Modeling for bipolar resistive memory switching in transition-metal oxides

Physical Review B - Condensed Matter and Materials Physics

Volumn 82, Issue 15, 2010, Pages

  Hur, Ji Hyun ^a   Lee, Myoung Jae ^a   Lee, Chang Bum ^a   Kim, Young Bae ^a   Kim, Chang Jung ^a  

^a Samsung Advanced Institute of Technology (SAIT)   (South Korea)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 78149260996     PISSN: 10980121     EISSN: 1550235X     Source Type: Journal    
DOI: 10.1103/PhysRevB.82.155321     Document Type: Article

References (23)

1. M.-J. Lee, S. Han, S. H. Jeon, B. H. Park, B. S. Kang, S.-E. Ahn, K. H. Kim, C. B. Lee, C. J. Kim, I.-K. Yoo, D. H. Seo, X.-S. Li, J.-B. Park, J.-H. Lee, and Y. Park, Nano Lett. 9, 1476 (2009). 10.1021/nl803387q
2. D. Adler, M. S. Shur, M. Silver, and S. R. Ovshinsky, J. Appl. Phys. 51, 3289 (1980). 10.1063/1.328036
3. S. Dietrich, M. Angerbauer, M. Ivanov, D. Gogl, H. Hoenigschmid, M. Kund, C. Liaw, M. Markert, R. Symanczyk, L. Altimime, S. Bournat, and G. Mueller, IEEE J. Solid-State Circuits 42, 839 (2007). 10.1109/JSSC.2007.892207
4. A. Sawa, T. Fujii, M. Kawasaki, and Y. Tokura, Appl. Phys. Lett. 85, 4073 (2004). 10.1063/1.1812580
5. M. J. Rozenberg, I. H. Inoue, and M. J. Sánchez, Phys. Rev. Lett. 92, 178302 (2004). 10.1103/PhysRevLett.92.178302
6. M. J. Rozenberg, I. H. Inoue, and M. J. Sánchez, Appl. Phys. Lett. 88, 033510 (2006). 10.1063/1.2164917
7. M. J. Lee, S. I. Kim, C. B. Lee, H. Yin, S.-E. Ahn, B. S. Kang, K. H. Kim, J. C. Park, C. J. Kim, I. Song, S. W. Kim, G. Stefanovich, J. H. Lee, S. J. Chung, Y. H. Kim, and Y. Park, Adv. Funct. Mater. 19, 1587 (2009). 10.1002/adfm.200801032
8. H. Shima, T. Nakano, and H. Akinaga, Appl. Phys. Lett. 91, 012901 (2007). 10.1063/1.2753101
9. S. Tsui, A. Baikalov, J. Cmaidalka, Y. Y. Sun, Y. Q. Wang, Y. Y. Xue, C. W. Chu, L. Chen, and A. J. Jacobson, Appl. Phys. Lett. 85, 317 (2004). 10.1063/1.1768305
10. A. Beck, J. G. Bednorz, Ch. Gerber, C. Rossel, and D. Widmer, Appl. Phys. Lett. 77, 139 (2000). 10.1063/1.126902
11. S. Q. Liu, N. J. Wu, and A. Ignatiev, Appl. Phys. Lett. 76, 2749 (2000). 10.1063/1.126464
12. Z. Wei, Y. Kanzawa, K. Arita, Y. Katoh, K. Kawai, S. Muraoka, S. Mitani, S. Fujii, K. Katayama, M. Iijima, T. Mikawa, T. Ninomiya, R. Miyanaga, Y. Kawashima, K. Tsuji, A. Himeno, T. Okada, R. Azuma, K. Shimakawa, H. Sugaya, T. Takagi, R. Yasuhara, K. Horiba, H. Kumigashira, and M. Oshima, IEEE Int. Electron Devices Meet. Tech. Dig., 293 (2008).
13. M. W. Allen and S. M. Durbin, Appl. Phys. Lett. 92, 122110 (2008). 10.1063/1.2894568
14. D. B. Strukov, G. S. Snider, D. R. Stewart, and R. S. Williams, Nature (London) 453, 80 (2008). 10.1038/nature06932
15. J. J. Yang, M. D. Pickett, X. Li, D. A. A. Ohlberg, D. Stewart, and R. S. Williams, Nat. Nanotechnol. 3, 429 (2008). 10.1038/nnano.2008.160
16. G. Y. Yang, G. D. Lian, E. C. Dickey, and C. A. Randall, J. Appl. Phys. 96, 7500 (2004). 10.1063/1.1809268
17. Y. B. Nian, J. Strozier, N. J. Wu, X. Chen, and A. Ignatiev, Phys. Rev. Lett. 98, 146403 (2007). 10.1103/PhysRevLett.98.146403
18. D. Lee, D.-J. Seong, I. Jo, F. Xiang, R. Dong, S. Oh, and H. Hwang, Appl. Phys. Lett. 90, 122104 (2007). 10.1063/1.2715002
19. S. J. Tans, R. M. Verschuerenm, and C. Dekker, Nature (London) 393, 49 (1998). 10.1038/29954
20. Y. C. Yeo, Q. Lu, W. C. Lee, T.-J. King, C. Hu, X. Wang, X. Guo, and T. P. Ma, IEEE Electron Device Lett. 21, 540 (2000). 10.1109/55.877204
21. S. M. Sze and K. K. Ng, Physics of Semiconductor Devices, 3rd ed. (Wiley, New York, 2007), Sec. 3.3.6.
22. H. Sawada and K. Kawakami, J. Appl. Phys. 86, 956 (1999). 10.1063/1.370831
23. R. Ramprasad, J. Appl. Phys. 94, 5609 (2003). 10.1063/1.1615700