High-quality uniaxial InxGa1- xN/GaN multiple quantum well (MQW) nanowires (NWs) on Si(111) grown by metal-organic chemical vapor deposition (MOCVD) and light-emitting diode (LED) fabrication

ACS Applied Materials and Interfaces

Volumn 5, Issue 6, 2013, Pages 2111-2117

  Ra, Yong Ho ^a   Navamathavan, R ^a   Park, Ji Hyeon ^a   Lee, Cheul Ro ^a  

^a Chonbuk National University   (South Korea)

Author keywords

InxGa1 xN GaN; LED structure; MOCVD; multiple quantum wells; pulsed flow; uniaxial nanowires

Indexed keywords

CATHODOLUMINESCENCE SPECTRA; DEVICE CHARACTERISTICS; GROWTH TECHNIQUES; LED STRUCTURE; NANOWIRES (NWS); QUANTUM STRUCTURE; SI(111) SUBSTRATE; VERTICALLY ALIGNED;

GALLIUM ALLOYS; GALLIUM NITRIDE; METALLORGANIC CHEMICAL VAPOR DEPOSITION; MOLECULAR BEAM EPITAXY; NANOWIRES; PULSATILE FLOW; SEMICONDUCTOR QUANTUM WELLS; SILICON; TRANSMISSION ELECTRON MICROSCOPY; VAPORS;

LIGHT EMITTING DIODES;

EID: 84875709936     PISSN: 19448244     EISSN: 19448252     Source Type: Journal    
DOI: 10.1021/am303056v     Document Type: Article

References (31)

1. Lin, Y. D.; Chakraborty, A.; Brinkley, S.; Kuo, H. C.; Melo, T.; Fujito, K.; Speck, J. S.; DenBaars, S. P.; Nakamura, S. Appl. Phys. Lett. 2009, 94, 261108-1-261108-3
2. Lee, J. W.; Sone, C.; Park, Y.; Lee, S. N.; Ryu, J. H.; Dupuis, R. D.; Hong, C. H.; Kim, H. Appl. Phys. Lett. 2009, 95, 011108-1-011108-3
3. Kuo, Y. K.; Chang, J. Y.; Tsai, M. C.; Yen, S. H. Appl. Phys. Lett. 2009, 95, 011116-1-011116-3
4. Schubert, E. F.; Kim, J. K. Science 2005, 308, 1274-1278
5. Farrell, R. M.; Haeger, D. A.; Hsu, P. S.; Schmidt, M. C.; Fuijito, K.; Feezell, D. F.; DenBaars, S. P.; Speck, J. S.; Nakamura, S. Appl. Phys. Lett. 2011, 99, 171113-1-171113-3
6. Gradecak, S.; Qian, F.; Li, Y.; Park, H. G.; Lieber, C. M. Appl. Phys. Lett. 2005, 87, 173111-1-173111-3
7. Schubert, E. F. Light Emitting Diodes; Cambridge University Press: New York, 2003.
8. Meneghini, M.; Barbisan, D.; Bilenko, Y.; Shataly, M.; Yang, J.; Gaska, R.; Meneghesso, G.; Zanoni, E. Microelectron. Reliab. 2010, 50, 1538-1542
9. Mills, A. III-Vs Rev. 2001, 14, 32-37
10. Hersee, S. D.; Sun, X.; Wang, X. Nano Lett. 2006, 6, 1808-1811
11. Lin, C.; Yu, G.; Wang, Z.; Cao, M.; Lu, H.; Gong, H.; Qi, M.; Li, A. J. Phys. Chem. C 2008, 112, 18821-18824
12. Ra, Y. H.; Navamathavan, R.; Cha, J. H.; Song, K. Y.; Lim, H. C.; Park, J. H.; Kim, D. W.; Lee, C. R. Jpn. J. Appl. Phys. 2010, 49, 045004-1-045004-4
13. Schuster, F.; Furtmayr, F.; Zamani, R.; Magan, C.; Morante, J. R.; Arbiol, J.; Garrido, J. A.; Stutzmann, M. Nano Lett. 2012, 12, 2199-2204
14. Dick, K. A. Prog. Cryst. Growth Charact. Mater. 2008, 54, 138-173
15. Hayden, O.; Agarwal, R.; Liu, W. Nano Today 2008, 3, 12-22
16. Li, S.; Waag, A. J. Appl. Phys. 2012, 111, 071101-1-071101-23
17. Weisse, J. M.; Lee, C. H.; Kim, D. R.; Zhang, X. Nano Lett. 2012, 12, 3339-3343
18. Rigutti, L.; Tchernycheva, M.; Bugallo, A. D. L.; Jacopin, G.; Julien, F. H.; Zagonel, L. F.; March, K.; Stephan, O.; Kociak, M.; Songmuang, R. Nano Lett. 2010, 10, 2939-2943
19. Posada, F. G.; Songmuang, R.; Hertog, M. D.; Monroy, E. Nano Lett. 2012, 12, 172-176
20. Wierer, J. J.; Li, Q.; Koleske, D. D.; Lee, S. R.; Wang, G. T. Nanotechnology 2012, 23, 194007
21. Yeh, T. W.; Lin, Y. T.; Stewart, L. S.; Dapkus, P. D.; Sarkissian, R.; Obrien, J. D.; Ahn, B.; Nutt, S. R. Nano Lett. 2012, 12, 3257-3262
22. Carnevale, S. D.; Yang, J.; Phillips, P. J.; Mills, M. J.; Myers, R. C. Nano Lett. 2011, 11, 866-871
23. Nguyen, H. P. T.; Zhang, S.; Cui, K.; Hui, X.; Han, X.; Fathololoumi, S.; Couillard, M.; Botton, G. A.; Mi, Z. Nano Lett. 2011, 11, 1919-1924
24. Kim, H. M.; Cho, Y. H.; Lee, H.; Kim, S. I.; Ryu, S. R.; Kim, D. Y.; Kang, T. W.; Chung, K. S. Nano Lett. 2004, 6, 1059-1064
25. Dick, K. A.; Bolinsson, J.; Borg, B. M.; Johansson, J. Nano Lett. 2012, 12, 3200-3206
26. Guo, W.; Zhang, M.; Banerjee, A.; Bhattacharya, P. Nano Lett. 2010, 10, 3355-3359
27. Yeh, T. W.; Lin, Y. T.; Ahn, B.; Stewart, L. S.; Dapkus, P. D.; Nutt, S. R. Appl. Phys. Lett. 2012, 100, 033119-1-033119-3
28. Ra, Y. H.; Navamathavan, R.; Park, J. H.; Song, K. Y.; Lee, Y. M.; Kim, D. W.; Jun, B. B.; Lee, C. R. Jpn. J. Appl. Phys. 2010, 49, 091003-1-091003-5
29. Navamathavan, R.; Ra, Y. H.; Song, K. Y.; Kim, D. W.; Lee, C. R. Current Appl. Phys. 2011, 11, 77-81
30. Jang, E. S.; Ra, Y. H.; Lee, Y. M.; Yun, S. H.; Kim, D. W.; Navamathavan, R.; Kim, J. S.; Lee, I. H.; Lee, C. R. Jpn. J. Appl. Phys. 2009, 48, 091001-1-091001-4
31. Ra, Y.-H.; Navamathavan, R.; Lee, C.-R. CrystEngComm 2012, 14, 8208-8214 (DOI: 10.1039/C2CE26281A).