Fabrication and characterization of solution processed n-zno nanowire/p-si heterojunction device

Journal of Nanoscience and Nanotechnology

Volumn 12, Issue 9, 2012, Pages 6948-6954

  Kathalingam, A ^a   Rhee, Jin Koo ^a  

^a Dongguk University   (South Korea)

Author keywords

Electrical characterization; Hydrothermal synthesis; Photoresponse; Piezo electric effect; ZnO nanowires; ZnO Si heterojunction

Indexed keywords

ELECTRICAL CHARACTERIZATION; PHOTORESPONSES; PIEZO-ELECTRIC EFFECTS; ZNO; ZNO NANOWIRES;

FABRICATION; HETEROJUNCTIONS; HYDROTHERMAL SYNTHESIS; NANOWIRES; PIEZOELECTRICITY; SILICON;

ZINC OXIDE;

EID: 84866104376     PISSN: 15334880     EISSN: 15334899     Source Type: Journal    
DOI: 10.1166/jnn.2012.6187     Document Type: Article

References (44)

1. H. D. Um, S. A. Moiz, K. T. Park, J. Y. Jung, S. W. Jee, C. H. Ahn, D. C. Kim, H. K. Cho, D. W. Kim, and J. H. Lee, Appl. Phys. Lett. 98, 033102 (2011).
2. S. Al-Heniti, R. I. Badran, A. A. Al-Ghamedi, and F. A. Al-Agel, Adv. Sci. Lett. 4, 1 (2011).
3. H. Zeng, W. Cai, Y. Li, J. Hu, and P. Liu, J. Phys. Chem. B 109, 18260 (2005).
4. R. K. Kumar, M. Husain, and Z. A. Ansari, J. Nanosci. Nanotechnol. 11, 6940 (2011).
5. J. Bao, M. A. Zimmler, F. Capasso, X. Wang, and Z. F. Ren, Nano Lett. 6, 8 (2005).
6. X. Li, B. Zhang, H. Zhu, X. Dong, X. Xia, Y. Cui, Y. Ma, and G. Du, J. Phys. D: Appl. Phys. 41, 035101 (2008).
7. X. Li, B. Zhang, X. Dong, Y. Zhang, X. Xia, W. Zhao, and G. Du, J. Lumin. 129, 86 (2009).
8. C. H. Kwak, B. H. Kim, C. I. Park, S. Y. Seo, S. H. Kim, and S. W. Han, Appl. Phys. Lett. 96, 051908 (2010).
9. J. H. Kim, J. Y. Moon, H. S. Lee, W. S. Han, H. K. Cho, J. Y. Lee, and H. S. Kim, Mater. Sci. Eng. B 165, 77 (2009).
10. C. S. Singh, G. Agarwal, G. D. Rao, S. Chaudhary, and R. Singh, Mater. Sci. Semiconduc. Proc. 14, 1 (2011).
11. K. Ogata, H. Dobashi, P. Russel, K. Koike, S. Sasa, M. Inoue, and M. Yano, Phys. Status Solidi. C 8, 522 (2011).
12. S. H. Park, S. H. Kim, and S. W. Han, Nanotechnology 18, 055608 (2007).
13. A. Manekkathodi, M. Y. Lu, C. W. Wang, and L. J. Chen, Adv. Mater. 22, 4059 (2010).
14. L. Xianbin, D. Hejun, L. Bo, W. Jianxiong, S. X. Wei, and S. Handong, J. Nanosci. Nanotechnol. 11, 6934 (2011).
15. Z. L. Wang, Adv. Mater. 19, 889 (2007).
16. L. Wen, K. M. Wong, Y. Fang, M. Wu, and Y. Lei, J. Mater. Chem. 21, 7090 (2011).
17. S. Mridha, M. Dutta, and D. Basak, J. Mater. Sci.: Mater. Electron. 20, S376 (2009).
