SCOPUS 정보 검색 플랫폼 - 논문 보기

메뉴 건너뛰기

Volumn 15, Issue 14, 2013, Pages 2669-2674

Achieve high-quality GaN films on La0.3Sr 1.7AlTaO6 (LSAT) substrates by low-temperature molecular beam epitaxy

(3) Wang, Wenliang a Yang, Hui a Li, Guoqiang a,b

a SOUTH CHINA UNIVERSITY OF TECHNOLOGY (China)

b UNIVERSITY OF OXFORD (United Kingdom)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 84874997856 PISSN: None EISSN: 14668033 Source Type: Journal
DOI: 10.1039/c3ce27090d Document Type: Article

Times cited : (31)

References (30)

1
- 0032516703
- S. Nakamura Science 1998 281 956 961
- (1998) Science , vol.281 , pp. 956-961
- Nakamura, S.¹

2
- 33745627020
- Y. Taniyasu M. Kasu T. Makimoto Nature 2006 441 325 328
- (2006) Nature , vol.441 , pp. 325-328
- Taniyasu, Y.¹ Kasu, M.² Makimoto, T.³

3
- 84857754729
- J. López-Gejo Á. Navarro-Tobar A. Arranz C. Palacio E. Muñoz G. Orellana ACS Appl. Mater. Interfaces 2011 3 3846 3854
- (2011) ACS Appl. Mater. Interfaces , vol.3 , pp. 3846-3854
- López-Gejo, J.¹ Navarro-Tobar, Á.² Arranz, A.³ Palacio, C.⁴ Muñoz, E.⁵ Orellana, G.⁶

4
- 84861849216
- Z. Lin H. Yang S. Zhou H. Wang X. Hong G. Li Cryst. Growth Des. 2012 12 2836 2841
- (2012) Cryst. Growth Des. , vol.12 , pp. 2836-2841
- Lin, Z.¹ Yang, H.² Zhou, S.³ Wang, H.⁴ Hong, X.⁵ Li, G.⁶

5
- 79952140656
- G. Li H. Yang Cryst. Growth Des. 2011 11 664 667
- (2011) Cryst. Growth Des. , vol.11 , pp. 664-667
- Li, G.¹ Yang, H.²

6
- 84875002521
- H. Y. Yang S. F. Yu J. I. Wong Z. H. Cen H. K. Liang T. P. Chen ACS Appl. Mater. Interfaces 2011 3 1726 1730
- (2011) ACS Appl. Mater. Interfaces , vol.3 , pp. 1726-1730
- Yang, H.Y.¹ Yu, S.F.² Wong, J.I.³ Cen, Z.H.⁴ Liang, H.K.⁵ Chen, T.P.⁶

7
- 77956978665
- O. Lupan T. Pauporté B. Viana I. M. Tiginyanu V. V. Ursaki R. Cortès ACS Appl. Mater. Interfaces 2010 2 2083 2090
- (2010) ACS Appl. Mater. Interfaces , vol.2 , pp. 2083-2090
- Lupan, O.¹ Pauporté, T.² Viana, B.³ Tiginyanu, I.M.⁴ Ursaki, V.V.⁵ Cortès, R.⁶

8
- 25444521781
- W. Wierzchowski K. Wieteska W. Graeff H. Sakowska T. Lukasiewicz M. Pawlowska Cryst. Res. Technol. 2005 40 517 522
- (2005) Cryst. Res. Technol. , vol.40 , pp. 517-522
- Wierzchowski, W.¹ Wieteska, K.² Graeff, W.³ Sakowska, H.⁴ Lukasiewicz, T.⁵ Pawlowska, M.⁶

9
- 0035166391
- H. Sakowska M. Swirkowicz K. Mazur T. Lukasiewicz A. Witek Cryst. Res. Technol. 2001 36 851 858
- (2001) Cryst. Res. Technol. , vol.36 , pp. 851-858
- Sakowska, H.¹ Swirkowicz, M.² Mazur, K.³ Lukasiewicz, T.⁴ Witek, A.⁵

