N-ZnO based nanostructure/p-silicon substrate based efficient p-n heterojunction diode

Science of Advanced Materials

Volumn 5, Issue 3, 2013, Pages 301-307

  Al Heniti, S ^a   Umar, Ahmad ^b   Badran, R I ^c   Zaki, H M ^a,d   Al Hajry, A ^b  

^a KING ABDULAZIZ UNIVERSITY   (Saudi Arabia)

^b NAJRAN UNIVERSITY   (Saudi Arabia)

^c HASHEMITE UNIVERSITY   (Jordan)

^d Zagazig University   (Egypt)

Author keywords

Electrical properties; Heterojunction diodes; I V Characteristics; ZnO nanonails

Indexed keywords

EID: 84880253047     PISSN: 19472935     EISSN: 19472943     Source Type: Journal    
DOI: 10.1166/sam.2013.1526     Document Type: Article

References (32)

1. E. Ahmad Umar and Y. B. Hahn, Metal Oxide Nanostructures and their Applications, American Scientific Publishers, Los Angeles, USA (2010), Vol. 5.
2. C. Zhang, K. Li, S. Song, and D. Xue, Sci. Adv. Mater. 4, 1148 (2012).
3. L. Loh and S. Dunn, J. Nanosci. Nanotechnol. 12, 8215 (2012).
4. S. P. Chang, C. W. Li, K. J. Chen, S. J. Chang, C. L. Hsu, T. J. Hsueh, and H. T. Hsueh, Sci. Adv. Mater. 4, 1174 (2012).
5. Q. Liao, Y. Huang, Z. Qin, Z. Zhang, J. Qi, Y. Zhang, and L. Xia, J. Nanosci. Nanotechnol. 12, 775 (2012).
6. J. Huang, M. Shao, and X. Xu, J. Nanoeng. Nanomanuf. 2, 175 (2012).
7. G. Y. Zhu, G. F. Chen, J. T. Li, Z. L. Shi, Y. Lin, T. Ding, X. Y. Xu, J. Dai, and C. X. Xu, J. Nanosci. Nanotechnol. 12, 7950 (2012).
8. K. Singh, Ahmad Umar, A. Kumar, G. R. Chaudhary, S. Singh, and S. K. Mehta, Sci. Adv. Mater. 4, 994 (2012).
9. S. A. Khayyat, M. Abaker, A. Umar, M. O. Alkattan, N. D. Alharbi, and S. Baskoutas, J. Nanosci. Nanotechnol. 12, 8453 (2012).
10. B. Y. Oh, J. W. Han, D. S. Seo, K. Y. Kim, S. H. Baek, H. S. Jang, and J. H. Kim, J. Nanosci. Nanotechnol. 12, 5330 (2012).
11. Z. Jing, J. Wang, F. Li, L. Tan, Y. Fu, and Q. Li, J. Nanoeng. Nanomanuf. 2, 133 (2012).
12. A. Kathalingam and J. K. Rhee, J. Nanosci. Nanotechnol. 12, 6948 (2012).
13. H. Algarni, M. M. El-Gomati, and M. S. Al-Assiri, Sci. Adv. Mater. 4, 961 (2012).
14. G. N. Dar, A. Umar, S. A. Zaidi, S. Baskoutas, S. H. Kim, M. Abaker, A. Al-Hajry, and S. A. Al-Sayari, Sci. Adv. Mater. 3, 901 (2011).
15. Z. L. Wang and J. Song, Science 312, 242 (2006).
16. R. Ghosh and D. Basak, Appl. Phys. Lett. 90, 243106 (2007).
17. M. Dutta and D. Basak, Appl. Phys. Lett. 92, 212112 (2008).
18. J. D. Ye, S. L. Gu, S. M. Zhu, W. Liu, S. M. Liu, R. Zhang, Y. Shi, and Y. D. Zhang, Appl. Phys. Lett. 88, 182112 (2006).
19. H. Sun, Q. F. Zhang, and J. L. Wu, Nanotechnology 17, 2271 (2006).
20. W. Water and S.-Y. Chu, Mater. Lett. 55, 67 (2002).
21. S. Y. Liu, T. Chen, Y. L. Jiang, G. P. Ru, X. P. Qu, J. Appl. Phys. 105 (2009). 114504.
22. S. Y. Liu, T. Chen, J. Wang, G. P. Ru, B. Z. Li, and X. P. Qu, Appl. Phys. A 94, 775 (2009).
23. R. I. Badran, A. Umar, S. Al-Heniti, A. Al-Hajry, T. Al-Harbi, J. Alloy. Comp. 508, 375 (2010).
24. S. Al-Heniti, J. Nanosci. Nanotechnol. 10, 6606 (2010).
25. S. Al-Heniti, R. I. Badran, A. A. Al-Ghamdi, and F. A. Al-Agel, Adv. Sci. Lett. 4, 24 (2011).
26. R. Ghosh and D. Basak, Appl. Phys. Lett. 90, 243106 (2007).
27. N. Koteeswara Reddy, Q. Ahsanulhaq, and Y. B. Hahn, Appl. Phys. Lett. 93, 083124 (2008).
28. N. Koteeswara Reddy, Q. Ahsanulhaq, J. H. Kim, and Y. B. Hahn, Appl. Phys. Lett. 92, 043127 (2008).
29. S. Majumdar, S. Chattopdhyay, and P. Banerji, Appl. Sur. Sci. 255, 6141 (2009).
30. A. Osinsky, J. W. Dong, M. Z. Kauser, B. Hertog, A. M. Dabiran, P. P. Chow, S. J. Pearton, O. Lopatiuk, and L. Chernyak, Appl. Phys. Lett. 85, 4272 (2004).
31. S. M. Sze, Physics of Semiconductor Devices, 2nd edn., John Wiley and Sons, New York (1981).
32. S. Altindal, I. Dokme, M. M. Bulbul, N. Yalcin, and T. Serin, Microelectr. Eng. 83, 499 (2006).