Correction to: InGaN/GaN multiple quantum wells grown on nonpolar facets of vertical gan nanorod arrays (Nano Letters (2012) 12: 6 (3257-3262) DOI: 10.1021/nl301307a);InGaN/GaN multiple quantum wells grown on nonpolar facets of vertical GaN nanorod arrays

Nano Letters

Volumn 12, Issue 6, 2012, Pages 3257-3262

  Yeh, Ting Wei ^a,b   Lin, Yen Ting ^a,b   Stewart, Lawrence S ^a,b   Dapkus, P Daniel ^a,b   Sarkissian, Raymond ^a,b   O'Brien, John D ^a,b   Ahn, Byungmin ^b,c   Nutt, Steven R ^b  

^a UNIVERSITY OF SOUTHERN CALIFORNIA   (United States)

^b Ajou University ^*  (United States)

^c Ajou University   (South Korea)

Author keywords

GaN nanorods; GaN nanowires; light emitting diodes; multiple quantum well; nonpolar; selective area growth

Indexed keywords

DIODES; GALLIUM NITRIDE; HIGH RESOLUTION TRANSMISSION ELECTRON MICROSCOPY; III-V SEMICONDUCTORS; LIGHT EMITTING DIODES; MODULATORS; NANORODS;

CORE SHELL STRUCTURE; CROSS SECTIONAL TRANSMISSION ELECTRON MICROSCOPY; GAN NANORODS; GAN NANOWIRES; NON-POLAR; PIEZO-ELECTRIC FIELDS; RADIAL DIRECTION; SELECTIVE AREA GROWTH;

SEMICONDUCTOR QUANTUM WELLS;

GALLIUM; GALLIUM ARSENIDE; INDIUM; INDIUM ARSENIDE; NANOMATERIAL; NANOTUBE; ORGANOARSENIC DERIVATIVE; QUANTUM DOT;

ARTICLE; CHEMISTRY; CONFORMATION; CRYSTALLIZATION; MACROMOLECULE; MATERIALS TESTING; METHODOLOGY; PARTICLE SIZE; SURFACE PROPERTY; ULTRASTRUCTURE;

ARSENICALS; CRYSTALLIZATION; GALLIUM; INDIUM; MACROMOLECULAR SUBSTANCES; MATERIALS TESTING; MOLECULAR CONFORMATION; NANOSTRUCTURES; NANOTUBES; PARTICLE SIZE; QUANTUM DOTS; SURFACE PROPERTIES;

EID: 84862280898     PISSN: 15306984     EISSN: 15306992     Source Type: Journal    
DOI: 10.1021/nl302264j     Document Type: Erratum

References (34)

