Fabrication and characterization of n-ZnO nanonails array/p+-GaN heterojunction diode

Journal of Nanoscience and Nanotechnology

Volumn 12, Issue 10, 2012, Pages 7950-7953

  Zhu, G Y ^a   Chen, G F ^a   Li, J T ^a   Shi, Z L ^a   Lin, Y ^a   Ding, T ^a   Xu, X Y ^a   Dai, J ^a   Xu, C X ^a  

^a SOUTHEAST UNIVERSITY   (China)

Author keywords

Chemical Vapor Deposition; Heterojunction; Light Emitting Diode; P+ GaN; ZnO Nanonails Array

Indexed keywords

ACCEPTOR LEVELS; CHEMICAL VAPOR DEPOSITION METHODS; ELECTROLUMINESCENCE SPECTRA; GAN LAYERS; GAN LIGHT-EMITTING DIODES; HETEROJUNCTION DIODES; NANONAILS; ROOM TEMPERATURE; ZNO NANONAILS;

BAND STRUCTURE; CHEMICAL VAPOR DEPOSITION; DIODES; ELECTROLUMINESCENCE; GALLIUM NITRIDE; HETEROJUNCTIONS; SEMICONDUCTOR DIODES; VAPORS; ZINC OXIDE;

LIGHT EMITTING DIODES;

EID: 84870776241     PISSN: 15334880     EISSN: 15334899     Source Type: Journal    
DOI: 10.1166/jnn.2012.6658     Document Type: Article

References (37)

