Field emission properties of gold nanoparticle-decorated ZnO nanopillars

ACS Applied Materials and Interfaces

Volumn 4, Issue 12, 2012, Pages 6676-6682

  Chang, Yuan Ming ^a   Lin, Man Ling ^a   Lai, Tung Yen ^a   Lee, Hsin Yi ^a,b   Lin, Chih Ming ^c   Wu, Yew Chung Sermon ^a   Juang, Jenh Yih ^a  

^a NATIONAL CHIAO TUNG UNIVERSITY   (Taiwan)

^b NATIONAL SYNCHROTRON RADIATION RESEARCH CENTER   (Taiwan)

^c NATIONAL TSING HUA UNIVERSITY   (Taiwan)

Author keywords

Au nanoparticles; current density; field emission; turn on field; vapor transport deposition; ZnO nanopillars

Indexed keywords

AU NANOPARTICLE; DEPOSITION METHODS; FIELD EMISSION PROPERTY; FIELD-EMISSION CHARACTERISTICS; MAXIMUM CURRENT DENSITY; NANOPILLARS; OPTOELECTRONIC PROPERTIES; SI SUBSTRATES; STRUCTURE MODIFICATION; TURN-ON FIELD; VAPOR TRANSPORT; VERTICALLY ALIGNED; ZNO;

CHARGE TRANSFER; CURRENT DENSITY; FIELD EMISSION; GOLD; NANOPARTICLES; VAPORS;

ZINC OXIDE;

EID: 84871667447     PISSN: 19448244     EISSN: 19448252     Source Type: Journal    
DOI: 10.1021/am301848a     Document Type: Article

References (55)

