Influence of oxygen vacancies on Schottky contacts to ZnO

Applied Physics Letters

Volumn 92, Issue 12, 2008, Pages

  Allen, M W ^a   Durbin, S M ^a  

^a UNIVERSITY OF CANTERBURY   (New Zealand)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

FERMI LEVEL; FREE ENERGY; IRIDIUM COMPOUNDS; NICKEL OXIDE; ZINC OXIDE;

METAL ZNO INTERFACE; SCHOTTKY CONTACTS;

OXYGEN VACANCIES;

EID: 41349102982     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.2894568     Document Type: Article

References (23)

1. C. A. Mead, Solid-State Electron. 9, 1023 (1966).
2. U. Ozgur, Y. I. Alivov, C. Lui, A. Teke, M. A. Reshchikov, S. Dogan, V. Avrutin, S. J. Cho, and H. Morkoc, J. Appl. Phys. 98, 041301 (2005).
3. K. Ip, G. T. Thaler, H. S. Yang, S. Y. Han, Y. J. Li, D. P. Norton, S. J. Pearton, S. W. Jang, and F. Ren, J. Cryst. Growth 287, 149 (2006).
4. M. W. Allen, S. M. Durbin, and J. B. Metson, Appl. Phys. Lett. 91, 053512 (2007).
5. M. Nakano, A. Tsukazaki, R. Y. Gunji, K. Ueno, A. Ohtomo, T. Fukumura, and M. Kawasaki, Appl. Phys. Lett. 91, 142113 (2007).
6. H. L. Mosbacker, Y. M. Strzhemechny, B. D. White, P. E. Smith, D. C. Look, D. C. Reynolds, C. W. Litton, and L. J. Brillson, Appl. Phys. Lett. 87, 012102 (2005).
7. K. Ip, B. P. Gila, A. H. Onstine, E. S. Lambers, Y. W. Heo, K. H. Baik, D. P. Norton, S. J. Pearton, S. Kim, J. R. LaRoche, and F. Ren, Appl. Surf. Sci. 236, 387 (2004).
8. S. H. Kim, H. K. Kim, and T. Y. Seong, Appl. Phys. Lett. 86, 112101 (2005).
9. R. Schifano, E. V. Monakhov, U. Grossner, and B. G. Svensson, Appl. Phys. Lett. 91, 193507 (2007).
10. M. W. Allen, M. M. Alkaisi, and S. M. Durbin, Appl. Phys. Lett. 89, 103520 (2006).
11. V. A. Coleman, Ph.D. thesis, Australian National University, 2006.
12. S. M. Sze, Physics of Semiconductor Devices (Wiley, New York, 1981), pp. 363-373.
13. R. T. Tung, Mater. Sci. Eng., R. 35, 1 (2001).
14. A. Klein, F. Sauberlich, B. Spath, T. Schulmeyer, and D. Kraft, J. Mater. Sci. 42, 1890 (2007).
15. K. Maeda, M. Sato, I. Niikura, and T. Fukuda, Semicond. Sci. Technol. 20, S49 (2005).
16. J. H. Werner and H. H. Guttler, J. Appl. Phys. 69, 1522 (1991).
17. J. Robertson, O. Sharia, and A. A. Demkov, Appl. Phys. Lett. 91, 132912 (2007).
18. C. G. Van de Walle, Physica B 308, 899 (2001).
19. S. B. Zhang, S. H. Wei, and A. Zunger, Phys. Rev. B 63, 075205 (2001).
20. A. Janotti and C. G. Van de Walle, J. Cryst. Growth 287, 58 (2006).
21. P. Erhart, K. Albe, and A. Klein, Phys. Rev. B 73, 205203 (2006).
22. F. A. Selim, M. H. Weber, D. Solodovnikov, and K. G. Lynn, Phys. Rev. Lett. 99, 085502 (2007).
23. K. Tse, D. Liu, K. Xiong, and J. Robertson, Microelectron. Eng. 84, 2028 (2007).