Atmospheric pressure based electrostatic spray deposition of transparent conductive ZnO and Al-doped ZnO (AZO) thin films: Effects of Al doping and annealing treatment

Electronic Materials Letters

Volumn 9, Issue 2, 2013, Pages 161-170

  Mahmood, Khalid ^a   Park, Seung Bin ^a  

^a Korea Advanced Institute of Science and Technology (KAIST)   (South Korea)

Author keywords

annealing; electrospraying; resistivity; transparent; Wurtzite; zinc oxide

Indexed keywords

ELECTRICAL AND OPTICAL PROPERTIES; ELECTROSPRAYING; ELECTROSTATIC SPRAY DEPOSITION; ELECTROSTATIC SPRAY DEPOSITION METHODS; FREE ELECTRON CONCENTRATION; HEXAGONAL WURTZITE STRUCTURE; TRANSPARENT; WURTZITES;

ANNEALING; ATMOSPHERIC PRESSURE; DEPOSITION; ELECTRIC CONDUCTIVITY; ELECTROSTATICS; FILM PREPARATION; OPTICAL FILMS; OPTICAL PROPERTIES; SEMICONDUCTOR DOPING; THIN FILMS; ZINC OXIDE; ZINC SULFIDE;

ALUMINUM;

EID: 84874927345     PISSN: 17388090     EISSN: 20936788     Source Type: Journal    
DOI: 10.1007/s13391-012-2188-6     Document Type: Article

References (57)