1. Li, Yu.; Koshizakib, N.; Caia, W. Coord. Chem. Rev. 2011, 255, 357-373
2. Weng, W. Y.; Chang, S. J.; Hsu, C. L.; Hsueh, T. J. ACS Appl. Mater. Interfaces 2011, 3, 162-166
3. Lupan, O.; Pauporté, T.; Viana, B.; Tiginyanu, I. M.; Ursaki, V. V.; CorteÌ€s, R. ACS Appl. Mater. Interfaces 2010, 2, 2083-2090
4. Li, Y.; Fang, X.; Koshizaki, N.; Sasaki, T.; Li, L.; Gao, S.; Shimizu, Y.; Bando, Y.; Golberg, D. Adv. Funct. Mater. 2009, 19, 2467-2473
5. Guan, J.; Zhang, J.; Yu, T.; Xue, G.; Yu, X.; Tang, Z.; Wei, Y.; Yang, J.; Li, Z.; Zou, Z. RSC Adv. 2012, 2, 7708-7713
6. Lee, C. J.; Lee, T. J.; Lyu, S. C.; Zhang, Y.; Ruh, H.; Lee, H. J. Appl. Phys. Lett. 2002, 81, 3648-3650
7. Xu, C. X.; Sun, X. W. Appl. Phys. Lett. 2003, 83, 3806-3808
8. Li, Y. B.; Bando, Y.; Golberg, D. Appl. Phys. Lett. 2004, 84, 3603-3605
9. Zhao, Q.; Zhang, H. Z.; Zhu, Y. W.; Feng, S. Q.; Sun, X. C.; Xu, J.; Yu, D. P. Appl. Phys. Lett. 2005, 86, 203115-1-3
10. Xu, C. X.; Sun, X. W.; Fang, S. N.; Yang, X. H.; Yu, M. B.; Zhu, G. P.; Cui, Y. P. Appl. Phys. Lett. 2006, 88, 161921-1-3
11. Premkumar, T.; Zhou, Y. S.; Lu, Y. F.; Baskar, K. ACS Appl. Mater. Interfaces 2010, 2, 2863-2869
12. Bekermann, D.; Gasparotto, A.; Barreca, D.; Bovo, L.; Devi, A.; Fischer, R. A.; Lebedev, O. I.; Maccato, C.; Tondello, E.; Tendeloo, G. V. Cryst. Growth Des. 2010, 10, 2011-2018
13. Barreca, D.; Bekermann, D.; Devi, A.; Fischer, R. A.; Gasparotto, A.; Maccato, C.; Tondello, E.; Rossi, M.; Orlanducci, S.; Terranova, M. L. Chem. Phys. Lett. 2010, 500, 287-290
14. Barreca, D.; Bekermann, D.; Comini, E.; Devi, A.; Fischer, R. A.; Gasparotto, A.; Maccato, C.; Sada, C.; Sberveglieric, G.; Tondello, E. CrystEngComm 2010, 12, 3419-3421
15. Simon, Q.; Barreca, D.; Gasparotto, A.; Maccato, C.; Tondello, E.; Sada, C.; Comini, E.; Devi, A.; Fischer, R. A. Nanotechnology 2012, 23, 025502-1-7
16. Bekermann, D.; Gasparotto, A.; Barreca, D.; Devi, A.; Fischer, R. A.; Kete, M.; Štangar, U. L.; Lebedev, O. I.; Maccato, C.; Tondello, E.; Tendeloo, G. V. ChemPhysChem 2010, 11, 2337-2340
17. Simon, Q.; Barreca, D.; Bekermann, D.; Gasparotto, A.; Maccato, C.; Comini, E.; Gombac, V.; Fornasiero, P.; Lebedev, O. I.; Turner, S.; Devi, A.; Fischer, R. A.; Tendeloo, G. V. Int. J. Hydrogen Energy 2011, 36, 15527-15537
18. Simon, Q.; Barreca, D.; Gasparotto, A.; Maccato, C.; Montini, T.; Gombac, V.; Fornasiero, P.; Lebedev, O. I.; Turner, S.; Tendeloo, G. V. J. Mater. Chem. 2012, 22, 11739-11747
19. Chang, Y.-M.; Huang, J. M.; Lin, C.-M.; Lee, H.-Y.; Chen, S.-Y.; Juang, J.-Y. J. Phys. Chem. C 2012, 116, 8332-8337
20. Xu, C. X.; Sun, X. W.; Chen, B. J. Appl. Phys. Lett. 2004, 84, 1540-1542
21. Ye, C.; Bando, Y.; Fang, X.; Shen, G.; Golberg, D. J. Phys. Chem. C 2007, 111, 12673-12676
22. Daniel, M. C.; Astruc, D. Chem. Rev. 2004, 104, 293-346
23. Wang, X.; Kong, X.; Yu, Y.; Zhang, H. J. Phys. Chem. C 2007, 111, 3836-3841
24. Im, J.; Singh, J.; Soares, J. W.; Steeves, D. M.; Whitten, J. E. J. Phys. Chem. C 2011, 115, 10518-10523
25. Zhao, D.; Andreazza, C.; Andreazza, P.; Ma, J.; Liu, Y.; Shen, D. Chem. Phys. Lett. 2005, 408, 335-338