18. J. H. Lee, J. Y. Lee, J. J. Kim and H. S. Kim, N. W. Jang, W. J. Lee, and C. R. Cho, J. Korean Phys. Soc. 56, 429 (2010).
19. W. I. Park, G. C. Yi, J. W. Kim, and S. M. Park, Appl. Phys. Lett. 82, 16 (2003).
20. T. I. Lee, W. J. Choi, J. P. Kar, Y. H. Kang, J. H. Jeon, J. H. Park, Y. S. Kim, H. K. Baik, and J. M. Myoung, Nano Lett. 10, 3517 (2010).
21. J. H. He and C. H. Ho, Appl. Phys. Lett. 91, 233105 (2007).
22. Q. Ahsanulhaq, S. H. Kim and Y. B. Hahn, J. Alloys Comp. 484, 17 (2009).
23. P. Soman, M. Darnell, M. D. Feldman, and S. Chen, J. Nanosci. Nanotechnol. 11, 6880 (2011).
24. J. B. You, X. W. Zhang, S. G. Zhang, H. R. Tan, J. Ying, Z. G. Yin, Q. S. Zhu, and P. K. Chu, J. Appl. Phys. 107, 083701 (2010).
25. R. I. Badran, A. Umar, S. Al-Heniti, A. Al-Hajry, and T. Al-Harbi, J. Alloys Comp. 508, 375 (2010).
26. X. Xing, K. Zheng, H. Xu, F. Fang, H. Shen, J. Zhang, J. Zhu, C. Ye, G. Cao, D. Sun, and G. Chen, Micron 37, 370 (2006).
27. S. Karan and B. Mallik, Nanotechnology 19, 495202 (2008).
28. F. Yakuphanoglu, Y. Caglar, M. Caglar, and S. Ilican, Mater. Sci. Semiconduc. Proc. 13, 137 (2010).
29. A. Zainelabdin, S. Zaman, G. Amin, O. Nur, and M. Willander, Nanoscale. Res. Lett. 5, 1442 (2010).
30. Y. Zhang, J. Xu, B. Lin, Z. Fu, S. Zhong, C. Liu, and Z. Zhang, Appl. Surf. Sci. 252, 3449 (2006).
31. P. Klason, M. M. Rahman, Q. H. Hu, O. Nur, R. Turan, and M. Willander, Microelectron. J. 40, 706 (2009).
32. A. Zainelabdin, S. Zaman, G. Amin, O. Nur, and M. Willander, Nanoscale. Res. Lett. 5, 1442 (2010).
33. R. Ghosh and D. Basak, Appl. Phys. Lett. 90, 243106 (2007).
34. H. E. Unalan, P. Hiralal, N. Rupesinghe, S. Dalal, W. I. Milne, and G. A. J. Amaratunga, Nanotechnology 19, 255608 (2008).
35. C. Periasamy and P. Chakrabarti, J. Vac. Sci. Technol. B 27, 2124 (2009).
36. H. Zeng, G. Duan, Y. Li, S. Yang, X. Xu, and W. Cai, Adv. Funct. Mater. 20, 561 (2010).
37. H. S. Kang, J. S. Kang, J. W. Kim, and S. Y. Lee, J. Appl. Phys. 95, 1246 (2004).
38. R. S. Ajimsha, M. K. Jayaraj, and L. M. Kukreja, J. Electron. Mater. 37, 5 (2008).
39. R. I. Badran, A. Umar, S. Al-Heniti, A. Al-Hajry, and T. Al-Harbi, J. Alloys. Comp. 508, 375 (2010).
40. A. Manekkathodi, M. Y. Lu, C. W. Wang, and L. J. Chen, Adv. Mater. 22, 4059 (2010).
41. N. K. Reddy, Q. Ahsanulhaq, J. H. Kim, and Y. B. Hahn, Appl. Phys. Lett. 92, 043127 (2008).
42. S. M. Sze, Physics of Smiconductor Devices, 2nd (edn.), John Wiley and Sons, New York (1981).
43. J. H. He and C. H. Ho, Appl. Phys. Lett. 91, 233105 (2007).
44. A. E. Rakhshani, J. Appl. Phys. 108, 094502 (2010).