1. Chichibu, S. F.; Abare, A. C.; Mack, M. P.; Minsky, M. S.; Deguchi, T.; Cohen, D.; Kozodoy, P.; Fleischer, S. B.; Keller, S.; Speck, J. S.; Bowers, J. E.; Hu, E.; Mishra, U. K.; Coldren, L. A.; DenBaars, S. P.; Wada, K.; Sota, T.; Nakamura, S. Mater. Sci. Eng., B 1999, 59, 298-306
2. Li, Y. L.; Huang, R.; Lai, Y. H. Appl. Phys. Lett. 2007, 91, 181113
3. Shen, Y. C.; Mueller, G. O.; Watanabe, S.; Gardner, N. F.; Munkholm, A.; Krames, M. R. Appl. Phys. Lett. 2007, 91
4. Kim, M.-H.; Schubert, M. F.; Dai, Q.; Kim, J. K.; Schubert, E. F.; Piprek, J.; Park, Y. Appl. Phys. Lett. 2007, 91, 183507
5. Vampola, K. J.; Iza, M.; Keller, S.; DenBaars, S. P.; Nakamura, S. Appl. Phys. Lett. 2009, 94, 061116
6. Chakraborty, A.; Haskell, B. A.; Keller, S.; Speck, J. S.; Denbaars, S. P.; Nakamura, S.; Mishra, U. K. Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 2005, 44, L173-L175
7. Koyama, T.; Onuma, T.; Masui, H.; Chakraborty, A.; Haskell, B. A.; Keller, S.; Mishra, U. K.; Speck, J. S.; Nakamura, S.; DenBaars, S. P.; Sota, T.; Chichibu, S. F. Appl. Phys. Lett. 2006, 89, 091906
8. Zhong, H.; Tyagi, A.; Fellows, N. N.; Wu, F.; Chung, R. B.; Saito, M.; Fujito, K.; Speck, J. S.; DenBaars, S. P.; Nakamura, S. Appl. Phys. Lett. 2007, 90, 233504
9. Huang, H. W.; Kao, C. C.; Hsueh, T. H.; Yu, C. C.; Lin, C. F.; Chu, J. T.; Kuo, H. C.; Wang, S. C. Mater. Sci. Eng., B 2004, 113, 125-129
10. Wang, C.-Y.; Chen, L.-Y.; Chen, C.-P.; Cheng, Y.-W.; Ke, M.-Y.; Hsieh, M.-Y.; Wu, H.-M.; Peng, L.-H.; Huang, J. Opt. Express 2008, 16, 10549-10556
11. Fichtenbaum, N. A.; Neufeld, C. J.; Schaake, C.; Wu, Y.; Wong, M. H.; Grundmann, M.; Keller, S.; DenBaars, S. P.; Speck, J. S.; Mishra, U. K. Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 2007, 46, L230-L233
12. Duan, X. F.; Lieber, C. M. J. Am. Chem. Soc. 2000, 122, 188-189
13. Kuykendall, T.; Pauzauskie, P. J.; Zhang, Y. F.; Goldberger, J.; Sirbuly, D.; Denlinger, J.; Yang, P. D. Nat. Mater. 2004, 3, 524-528
14. Wang, G. T.; Talin, A. A.; Werder, D. J.; Creighton, J. R.; Lai, E.; Anderson, R. J.; Arslan, I. Nanotechnology 2006, 17, 5773-5780
15. Hersee, S. D.; Sun, X.; Wang, X. Nano Lett. 2006, 6, 1808-1811
16. Deb, P.; Kim, H.; Rawat, V.; Oliver, M.; Kim, S.; Marshall, M.; Stach, E.; Sands, T. Nano Lett. 2005, 5, 1847-1851
17. Colby, R.; Liang, Z.; Wildeson, I. H.; Ewoldt, D. A.; Sands, T. D.; Garcia, R. E.; Stach, E. A. Nano Lett. 2010, 10, 1568-1573
18. Chen, Y.-S.; Shiao, W.-Y.; Tang, T.-Y.; Chang, W.-M.; Liao, C.-H.; Lin, C.-H.; Shen, K.-C.; Yang, C. C.; Hsu, M.-C.; Yeh, J.-H.; Hsu, T.-C. J. Appl. Phys. 2009, 106, 023521
19. Tang, T.-Y.; Lin, C.-H.; Chen, Y.-S.; Shiao, W.-Y.; Chang, W.-M.; Liao, C.-H.; Shen, K.-C.; Yang, C.-C.; Hsu, M.-C.; Yeh, J.-H.; Hsu, T.-C. IEEE Trans. Electron Devices 2010, 57, 71-78
20. Kikuchi, A.; Kawai, M.; Tada, M.; Kishino, K. Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 2004, 43, L1524-L1526
21. Li, S.; Fuendling, S.; Soekmen, U.; Merzsch, S.; Neumann, R.; Hinze, P.; Weimann, T.; Jahn, U.; Trampert, A.; Riechert, H.; Peiner, E.; Wehmann, H.-H.; Waag, A. GaN and LED structures grown on pre-patterned silicon pillar arrays Phys. Status Solidi C 2010, 7, 84-87
22. Bavencove, A. L.; Salomon, D.; Lafossas, M.; Martin, B.; Dussaigne, A.; Levy, F.; Andre, B.; Ferret, P.; Durand, C.; Eymery, J.; Dang, L. S.; Gilet, P. Electron. Lett 2011, 47, 765-766
23. Qian, F.; Li, Y.; Gradecak, S.; Wang, D. L.; Barrelet, C. J.; Lieber, C. M. Nano Lett. 2004, 4, 1975-1979
24. Bergbauer, W.; Strassburg, M.; Koelper, C.; Linder, N.; Roder, C.; Laehnemann, J.; Trampert, A.; Fuendling, S.; Li, S. F.; Wehmann, H. H.; Waag, A. Nanotechnology 2010, 21, 305201
25. Qian, F.; Li, Y.; Gradecak, S.; Park, H.-G.; Dong, Y.; Ding, Y.; Wang, Z. L.; Lieber, C. M. Nat. Mater. 2008, 7, 701-706
26. Qian, F.; Gradecak, S.; Li, Y.; Wen, C. Y.; Lieber, C. M. Nano Lett. 2005, 5, 2287-2291
27. Koester, R.; Hwang, J.-S.; Salomon, D.; Chen, X.; Bougerol, C.; Barnes, J.-P.; Dang, D. L. S.; Rigutti, L.; Bugallo, A. d. L.; Jacopin, G.; Tchernycheva, M.; Durand, C.; Eymery, J. Nano Lett. 2011, 11, 4839-4845
28. Kim, H. M.; Cho, Y. H.; Lee, H.; Kim, S. I.; Ryu, S. R.; Kim, D. Y.; Kang, T. W.; Chung, K. S. Nano Lett. 2004, 4, 1059-1062
29. Lee, Y.-J.; Lin, S.-Y.; Chiu, C.-H.; Lu, T.-C.; Kuo, H.-C.; Wang, S.-C.; Chhajed, S.; Kim, J. K.; Schubert, E. F. Appl. Phys. Lett. 2009, 94, 141111
30. Chang, Y. L.; Wang, J. L.; Li, F.; Mi, Z. Appl. Phys. Lett. 2010, 96, 013106
31. Nguyen, H. P. T.; Zhang, S.; Cui, K.; Han, X.; Fathololoumi, S.; Couillard, M.; Botton, G. A.; Mi, Z. Nano Lett. 2011, 11, 1919-1924
32. Zhang, X.; Dapkus, P. D.; Rich, D. H. Appl. Phys. Lett. 2000, 77, 1496-1498
33. Fareed, R. S. Q.; Yang, J. W.; Zhang, J. P.; Adivarahan, V.; Chaturvedi, V.; Khan, M. A. Appl. Phys. Lett. 2000, 77, 2343-2345
34. Yeh, T.-W.; Lin, Y.-T.; Ahn, B.; Stewart, L. S.; Dapkus, P. D.; Nutt, S. R. Appl. Phys. Lett. 2012, 100, 33119