1. T. Gao, Q. Li, and T. Wang, Chem. Mater. 17, 887 (2005).
2. X. D. Wang, C. J. Summers, and Z. L. Wang, Nano Lett. 4, 423 (2004).
3. Q. Li, V. Kummar, Y. Li, H. Zhang, T. J. Marks, and R. P. H. Chang, Chem. Mater. 17, 1001 (2005).
4. K. S. Hwang, J. H. Jeong, Y. S. Jeon, K. K. Jeon, and B. H. Kim, Ceram. Int. 33, 505 (2007).
5. A. F. Aktaruzzaman, G. L. Sharma, and L. K. Malhotra, Thin Solid Films198, 67 (1991).
6. S. Kohiki, M. Nishitani, and T. Wada, J. Appl. Phys. 75, 2069 (1994).
7. R. Wang, A. W. Sleight, and D. Cleary, Chem. Mater. 8, 443 (1996).
8. A. Ambrosini, S. Malo, and K. Poeppelmeier, Chem. Mater. 14, 58 (2002).
9. G. B. Palmer, K. R. Poeppelmeier, and T. O. Mason, Chem. Mater. 9, 3121 (1997).
10. K. Mahmood, D. S. Song, and S. B. Park, Surf. Coat. Technol. 206, 4730 (2012).
11. J. J. Robbins, J. Harvey, J. Leaf, C. Fry, and C. A. Wolden, Thin Solid Films473, 35 (2005).
12. F. K. Shan, B. C. Shin, S. W. Jang, and Y. S. Yu, J. Eur. Ceram. Soc. 24, 1015 (2004).
13. F. Chaabouni, M. Abaab, and B. Rezig, Mater. Sci. Eng. B109, 236 (2004).
14. F. D. Paraguay, M. Miki-Yoshida, J. Morales, J. Solis, and W. L. Estrada, Thin Solid Films373, 137 (2000).
15. H.-W. Ryu, B.-S. Park, S. A. Akbar, W.-S. Lee, K.-J. Hong, Y. J. Seo, D.-C. Shin, J.-S. Park, and G.-P. Choi, Sens. Actuators B96, 717 (2003).
16. G. Sberveglieri, S. Groppelli, P. Nelli, A. Tintinelli, and G. Giunta, Sens. Actuators B25, 588 (1995).
17. J. Li, H. Q. Fan, X. H. Jia, J. Chen, Z. Y. Cao, and X. P. Chen, J. Alloys Compd. 481, 735 (2009).
18. E. H. Kisi and M. Elcombe, Acta Cryst Sect C45, 1865 (1989).
19. R. Brenier and L. Ortega, J. Sol-gel Sci. Technol. 29, 137 (2004).
20. X. B. Wang, C. Song, K. W. Geng, F. Zeng, and F. Pan, J. Phys. D: Appl. Phys. 39, 4992 (2006).
21. J. Hu and R. G. Gordon, J. Appl. Phys. 72, 5281 (1992).
22. P. Nunes, E. Fortunato, P. Tonello, F. B. Fernandes, P. Vilarinho, and R. Martins, Vacuum64, 281 (2002).
23. A. El Manounia, F. J. Manjónb, M. Mollar, B. Mary b, R. Gómez, M. C. López, and J. R. Ramos-Barradod, Superlattices Microstruct. 39, 185-192 (2006).
24. H. M. Zhou, D. Q. Yi, Z. M. Yu, L. R. Xiao, and J. Li, Thin Solid Films515, 6909 (2007).
25. G. Kim, J. Bang, Y. Kim, S. K. Rout, and S. I. Woo, Appl. Phys. A97, 821 (2009).
26. D. J. Goyal, C. H. Agashe, M. G. Takwale, V. G. Bhide, S. Mahamuni, and S. K. Kulkarni, J. Mater. Res. 8, 1052 (1993).
27. S. H. Lee, T. S. Lee, K. S. Lee, B. Cheong, Y. D. Kim, and W. M. Kim, J. Phys. D: Appl. Phys. 41, 095303 (2008).
28. T. Minami, Semicond. Sci. Technol. 20, S35 (2005).
29. T. Minami, H. Nanto, and S. Takata, Jpn. J. Appl. Phys. 23, L280-(1984).
30. T. Minami, K. Oohashi, S. Takata, T. Mouri, and N. Ogawa, Thin Solid Films721, 193 (1990).
31. W. Tang and D. C. Cameron, Thin Solid Films238, 83 (1994).
32. A. Suzuki, T. Matsushita, N. Wada, Y. Sakamoto, and M. Okuda, Jpn. J. Appl. Phys. 35, L56 (1999).
33. H. Kim, A. Piqu, J. S. Horwitz, H. Murata, Z. H. Kafafi, C. M. Gilmore, and D. B. Chrisey, Thin Solid Films377-378, 798 (2000).
34. M. J. Alam and D. C. Cameron, J. Vac. Sci. Technol. A19, 1642 (2000).
35. J. Ma, F. Ji, H. L. Ma, and S. Y. Li, Sol. Energ. Mat. Sol. C. 60, 341 (2000).
36. H. Agura, A. Suzuki, T. Matsushita, T. Aoki, and M. Okuda, Thin Solid Films445, 263 (2003).
37. J. H. Lee and B. O. Park, Mat. Sci. Eng. B106, 242 (2004).
38. S. M. Park, T. Ikegami, and K. Ebihara, Jpn. J. Appl. Phys. 45, 8453 (2006).
39. B. Joseph, P. K. Manoj, and V. K. Vaidyan, Ceram. Int. 32, 487 (2006).
40. A. El. Manouni, F. J. Manjón, M. Perales, M. Mollar, B. Mar, M. C. Lopez, and J. R. Ramos Barrado, Superlattices Microstruct. 42, 134 (2007).
41. S. M. Kim, Y. S. Rim, M. J. Keum, and K. H. Kim, J. Electroceram. 23, 341 (2009).
42. S. T. Hwang and C. B. Park, Trans. Electr. Electron. Mater. 11, 81 (2010).
43. P. Banerjee, W. J. Lee, K. R. Bae, S. B. Lee, and G. W. Rubloff, J. Appl. Phys. 108, 043504 (2010).
44. Y. P. Wang, J. G. Lu, X. Bie, L. Gong, X. Li, D. Song, X. Y. Zhao, W. Y. Ye, and Z. Z. Ye, J. Vac. Sci. Technol. A29, 031505 (2011).
45. L. Gao, Y. Zhang, J. M. Zhang, and K. W. Xu, Appl. Surf. Sci. 257, 2498 (2011).
46. H. Ishizaki, M. Imaizumi, S. Matsuda, M. Izaki, and T. Ito, Thin Solid Films411, 65 (2002).
47. K. L. Chopra, S. Major, and D. K. Pandya, Thin Solid Films102, 1 (1983).
48. J. W. Orton and M. J. Powell, Rep. Prog. Phys. 43, 1263 (1980).
49. K. Ellmer, J. Phys. D: Appl. Phys. 34, 3097 (2001).
50. X. L. Chen, B. H. Xu, J. M. Xue, Y. Zhang, C. C. Wei, J. Sun, Y. Wang, X. D. Zhang, and X. H. Geng, Thin Solid Films515, 3753 (2007).
51. J. Steinhauser, S. Faÿ, N. Oliveira, E. Vallat-Sauvain, and C. Ballif, Appl. Phys. Lett. 90, 142107 (2007).
52. B. Joseph, P. K. Manoj, and V. K. Vaidyan, Ceram. Int. 32, 487 (2006).
53. J. G. Lu, Z. Z. Ye, Y. J. Zeng, L. P. Zhu, L. Wang, J. Yuan, B. H. Zhao, and Q. L. Liang, J. Appl. Phys. 100, 073714 (2006).
54. A. D. Trolio, E. M. Bauer, G. Scavia, and C. Veroli, J. Appl. Phys. 105, 113109 (2009).
55. S. M. Park, T. Ikegami, and K. Ebihara, Thin Solid Films513, 90 (2006).
56. S. Kim, S. M. Kim, G. Nam, and J.-Y. Leem, Electron. Mater. Lett. 8, 447 (2012).
57. G. M. Nam and M. S. Kwon, Electron. Mater. Lett. 7, 127 (2011).