The effect of postannealing on the electrical properties of well-aligned n-ZnO nanorods/ p-Si heterojunction

Journal of Applied Physics

Volumn 105, Issue 11, 2009, Pages

  Liu, Shu Yi ^a   Chen, Tao ^a   Jiang, Yu Long ^a   Ru, Guo Ping ^a   Qu, Xin Ping ^a  

^a FUDAN UNIVERSITY   (China)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

ADSORBED OXYGEN; AIR AMBIENT; AS-GROWN; ELECTRICAL PROPERTY; FORWARD VOLTAGE; FREE ELECTRON; HYDROTHERMAL METHODS; INJECTION EFFICIENCY; ORDERS OF MAGNITUDE; POST ANNEALING; RECTIFICATION RATIO; RECTIFYING CHARACTERISTICS; SEED LAYER; SI SUBSTRATES; SINGLE CRYSTALLINE QUALITY; WELL-ALIGNED; ZNO; ZNO NANOROD;

ANNEALING; CARRIER CONCENTRATION; DISTILLATION; ELECTRIC PROPERTIES; NANORODS; OXYGEN; SILICON; X RAY PHOTOELECTRON SPECTROSCOPY; ZINC OXIDE;

SEMICONDUCTING ZINC COMPOUNDS;

EID: 67649497844     PISSN: 00218979     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.3137204     Document Type: Article

References (38)