26. Fan, H. J.; Lee, W.; Hauschild, R.; Alexe, M.; Rhun, G. L.; Scholz, R.; Dadgar, A.; Nielsch, K.; Kalt, H.; Krost, A.; Zacharias, M.; Gösele, U. Small 2006, 2, 561-568
27. Zhang, Z.; Wang, S. J.; Yu, T.; Wu, T. J. Phys. Chem. C 2007, 111, 17500-17505
28. Chang, Y.-M.; Liu, M.-C.; Kao, P.-H.; Lin, C.-M.; Lee, H.-Y.; Juang, J.-Y. ACS Appl. Mater. Interfaces 2012, 4, 1411-1416
29. Zhang, Z.; Yuan, H.; Zhou, J.; Liu, D.; Luo, S.; Miao, Y.; Gao, Y.; Wang, J.; Liu, L.; Song, L.; Xiang, Y.; Zhao, X.; Zhou, W.; Xie, S. J. Phys. Chem. B 2006, 110, 8566-8569
30. She, J.; Xiao, Z.; Yang, Y.; Deng, S.; Chen, J.; Yang, G.; Xu, N. ACS Nano 2008, 2, 2015-2022
31. Fonoberov, V. A.; Balandin, A. A. Phys. Rev. B 2004, 70, 195410-1-5
32. Kar, A.; Kundu, S.; Patra, A. RSC Adv. 2012, 2, 4879-4885
33. Chiang, T.-Y.; Dai, C.-L.; Lian, D.-M. J. Alloys Compd. 2011, 509, 5623-5626
34. Xue, X.-Y.; Chen, Z.-H.; Xing, L.-L.; Ma, C.-H.; Chen, Y.-J.; Wang, T.-H. J. Phys. Chem. C 2010, 114, 18607-18611
35. Chang, Y.-M.; Shieh, J.; Chu, P.-Y.; Lee, H.-Y.; Lin, C.-M.; Juang, J.-Y. ACS Appl. Mater. Interfaces 2011, 3, 4415-4419
36. Chang, Y.-M.; Kao, P.-H.; Liu, M.-C.; Lin, C.-M.; Lee, H.-Y.; Juang, J.-Y. RSC Adv. 2012, 2, 11089-11094
37. Chang, Y.-M.; Jian, S.-R.; Lee, H.-Y.; Lin, C.-M.; Juang, J.-Y. Nanotechnology 2010, 21, 385705-1-7
38. Garces, N. Y.; Wang, L.; Bai, L.; Giles, N. C.; Halliburton, L. E.; Cantwell, G. Appl. Phys. Lett. 2002, 81, 622-624
39. Kong, Y. C.; Yu, D. P.; Zhang, B.; Fang, W.; Feng, S. Q. Appl. Phys. Lett. 2001, 78, 407-409
40. Panigrahi, S.; Basak, D. Nanoscale 2011, 3, 2336-2341
41. Jo, S. H.; Lao, J. Y.; Ren, Z. F.; Farrer, R. A.; Baldacchini, T.; Fourkas, J. T. Appl. Phys. Lett. 2003, 83, 4821-4823
42. Ramgir, N. S.; Late, D. J.; Bhise, A. B.; Mulla, I. S.; More, M. A.; Joag, D. S.; Pillai, V. K. Nanotechnology 2006, 17, 2730-2735
43. Al-Tabbakh, A. A.; More, M. A.; Joag, D. S.; Mulla, I. S.; Pillai, V. K. ACS Nano 2010, 4, 5585-5590
44. Li, C.; Fang, G.; Liu, N.; Li, J.; Liao, L.; Su, F.; Li, G.; Wu, X.; Zhao, X. J. Phys. Chem. C 2007, 111, 12566-12571
45. Kale, V. S.; Prabhakar, R. R.; Pramana, S. S.; Rao, M.; Sow, C.-H.; Jinesh, K. B.; Mhaisalkar, S. G. Phys. Chem. Chem. Phys. 2012, 14, 4614-4619
46. Pradhan, D.; Kumar, M.; Ando, Y.; Leung, K. T. ACS Appl. Mater. Interfaces 2009, 4, 789-796
47. Shen, X.-P.; Yuan, A.-H.; Hu, Y.-M.; Jiang, Y.; Xu, Z.; Hu, Z. Nanotechnology 2005, 16, 2039-2043
48. Zhang, Y.; Lee, C.-T. J. Phys. Chem. C 2009, 113, 5920-5923
49. Liu, J.; Huang, X.; Li, Y.; Ji, X.; Li, Z.; He, X.; Sun, F. J. Phys. Chem. C 2007, 111, 4990-4997
50. Ahmad, M.; Sun, H.; Zhu, J. ACS Appl. Mater. Interfaces 2011, 3, 1299-1305
51. Cao, B.; Teng, X.; Heo, S. H.; Li, Y.; Cho, S. O.; Li, G.; Cai, W. J. Phys. Chem. C 2007, 111, 2470-2476
52. Marathe, S. K.; Koinkar, P. M.; Ashtaputre, S. S.; More, M. A.; Gosavi, S. W.; Joag, D. S.; Kulkarni, S. K. Nanotechnology 2006, 17, 1932-1936
53. Zhang, Z.; Meng, G.; Xu, Q.; Hu, Y.; Wu, Q.; Hu, Z. J. Phys. Chem. C 2010, 114, 189-193
54. Wu, L.; Li, Q.; Zhang, X.; Zhai, T.; Bando, Y.; Golberg, D. J. Phys. Chem. C 2011, 115, 24564-24568
55. Wang, S. Fundamentals of Semiconductor Theory and Device Physics; Prentice-Hall Inc.: NJ, 1989; p 131.