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Volumn 14, Issue 23, 2012, Pages 8208-8214

Growth characteristics of uniaxial InGaN/GaN MQW/n-GaN nanowires on Si(111) using MOCVD

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EID: 84868523728     PISSN: None     EISSN: 14668033     Source Type: Journal    
DOI: 10.1039/c2ce26281a     Document Type: Article
Times cited : (19)

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    • (2010) Nano Lett. , vol.10 , pp. 1554
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* 이 정보는 Elsevier사의 SCOPUS DB에서 KISTI가 분석하여 추출한 것입니다.