. W.; Wallenberg, L. R. Physica E 2004, 25, 313-318.
3. van Dam, J. A.; Nazarov, Y. V.; Bakkers, E. P. A. M.; De Franceschi, S.; Kouwenhoven, L. P. Nature 2006, 442, 667-670.
4. Bakkers, E. P. A. M.; van Dam, J. A.; De Franceschi, S.; Kouwenhoven, L. P.; Kaiser, M.; Verheijen, M.; Wondergem, H.; Van der Sluis, P. Nat. Mater. 2004, 3, 769-773.
5. Martensson, T.; Svensson, C. P. T.; Wacaser, B. A.; Larsson, M. W.; Seifert, W.; Deppert, K.; Gustafsson, A.; Wallenberg, L. R.; Samuelson, L. Nano Lett. 2004, 4, 1987-1990.
6. Roest, A. L.; Verheijen, M. A.; Wunnicke, O.; Serafin, S.; Wondergem, H.; Bakkers, E. P. A. M. Nanotechnology 2006, 17, S271-S275.
7. Sze, S.M. Physics of Semiconductor Devices; Wiley: New York, 1981.
8. Hiruma, K.; Yazawa, M.; Katsuyama, T.; Ogawa, K.; Haraguchi, K.; Koguchi, M.; Kakibayashi, H. J. Appl. Phys. 1995, 77, 447.
9. Gudiksen, M. S.; Lauhon, L. J.; Wang, J.; Smith, D. C.; Lieber, C. M. Nature 2002, 415, 617-620.
10. Minot, E. D.; Kelkensberg, F.; van Kouwen, M.; van Dam, J. A.; Kouwenhoven, L. P.; Zwiller, V.; Borgström, M. T.; Wunnicke, O.: Verheijen, M. A.; Bakkers, E. P. A. M. Nano Lett. 2007, 7, 367-371.
11. Kim, H. M.; Cho, Y. H.; Lee, H.; Kim, S. I.; Ryu, S. R.; Kim, D. Y.; Kang, T. W.; Chung, K. S. Nano Lett. 2004, 4, 1059-1062.
12. Qian, F.; Gradecak, S.; Li, Y.; Wen, C. Y.; Lieber, C. M. Nano Lett. 2005, 5, 2287-2291.
13. Lee, J.; Spector, H. N. J. Vac. Sci. Technol., B 1984, 2, 16.
14. Bryant, G. W. Phys. Rev. B 1984, 29, 6632.
15. Verheijen, M. A.; Immink, G.; de Smet, T.; Borgström, M. T.; Bakkers, E. P. A. M. J. Am. Chem. Soc. 2006, 128, 1353-1359.
16. Lauhon, L. J.; Gudiksen, M. S.; Wang, D.; Lieber, Ch. M. Nature 2002, 420, 57.
17. Dingle, R.; Störmer, H. L.; Gossard, A. C.; Wiegmann, W. Appl. Phys. Lett. 1978, 33, 665.
18. Xiang, J.; Lu, W.; Hu, Y. J.; Wu, Y.; Yan, H.; Lieber, C. M. Nature 2006, 441, 489-493.
19. Li, Y.; Xiang, J.; Qian, F.; Gradecak, S.; Wu, Y.; Yan, H.; Blom, D. A.; Lieber, C. M. Nano Lett. 2006, 6, 1468.
20. Lachenmann, S. G.; Friedrich, I.; Förster, A.; Schäpers, Th.; Kastalsky, A. J. Appl. Phys. 1999, 85, 8242.
21. van Weert, M. H. M.; Wunnicke, O.; Roest, A. L.; Eijkemans, T. J.; Yu Silov, A.; Haverkort, J. E. M.; 't Hooft, G. W.; Bakkers, E. P. A. M. Appl. Phys. Lett. 2006, 88, 043109.
22. Cole, S.; Evans, J. S.; Harlow, M. J.; Nelson, A. W.; Wong, S. Electron. Lett. 1988, 24, 929.
23. Pfund, A.; Shorubalko, I.; Leturcq, R.; Borgström, M. T.; Gramm, F.; Müller, E.; Ensslin, K. Chimia A 2006, 726, 729.
24. Hang, Q.; Wang, F.; Buhro, W. E.; Janes, D. B. Appl. Phys. Lett. 2007, 90, 062108.
25. Borgström, M. T.; Verheijen, M. A.; Immink, G.; de Smet, T.; Bakkers, E. P. A. M. Nanotechnology 2006, 17, 4010.
26. Wang, D.; Chang, Y. L.; Wang, Q.; Cao, J.; Farmer, D.; Gordon, R.; Dai, H. J. Am. Chem. Soc. 2004, 126, 11602.
27. URL: http://www.ioffe.ru/SVA/NSM/Semicond/InAs/.
28. Doh, Y.-J.; van Dam, J. A.; Roest, A. L.; Bakkers, E. P. A. M.; Kouwenhoven, L. P.; De Franceschi, S. Science 2005, 309, 272.
29. Ohlsson, B. J.; Björk, M. T.; Persson, A. I.; Thelander, C.; Wallenberg, L. R.; Magnusson, M. H.; Deppert, K.; Samuelson, L. Physica E 2002, 13, 1126-1130.
30. Wunnicke, O. Appl. Phys. Lett. 2006, 89, 083102.
31. Wada, M.; Izumi, K.; Sakakibara, K. Appl. Phys. Lett. 1997, 71, 900.