Electrical and ultraviolet photoresponse properties of quasialigned ZnO nanowires/ p-Si heterojunction

Applied Physics Letters

Volumn 90, Issue 24, 2007, Pages

  Ghosh, R ^a   Basak, D ^a  

^a DEPARTMENT OF MATERIALS SCIENCE   (India)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

ELECTRIC PROPERTIES; NANOWIRES; SCANNING TUNNELING MICROSCOPY; SEMICONDUCTING SILICON; SOLVATION; ULTRAVIOLET RADIATION; ZINC OXIDE;

HETEROJUNCTION GROWTH; PHOTORESPONSE PROPERTIES; RECOMBINATION-TUNNELING MECHANISM; SOLVOTHERMAL TECHNIQUE;

HETEROJUNCTIONS;

EID: 34250630579     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.2748333     Document Type: Article

References (24)

1. M. H. Huang, Y. Wu, H. Feick, N. Tran, E. Weber, and P. Yang, Adv. Mater. (Weinheim, Ger.) 13, 113 (2001).
2. X. Y. Kong and Z. L. Wang, Nano Lett. 3, 1625 (2003).
3. M. H. Huang, S. Mao, H. Feick, H. Q. Yan, Y. Y. Wu, H. Kind, E. Weber, R. Russo, and P. D. Yang, Science 292, 1897 (2001).
4. K. Keem, H. Kim, G.-T. Kim, J. S. Lee, B. Min, K. Cho, M.-Y. Sung, and S. Kim, Appl. Phys. Lett. 84, 4376 (2004).
5. S. E. Ahn, J. S. Lee, H. Kim, S. Kim, B. H. Kang, K. H. Kim, and G. T. Kim, Appl. Phys. Lett. 84, 5022 (2004).
6. J. M. Wang and L. Gao, J. Mater. Chem. 13, 2551 (2003).
7. D. C. Look, D. C. Reynolds, C. W. Litton, R. L. Jones, D. B. Eason, and G. Cantwell, Appl. Phys. Lett. 81, 1830 (2002).
8. W. I. Park and G. C. Yi, Adv. Mater. (Weinheim, Ger.) 16, 87 (2004).
9. J. H. He, S. T. Ho, T. B. Wu, L. J. Chen, and Z. L. Wang, Chem. Phys. Lett. 435, 119 (2007).
10. H. Sun, Q. F. Zhang, and J. L. Wu, Nanotechnology 17, 2271 (2006).
11. L. E. Greene, M. Law, J. Goldberger, F. Kim, J. C. Johnson, Y. Zhang, R. J. Saykally, and P. Yang, Angew. Chem., Int. Ed. 42, 3031 (2003).
12. R. Ghosh, D. Basak, and S. Fujihara, J. Appl. Phys. 96, 2689 (2004).
13. X. L. Zhang and Y. S. Kang, Inorg. Chem. 45, 4186 (2006).
14. F. Calle, E. Monroy, F. J. Sanchez, E. Munoz, B. Beaumont, S. Haffouz, M. Leroux, and P. Gibart, MRS Internet J. Nitride Semicond. Res. 3, 24 (1998).
15. J. B. Fedison, T. P. Chow, H. Lu, and I. B. Bhat, Appl. Phys. Lett. 72, 2841 (1998).
16. J. D. Ye, S. L. Gu, S. M. Zhu, W. Liu, S. M. Liu, R. Zhang, Y. Shi, and Y. D. Zheng, Appl. Phys. Lett. 88, 182112 (2006).
17. M. K. Jayaraj, A. D. Draeseke, J. Tate, R. L. Hoffman, and J. F. Wager, Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 666, F311 (2001).
18. Y. I. Alivov, J. E. Van Nostrand, D. C. Look, M. V. Chukichev, and B. M. Ataev, Appl. Phys. Lett. 83, 2943 (2003).
19. I. S. Jeong, J. H. Kim, and S. Im, Appl. Phys. Lett. 83, 2946 (2003).
20. R. Forman, Phys. Rev. 123, 1537 (1961).
21. J. S. Jie, W. J. Zhang, Y. Jiang, X. M. Meng, Y. Q. Li, and S. T. Lee, Nano Lett. 6, 1887 (2006).
22. Z. Fan, P. C. Chang, J. G. Lu, E. C. Walter, R. M. Penner, C. H. Lin, and H. P. Lee, Appl. Phys. Lett. 85, 6128 (2004).
23. N. V. Joshi, Photoconductivity: Art, Science, and Technology (Dekker, New York, 1990).
24. C. Soci, A. Zhang, B. Xiang, S. A. Dayeh, D. P. R. Aplin, J. Park, X. Y. Bao, Y. H. Lo, and D. Wang, Nano Lett. 7, 1003 (2007).