Interface engineering for lattice-matched epitaxy of ZnO on (La,Sr) (Al,Ta) O3 (111) substrate

Applied Physics Letters

Volumn 87, Issue 20, 2005, Pages 1-3

  Ying, M J ^a   Du, X L ^a   Liu, Y Z ^a   Zhou, Z T ^a   Zeng, Z Q ^a   Mei, Z X ^a   Jia, J F ^a   Chen, H ^a   Xue, Q K ^a   Zhang, Z ^b  

^a INSTITUTE OF PHYSICS   (China)

^b BEIJING UNIVERSITY OF TECHNOLOGY   (China)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

CRYSTAL ORIENTATION; ELECTRON DIFFRACTION; LATTICE CONSTANTS; MAGNESIUM PRINTING PLATES; MOLECULAR BEAM EPITAXY; NUCLEATION; SURFACE TREATMENT; TRANSMISSION ELECTRON MICROSCOPY; X RAY DIFFRACTION ANALYSIS;

INTERFACE ENGINEERING; LATTICE-MATCHED EPITAXY; LOW-TEMPERATURE DEPOSITION;

ZINC OXIDE;

EID: 27744555243     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.2130523     Document Type: Article

References (20)

1. H. Ohta, H. Mizoguchi, M. Hirano, S. Narushima, T. Kamiya, and H. Hosono, Appl. Phys. Lett. 82, 823 (2003).
2. Y. F. Chen, S. K. Hong, H. J. Ko, M. Nakajima, T. Yao, and Y. Segawa, Appl. Phys. Lett. 76, 245 (2000).
3. D. C. Look, D. C. Reynolds, C. W. Litton, R. L. Jones, D. B. Eason, and G. Cantwell, Appl. Phys. Lett. 81, 1830 (2002).
4. Y. F. Chen, H. J. Ko, S. K. Hong, and T. Yao, Appl. Phys. Lett. 76, 559 (2000).
5. X. L. Du, M. Murakami, H. Iwaki, Y. Ishitani, and A. Yoshikawa, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 41, L1043 (2002).
6. M. W. Cho, A. Setiawan, H. J. Ko, S. K. Hong, and T. Yao, Semicond. Sci. Technol. 20, S13 (2005).
7. A. Tsukazaki, A. Ohtomo, T. Onuma, M. Hotani, T. Makino, M. Sumiya, S. Chichibu, S. Fuke, Y. Segawa, H. Ohno, H. Koinuma, and M. Kawasaki, Nat. Mater. 4, 42 (2005).
8. B. C. Chakoumakos, D. G. Schlom, M. Urbanik, and J. Luine, J. Appl. Phys. 83, 1979 (1998).
9. D. J. Tao, H. X. Wu, X. D. Xu, R. S. Yan, F. Y. Liu, A. P. B. Sinha, X. P. Jiang, and H. L. Hu, Opt. Mater. (Amsterdam, Neth.) 23, 425 (2003).
10. H. Li, L. Salamance-Riba, R. Ramesh, and J. H. Scott, J. Mater. Res. 18, 1698 (2003).
11. A. Atshagiri, C. Niederberger, A. J. Francis, L. M. Porter, P. A. Salvador, and D. S. Sholl, Surf. Sci. 537, 134 (2003).
12. M. Sumiya, T. Chikyow, T. Sasahara, K. Yoshimura, J. Ohta, H. Fujioka, S. Tagaya, H. Ikeya, H. Koinuma, and S. Fuke, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 41, 5038 (2002).
13. J. Ohta, H. Fujioka, M. Sumiya, H. Koinuma, and M. Oshim, J. Cryst. Growth 225, 73 (2001).
14. Z. X. Mei, X. L. Du, Y. Wang, M. J. Ying, Z. Q. Zeng, H. Zheng, J. F. Jia, Q. K. Xue, and Z. Zhang, Appl. Phys. Lett. 86, 112111 (2005).
15. Z. X. Mei, Y. Wang, X. L. Du, M. J. Ying, Z. Q. Zeng, H. Zheng, J. F. Jia, Q. K. Xue, and Z. Zhang, J. Appl. Phys. 96, 7108 (2004).
16. Ulrike Grossner, Stig Gabrielsen, Thomas Moe Børseth, Joachim Grillenberger, Andrej Yu. Kuznetsov, and Bengt G. Svensson, Appl. Phys. Lett. 85, 2259 (2004).
17. Y. Z. Liu, M. J. Ying, X. L. Du, Z. Q. Zeng, Z. X. Mei, J. F. Jia, Q. K. Xue, and Z. Zhang, Phys. Lett. A 339, 497 (2005).
18. W. R. L. Lambrecht, S. Limpijunmnong, and B. Segall, MRS Internet J. Nitride Semicond. Res. 4S1, G6.8 (1999).
19. H. Kato, K. Miyamoto, M. Sano, and T. Yao, Appl. Phys. Lett. 84, 4562 (2004).
20. Z. Q. Zeng, X. L. Du, H. T. Yuan, H. Zheng, X. N. Wang, H. D. Li, J. F. Jia, Q. K. Xue, and Z. Zhang (unpublished).