10
- 0036494387
- J. Z. Xiao M. J. Shao Y. L. Tian W. X. Huang A. H. Wang S. T. Yin J. Cryst. Growth 2002 236 671 675
- (2002) J. Cryst. Growth , vol.236 , pp. 671-675
- Xiao, J.Z.¹ Shao, M.J.² Tian, Y.L.³ Huang, W.X.⁴ Wang, A.H.⁵ Yin, S.T.⁶

11
- 38749099052
- M. M. C. Chou C. L. Chen S. S. Yang C. H. Huang H. L. Huang J. Phys. Chem. Solids 2008 69 425 429
- (2008) J. Phys. Chem. Solids , vol.69 , pp. 425-429
- Chou, M.M.C.¹ Chen, C.L.² Yang, S.S.³ Huang, C.H.⁴ Huang, H.L.⁵

12
- 0141991782
- E. Talik M. Kruczek H. Sakowska W. Szyrski J. Alloys Compd. 2003 361 282 288
- (2003) J. Alloys Compd. , vol.361 , pp. 282-288
- Talik, E.¹ Kruczek, M.² Sakowska, H.³ Szyrski, W.⁴

13
- 0036697490
- M. Sumiya T. Chikyow T. Sasahara K. Yoshimura J. Ohta H. Fujioka S. Tagaya H. Ikeya H. Koinuma S. Fuke Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 2002 41 5038 5041
- (2002) Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 , vol.41 , pp. 5038-5041
- Sumiya, M.¹ Chikyow, T.² Sasahara, T.³ Yoshimura, K.⁴ Ohta, J.⁵ Fujioka, H.⁶ Tagaya, S.⁷ Ikeya, H.⁸ Koinuma, H.⁹ Fuke, S.¹⁰

14
- 13444284876
- M. Sumiya S. Fuke MRS Internet J. Nitride Semicond. Res. 2004 9 1 32
- (2004) MRS Internet J. Nitride Semicond. Res. , vol.9 , pp. 1-32
- Sumiya, M.¹ Fuke, S.²

15
- 27744555243
- M. J. Ying X. L. Du Y. Z. Liu Z. T. Zhou Z. Q. Zeng Z. X. Mei J. F. Jia H. Chen Q. K. Xue Z. Zhang Appl. Phys. Lett. 2005 87 202107
- (2005) Appl. Phys. Lett. , vol.87 , pp. 202107
- Ying, M.J.¹ Du, X.L.² Liu, Y.Z.³ Zhou, Z.T.⁴ Zeng, Z.Q.⁵ Mei, Z.X.⁶ Jia, J.F.⁷ Chen, H.⁸ Xue, Q.K.⁹ Zhang, Z.¹⁰

16
- 0141895096
- H. Takahashi H. Fujioka J. Ohta M. Oshima M. Kimura J. Cryst. Growth 2003 259 36 39
- (2003) J. Cryst. Growth , vol.259 , pp. 36-39
- Takahashi, H.¹ Fujioka, H.² Ohta, J.³ Oshima, M.⁴ Kimura, M.⁵

17
- 33750688223
- G. Li J. Ohta A. Kobayashi H. Fujioka Appl. Phys. Lett. 2006 89 182104
- (2006) Appl. Phys. Lett. , vol.89 , pp. 182104
- Li, G.¹ Ohta, J.² Kobayashi, A.³ Fujioka, H.⁴

18
- 33845750159
- G. Li T. W. Kim S. Inoue K. Okamoto H. Fujioka Appl. Phys. Lett. 2006 89 241905
- (2006) Appl. Phys. Lett. , vol.89 , pp. 241905
- Li, G.¹ Kim, T.W.² Inoue, S.³ Okamoto, K.⁴ Fujioka, H.⁵

19
- 80052099619
- K. W. Liu S. J. Chang S. J. Young T. H. Hsueh H. Hung Y. C. Mai S. M. Wang Y. Z. Chen J. Electrochem. Soc. 2011 158 H983 H987
- (2011) J. Electrochem. Soc. , vol.158
- Liu, K.W.¹ Chang, S.J.² Young, S.J.³ Hsueh, T.H.⁴ Hung, H.⁵ Mai, Y.C.⁶ Wang, S.M.⁷ Chen, Y.Z.⁸

