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Volumn 31, Issue 3, 2013, Pages

Effect of chemical bonding states in TaOx base layers on rectifying bipolar resistive switching characteristics

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CHEMICAL BONDS; HAFNIUM OXIDES; IMAGE CODING; OXYGEN;

EID: 84878355470     PISSN: 21662746     EISSN: 21662754     Source Type: Journal    
DOI: 10.1116/1.4806766     Document Type: Article
Times cited : (3)

References (24)
  • 1
    • 56349143451 scopus 로고    scopus 로고
    • 10.1088/0957-4484/19/43/435303
    • C. Albonetti, Nanotechnology 19, 435303 (2008). 10.1088/0957-4484/19/43/ 435303
    • (2008) Nanotechnology , vol.19 , pp. 435303
    • Albonetti, C.1
  • 2
    • 76649133422 scopus 로고    scopus 로고
    • 10.1038/nnano.2009.456
    • D. H. Kwon, Nature Nanotechnol. 5, 148 (2010). 10.1038/nnano.2009.456
    • (2010) Nature Nanotechnol. , vol.5 , pp. 148
    • Kwon, D.H.1
  • 22
  • 23
    • 79960642086 scopus 로고    scopus 로고
    • 10.1038/nmat3070
    • M. J. Lee, Nat. Nanotechnol. 10, 625 (2011). 10.1038/nmat3070
    • (2011) Nat. Nanotechnol. , vol.10 , pp. 625
    • Lee, M.J.1


* 이 정보는 Elsevier사의 SCOPUS DB에서 KISTI가 분석하여 추출한 것입니다.