ZnO-nanowire-based extended-gate field-effect-transistor pH sensors prepared on glass substrate

Science of Advanced Materials

Volumn 4, Issue 11, 2012, Pages 1174-1178

  Chang, Sheng Po ^a   Li, Chih Wei ^a   Chen, Kuan Jen ^a   Chang, Shoou Jinn ^a   Hsu, Cheng Liang ^b   Hsueh, Ting Jen ^c   Hsueh, Han Ting ^c  

^a NATIONAL CHENG KUNG UNIVERSITY   (Taiwan)

^b NATIONAL UNIVERSITY OF TAINAN   (Taiwan)

^c National Nano Devices Laboratories   (Taiwan)

Author keywords

EGFET; Nanowire; pH; ZnO

Indexed keywords

EID: 84877054621     PISSN: 19472935     EISSN: 19472943     Source Type: Journal    
DOI: 10.1166/sam.2012.1410     Document Type: Article

References (25)

1. L. L. Chi, J. C. Chou, W. Y. Chung, T. P. Sun, and S. K. Hsiung, Mater. Chem. Phys. 63, 19 (2000).
2. B. S. Kang, H. T. Wang, F. Ren, S. J. Pearton, T. E. Morey, D. M. Dennis, J. W. Johnson, P. Rajagopal, J. C. Roberts, E. L. Piner, and K. J. Linthicum, Appl. Phys. Lett. 91, 1 (2007).
3. S. Muhammad, U. Ali, O. Nur, M. Willander, and B. Danielsson, IEEE Trans. Nanotechnol. 8, 678 (2009).
4. L. T. Yin, Y. T. Lin, Y. C. Leu, and C. Y. Hu, Sens. Actuators B 148, 207 (2010).
5. J. C. Chen, J. C. Chou, T. P. Sun, and S. K. Hsiung, Sens. Actuators B 91, 180 (2003).
6. E. M. Guerra, G. R. Silva, and M. Mulato, Solid State Sci. 11, 456 (2009).
7. C. L. Li, B. R. Huang, S. Chattopadhyay, K. H. Chen, and L. C. Chen, Appl. Phys. Lett. 84, 2676 (2004).
8. L. T. Yin, J. C. Chou, W. Y. Chung, T. P. Sun, and S. K. Hsiung, Sens. Actuators B 71, 106 (2000).
9. C. T. Lee, Q. X. Yu, B. T. Tang, H. Y. Lee, and F. T. Hwang, Appl. Phys. Lett. 78, 3412 (2001).
10. S. Eisermann, J. Sann, A. Polity, and B. K. Meyer, Thin Solid Films 517, 5805 (2009).
11. L. W. Lai and C. T. Lee, Mater. Chem. Phys. 110, 393 (2008).
12. K. A. Sierros, D. A. Banerjee, J. N. Morris, D. R. Cairns, I. Kortidis, and G. Kiriakidis, Thin Solid Films 519, 325 (2010).
13. N. Kumar, A. Dorfman, and J. Hahm, J. Nanosci. Nanotechnol. 5, 1915 (2005).
14. L. W. Lai, J. T. Yan, C. H. Chen, L. R. Lou, and C. T. Lee, J. Mater. Res. 24, 2252 (2009).
15. D. C. Look, J. W. Hemsky, and J. R. Sizelove, Phys. Rev. Lett. 82, 2552 (1999).
16. S. J. Chang, T. J. Hsueh, I. C. Chen, S. F. Hsieh, S. P. Chang, C. L. Hsu, Y. R. Lin, and B. R. Huang, IEEE Trans. Nanotechnol. 7, 754 (2008).
17. M. H. Huang, S. Mao, H. Feick, H. Q. Yan, Y. Y. Wu, H. Kind, E. Weber, R. Russo, and P. D. Yang, Science 292, 1897 (2001).
18. Z. W. Pan, Z. R. Dai, and Z. L. Wang, Science 291, 1947 (2001).
19. C. L. Hsu, Y. R. Lin, S. J. Chang, T. S. Lin, S. Y. Tsai, and I. C. Chen, Chem. Phys. Lett. 411, 221 (2005).
20. C. L. Hsu, S. J. Chang,Y. R. Lin, S.Y. Tsai, and I. C. Chen, Chem. Commun. 28, 3571 (2005).
21. C. L. Hsu, S. J. Chang, H. C. Hung, Y. R. Lin, C. J. Huang, Y. K. Tseng, and I. C. Chen, J. Electrochem. Soc. 152, G378 (2005).
22. D. E. Yates, S. Levine, and T. W. Healy, J. Chem. Soc. Faraday Trans. 1, 1807 (1974).
23. R. E. G. Van Hal, J. C. T. Eijkel, and P. Bergveld, Sens. Actuators B 24, 201 (1995).
24. H. K. Liao, L. L. Chi, J. C. Chou, W. Y. Chung, T. P. Sun, and S. K. Hsiung, Mater. Chem. Phys. 59, 6 (1999).
25. K. B. Oldham, J. Electroanal. Chem. 613, 131 (2007).