1. M. Gautam, M. Verma, and G. Misra, J. Biomed. Nanotechnol. 7, 161 (2011).
2. V. Sharma, D. Anderson, and A. Dhawan, J. Biomed. Nanotechnol. 7, 98 (2011).
3. R. Roy, A. Tripathi, M. Das, and P. D. Dwivedi, J. Biomed. Nanotechnol. 7, 110 (2011).
4. N. Padmavathy and R. Vijayaraghavan, J. Biomed. Nanotechnol. 7, 813 (2011).
5. H. Zheng, G. C. Chen, F. M. Song, L. A. DeLouise, and Z. Y. Lou, J. Biomed. Nanotechnol. 7, 648 (2011).
6. J. Fu, Z. Dang, Y. Deng, and G. N. Lu, J. Biomed. Nanotechnol. 8, 669 (2012).
7. Y. Yasin, N. M. Ismail, M. Z. Hussein, and N. Aminudin, J. Biomed. Nanotechnol. 7, 486 (2011).
8. P. Khare, M. Sonane, R. Pandey, S. Ali, K. C. Gupta, and A. Satish, J. Biomed. Nanotechnol. 7, 116 (2011).
9. C. Cowles, B. Chen, and X. S. Zhu, J. Nanosci. Nanotechnol. 12, 4546 (2012).
10. X. D. Wang, C. J. Summers, and Z. L. Wang, Nano Lett. 4, 423 (2004).
11. X. Y. Wang, J. Cole, A. M. Dabiran, and H. O. Jacobs, NSTINanotech. 4, 526 (2007).
12. C. H. Chen, S. J. Chang, S. P. Chang, M. J. Li, I. C. Chen, T. J. Hsueh, and C. L. Hsu, Appl. Phys. Lett. 95, 223101 (2009).
13. R. Guo, J. Nishimura, M. Matsumoto, M. Higashihata, D. Nakamura, and T. Okada, Appl. Phys. B 94, 33 (2009).
14. M. H. Huang, S. Mao, H. Feick, H. Q. Yan, Y. Y. Wu, H. Kind, E. Weber, R. Russo, and P. D. Yang, Science 292, 1897 (2001).
15. Z. K. Tang, G. K. L. Wong, P. Yu, M. Kawasaki, A. Ohtomo, H. Koinuma, and Y. Segawa, Appl. Phys. Lett. 72, 3270 (1998).
16. J. Dai, C. X. Xu, and X. W. Sun, Adv. Mater. 23, 4115 (2011).
17. C. X. Xu and X. W. Sun, Appl. Phys. Lett. 83, 3806 (2003).
18. A. Tsukazaki, A. Ohtomo, T. Onuma, M. Ohtani, T. Makino, M. Sumiya, K. Ohtani, S. F. Chichibu, S. Fuke, Y. Segawa, H. Ohno, H. Koinuma, and M. Kawasaki, Nat. Mater. 4, 42 (2005).
19. J. H. Lim, C. K. Kang, K. K. Kim, I. K. Park, D. K. Hwang, and S. J. Park, Adv. Mater. 18, 2720 (2006).
20. M. C. Jeong, B. Y. Oh, M. H. Ham, and J. M. Myoung, Appl. Phys. Lett. 88, 202105 (2006).
21. K. P. Hsueh, S. C. Huang, C. T. Li, Y. M. Hsin, J. K. Sheu, W. C. Lai, and C. J. Tun, Appl. Phys. Lett. 90, 132111 (2007).
22. T. Y. Park, Y. S. Choi, J. W. Kang, J. H. Jeong, S. J. Park, D. M. Jeon, J. W. Kim, and Y. C. Kim, Appl. Phys. Lett. 96, 051124 (2010).
23. S. T. Tan, X. W. Sun, J. L. Zhao, S. Iwan, Z. H. Cen, T. P. Chen, J. D. Ye, G. Q. Lo, D. L. Kwong, and K. L. Teo, Appl. Phys. Lett. 93, 013506 (2008).
24. B. Ling, J. L. Zhao, X. W. Sun, S. T. Tan, A. K. K. Kyaw, Y. Divayana, and Z. L. Dong, Appl. Phys. Lett. 97, 013101 (2010).
25. O. Lupan, T. Pauporte, and B. Viana, Adv. Mater. 22, 3298 (2010).
26. W. I. Park and G. C. Yi, Adv. Mater. 16, 87 (2004).
27. S. Xu, C. Xu, Y. Liu, Y. F. Hu, R. S. Yang, Q. Yang, J. H. Ryou, H. J. Kim, Z. Lochner, S. Choi, R. Dupuis, and Z. L. Wang, Adv. Mater. 22, 4749 (2010).
28. J. H. Lim, C. K. Kang, K. K. Kim, I. K. Park, D. K. Hwang, and S. J. Park, Adv. Mater. 18, 2720 (2006).
29. W. Liu, S. L. Gu, J. D. Ye, S. M. Zhu, S. M. Liu, X. Zhou, R. Zhang, Y. Shi, Y. D. Zheng, Y. Hang, and C. L. Zhang, Appl. Phys. Lett. 88, 092101 (2006).
30. Y. C. Liu, X. T. Zhang, J. Y. Zhang, Y. M. Lu, X. G. Kong, D. Z. Shen, and X. W. Fan, Chin. J. Luminesc. 23, 563 (2002).
31. F. A. Selim, M. H. Weber, D. Solodovnikov, and K. G. Lynn, Phys. Rev. Lett. 99, 085502 (2007).
32. A. M. Fischer, S. Srinivasan, R. Garcia, F. A. Ponce, S. E. Guano, B. C. Di Lello, F. J. Moura, and I. G. Solorzano, Appl. Phys. Lett. 91, 121905 (2007).
33. U. Kaufmann, M. Kunzer, M. Maier, H. Obloh, A. Ramakrishnan, B. Santic, and P. Schlotter, Appl. Phys. Lett. 72, 1326 (1998).
34. Z. Guo, H. Zhang, D. X. Zhao, Y. C. Liu, B. Yao, B. H. Li, Z. Z. Zhang, and D. Z. Shen, Appl. Phys. Lett. 97, 173508 (2010).
35. S. W. Lee, H. D. Cho, G. Panin, and T. W. Kang, Appl. Phys. Lett. 98, 093110 (2011).
36. J. R. Sadaf, M. Q. Israr, S. Kishwar, O. Nur, and M. Willander, Semicond. Sci. Technol. 26, 075003 (2011).
37. C. H. Chen, S. J. Chang, S. P. Chang, M. J. Li, I. C. Chen, T. J. Hsueh, and C. L. Hsu, Appl. Phys. Lett. 95, 223101 (2009).