20
- 84859645312
- Y. S. Lin K. H. Lin T. Tite C. Y. Chuang Y. M. Chang J. A. Yeh J. Cryst. Growth 2012 348 47 52
- (2012) J. Cryst. Growth , vol.348 , pp. 47-52
- Lin, Y.S.¹ Lin, K.H.² Tite, T.³ Chuang, C.Y.⁴ Chang, Y.M.⁵ Yeh, J.A.⁶

21
- 84861650498
- H. Y. Geng H. Sunakawa N. Sumi K. Yamamoto A. A. Yamaguchi A. Usui J. Cryst. Growth 2012 350 44 49
- (2012) J. Cryst. Growth , vol.350 , pp. 44-49
- Geng, H.Y.¹ Sunakawa, H.² Sumi, N.³ Yamamoto, K.⁴ Yamaguchi, A.A.⁵ Usui, A.⁶

22
- 67649210602
- S. S. Ng T. L. Yoon Z. Hassan H. Abu Hassan Appl. Phys. Lett. 2009 94 241912
- (2009) Appl. Phys. Lett. , vol.94 , pp. 241912
- Ng, S.S.¹ Yoon, T.L.² Hassan, Z.³ Abu Hassan, H.⁴

23
- 84855982174
- D. J. Won X. J. Weng J. M. Redwing Appl. Phys. Lett. 2012 100 021913
- (2012) Appl. Phys. Lett. , vol.100 , pp. 021913
- Won, D.J.¹ Weng, X.J.² Redwing, J.M.³

24
- 84858340167
- L. Neumann J. W. Gerlach B. Rauschenbach Thin Solid Films 2012 520 3936 3945
- (2012) Thin Solid Films , vol.520 , pp. 3936-3945
- Neumann, L.¹ Gerlach, J.W.² Rauschenbach, B.³

25
- 84861888785
- A. M. El-Naggar J. Mater. Sci.: Mater. Electron. 2012 23 972 976
- (2012) J. Mater. Sci.: Mater. Electron. , vol.23 , pp. 972-976
- El-Naggar, A.M.¹

26
- 84857699486
- P. Drechsel P. Stauss W. Bergbauer P. Rode S. Fritze A. Krost T. Markurt T. Schulz M. Albrecht H. Riechert U. Steegmüller Phys. Status Solidi A 2012 209 427 430
- (2012) Phys. Status Solidi A , vol.209 , pp. 427-430
- Drechsel, P.¹ Stauss, P.² Bergbauer, W.³ Rode, P.⁴ Fritze, S.⁵ Krost, A.⁶ Markurt, T.⁷ Schulz, T.⁸ Albrecht, M.⁹ Riechert, H.¹⁰ Steegmüller, U.¹¹

27
- 0035338092
- J. Ohta H. Fujioka M. Sumiya H. Koinuma M. Oshima J. Cryst. Growth 2001 225 73 78
- (2001) J. Cryst. Growth , vol.225 , pp. 73-78
- Ohta, J.¹ Fujioka, H.² Sumiya, M.³ Koinuma, H.⁴ Oshima, M.⁵

28
- 84863304180
- Y. C. Hsu I. Lo C. H. Shih W. Y. Pang C. H. Hu Y. C. Wang M. M. C. Chou Appl. Phys. Lett. 2012 100 242101
- (2012) Appl. Phys. Lett. , vol.100 , pp. 242101
- Hsu, Y.C.¹ Lo, I.² Shih, C.H.³ Pang, W.Y.⁴ Hu, C.H.⁵ Wang, Y.C.⁶ Chou, M.M.C.⁷

29
- 26144449160
- L. G. Parratt Phys. Rev. 1954 95 359 369
- (1954) Phys. Rev. , vol.95 , pp. 359-369
- Parratt, L.G.¹

30
- 0000515073
- L. Névot P. Croce Rev. Phys. Appl. 1980 15 761 779
- (1980) Rev. Phys. Appl. , vol.15 , pp. 761-779
- Névot, L.¹ Croce, P.²

* 이 정보는 Elsevier사의 SCOPUS DB에서 KISTI가 분석하여 추출한 것입니다.