1. Y. W. Heo, D. P. Norton, L. C. Tien, Y. Kwon, B. S. Kang, F. Ren, S. J. Pearton, and J. R. LaRoche, Mater. Sci. Eng. R. 0927-796X 47, 1 (2004). 10.1016/j.mser.2004.09.001
2. M. H. Huang, S. Mao, H. Q. Feick, H. Q. Yan, Y. Y. Wu, H. Kind, E. Weber, R. Russo, and P. D. Yang, Science 0036-8075 292, 1897 (2001). 10.1126/science.1060367
3. H. Rensmo, K. Keis, H. Lindstrolm, S. Soldergren, A. Solbrand, A. Hagfeldt, S. E. Lindquist, L. N. Wang, and M. Muhammed, J. Phys. Chem. B 1089-5647 101, 2598 (1997). 10.1021/jp962918b
4. L. Liao, H. B. Lu, J. C. Li, C. Liu, and D. J. Fu, Appl. Phys. Lett. 0003-6951 91, 173110 (2007). 10.1063/1.2800812
5. S. Liang, H. Sheng, Y. Liu, Z. Hio, Y. Lu, and H. Shen, J. Cryst. Growth 0022-0248 225, 110 (2001). 10.1016/S0022-0248(01)00830-2
6. D. K. Hwang, S. H. Kang, J. H. Lim, E. G. Yang, J. Y. Oh, J. H. Yang, and S. J. Park, Appl. Phys. Lett. 0003-6951 86, 222101 (2005). 10.1063/1.1940736
7. P. C. Chang, Z. Y. Fan, C. J. Chien, D. Stichtenoth, C. Ronning, and J. G. Lu, Appl. Phys. Lett. 0003-6951 89, 133113 (2006). 10.1063/1.2357013
8. W. I. Park and G. C. Yi, Adv. Mater. (Weinheim, Ger.) 0935-9648 16, 87 (2004). 10.1002/adma.200305729
9. M. H. Huang, Y. Y. Wu, H. Q. Feick, N. Tran, E. Weber, and P. D. Yang, Adv. Mater. (Weinheim, Ger.) 0935-9648 13, 113 (2001). 10.1002/1521-4095(200101) 13:2<113::AID-ADMA113>3.0.CO;2-H
10. J. H. Choi, H. Tabata, and T. Kawai, J. Cryst. Growth 0022-0248 226, 493 (2001). 10.1016/S0022-0248(01)01388-4
11. L. Vayssieres, Adv. Mater. (Weinheim, Ger) 15, 464 (2003). 10.1002/adma.200390108 0935-9648
12. J. S. Huang and C. F. Lin, J. Appl. Phys. 0021-8979 103, 014304 (2008). 10.1063/1.2828172
13. J. B. Cui, C. P. Daghlian, U. J. Gibson, R. Pusche, P. Geithner, and L. Ley, J. Appl. Phys. 0021-8979 97, 044315 (2005). 10.1063/1.1854206
14. S. Y. Liu, T. Chen, J. Wan, G. P. Ru, B. Z. Li, and X. P. Qu, Appl. Phys. A: Mater. Sci. Process. 0947-8396 94, 775 (2009). 10.1007/s00339-008-4957-5
15. S. H. Park, S. H. Kim, and S. W. Han, Nanotechnology 0957-4484 18, 055608 (2007). 10.1088/0957-4484/18/5/055608
16. H. Sun, Q. F. Zhang, and J. L. Wu, Nanotechnology 0957-4484 17, 2271 (2006). 10.1088/0957-4484/17/9/033
17. R. Ghosh and D. Basak, Appl. Phys. Lett. 0003-6951 90, 243106 (2007). 10.1063/1.2748333
18. C. S. Lao, J. Liu, P. X. Gao, L. Y. Zhang, D. Davidovic, R. Tummala, and Z. L. Wang, Nano Lett. 1530-6984 6, 263 (2006). 10.1021/nl052239p
19. N. K. Reddy, Q. Ahsanulhaq, J. H. Kim, and Y. B. Hahn, Appl. Phys. Lett. 0003-6951 92, 043127 (2008). 10.1063/1.2839579
20. J. D. Ye, S. L. Gu, S. M. Zhu, W. Liu, S. M. Liu, R. Zhang, Y. Shi, and Y. D. Zheng, Appl. Phys. Lett. 0003-6951 88, 182112 (2006). 10.1063/1.2201895
21. M. Dutta and D. Basak, Appl. Phys. Lett. 0003-6951 92, 212112 (2008). 10.1063/1.2937124
22. J. B. Fedison, T. P. Chow, H. Lu, and I. B. Bhat, Appl. Phys. Lett. 0003-6951 72, 2841 (1998). 10.1063/1.121475
23. S. Mridha and D. Basak, J. Appl. Phys. 0021-8979 101, 083102 (2007). 10.1063/1.2724808
24. J. H. He and C. H. Ho, Appl. Phys. Lett. 0003-6951 91, 233105 (2007). 10.1063/1.2821831
25. Y. W. Heo, Y. W. Kwon, Y. Li, S. J. Pearton, and D. P. Norton, Appl. Phys. Lett. 0003-6951 84, 3474 (2004). 10.1063/1.1737795
26. J. M. Shah, Y. L. Li, T. Gessmann, and E. F. Schubert, J. Appl. Phys. 0021-8979 94, 2627 (2003). 10.1063/1.1593218
27. X. D. Chen, C. C. Ling, S. Fung, C. D. Beling, Y. F. Mei, R. K. Fu, G. G. Siu, and P. K. Chu, Appl. Phys. Lett. 0003-6951 88, 132104 (2006). 10.1063/1.2190444
28. J. A. Edmond, K. Das, and R. F. Davis, J. Appl. Phys. 0021-8979 63, 922 (1988). 10.1063/1.340034
29. S. C. Lyu, Y. Zhang, H. Ruh, H. J. Lee, H. W. Shim, E. K. Suh, and C. J. Lee, Chem. Phys. Lett. 0009-2614 363, 134 (2002). 10.1016/S0009-2614(02)01145-4
30. D. Li, Y. H. Leung, A. B. Djurišić, Z. T. Liu, M. H. Xie, S. L. Shi, S. J. Xu, and W. K. Chan, Appl. Phys. Lett. 0003-6951 85, 1601 (2004). 10.1063/1.1786375
31. A. B. Djurišić, Y. H. Leung, K. H. Tam, L. Ding, W. K. Ge, H. Y. Chen, and S. Gwo, Appl. Phys. Lett. 0003-6951 88, 103107 (2006). 10.1063/1.2182096
32. W. M. Kwok, A. B. Djurišić, Y. H. Leung, D. Li, K. H. Tam, D. L. Phillips, and W. K. Chan, Appl. Phys. Lett. 89, 183112 (2006). 10.1063/1.2378560
33. R. Xie, T. Sekiguchi, T. Ishigaki, N. Ohashi, D. Li, D. Yang, B. Liu, and Y. Bando, Appl. Phys. Lett. 0003-6951 88, 134103 (2006). 10.1063/1.2189200
34. K. H. Tam, C. K. Cheung, Y. H. Leung, A. B. Djurišić, C. C. Ling, C. D. Beling, S. Fung, M. Kwok, W. K. Chan, D. L. Phillips, L. Ding, and W. K. Ge, J. Phys. Chem. B 1089-5647 110, 20865 (2006). 10.1021/jp063239w
35. M. Chen, X. Wang, Y. H. Yu, Z. L. Pei, X. D. Bai, C. Sun, R. F. Huang, and L. S. Wen, Appl. Surf. Sci. 0169-4332 158, 134 (2000). 10.1016/S0169- 4332(99)00601-7
36. L. H. Quang, S. J. Chua, K. P. Loh, and E. Fitzgerald, J. Cryst. Growth 0022-0248 287, 157 (2006). 10.1016/j.jcrysgro.2005.10.060
37. Q. Wan, Q. H. Li, Y. J. Chen, T. Wang, X. L. He, J. P. Li, and C. L. Lin, Appl. Phys. Lett. 0003-6951 84, 3654 (2004). 10.1063/1.1738932
38. L. Liao, H. B. Lu, J. C. Li, H. He, D. F. Wang, D. J. Fu, C. Liu, and W. F. Zhang, J. Phys. Chem. C 1932-7447 111, 1900 (2007). 10.1021/jp065963k