Electrochemically deposited zinc oxide arrays for field emission

Applied Physics Letters

Volumn 88, Issue 16, 2006, Pages

  Xu, C X ^d   Sun, X W ^d   Fang, S N ^a   Yang, X H ^a   Yu, M B ^b   Zhu, G P ^c   Cui, Y P ^c  

^a Singapore Epson Industrial Pte Ltd   (Singapore)

^b INSTITUTE OF MICROELECTRONICS   (Singapore)

^c SOUTHEAST UNIVERSITY   (China)

^d NONE

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

CRYSTAL STRUCTURE; DEPOSITION; ELECTRON EMISSION; SCANNING ELECTRON MICROSCOPY; X RAY DIFFRACTION;

ELECTROCHEMICAL DEPOSITION; FIELD EMITTERS; FOWLER-NORDHEIM EQUATION; ROD ARRAYS;

ZINC OXIDE;

EID: 33646170297     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.2198095     Document Type: Article

References (25)

1. W. A. de Heer, A. Chatelain, and D. Ugarte, Science 270, 1179 (1995).
2. Y. H. Tang, X. H. Sun, F. C. K. Au, L. S. Liao, H. Y. Peng, C. S. Lee, S. T. Lee, and T. K. Sham, Appl. Phys. Lett. 79, 1673 (2001).
3. F. G. Tarntair, C. Y. Wen, L. C. Chen, J.-J. Wu, K. H. Chen, P. F. Kuo, S. W. Chang, Y. F. Chen, W. K. Hong, and H. C. Cheng, Appl. Phys. Lett. 76, 2630 (2000).
4. J. Zhou, S. Z. Deng, N. S. Xu, J. Chen, and J. C. She, Appl. Phys. Lett. 83, 2653 (2003).
5. H. Jia, Y. Zhang, X. Chen, J. Shu, X. Luo, Z. Zhang, and D. Yu, Appl. Phys. Lett. 82, 4146 (2003).
6. C. J. Lee, T. J. Lee, S. C. Lyu, Y. Zhang, H. Ruh, and H. J. Lee, Appl. Phys. Lett. 81, 3648 (2002).
7. Q. Zhao, H. Z. Zhang, Y. W. Zhu, S. Q. Feng, X. C. Sun, J. Xu, and D. P. Yu, Appl. Phys. Lett. 86, 203115 (2005).
8. M. H. Huang, S. Mao, H. Feick, H. Yan, Y. Wu, H. Kind, E. Weber, R. Russo, and P. Yang, Science 292, 1897 (2001).
9. C. X. Xu, X. W. Sun, C. Yuen, B. J. Chen, S. F. Yu, and Z. L. Dong, Appl. Phys. Lett. 86, 011118 (2005).
10. R. C. Wang, C. P. Liu, J. L. Huang, S. J. Chen, Y. K. Tseng, and S. C. Kung, Appl. Phys. Lett. 87, 013110 (2005).
11. L. Liao, J. C. Li, D. H. Liu, C. Liu, D. F. Wang, W. Z. Song, and Q. Fu, Appl. Phys. Lett. 86, 083106 (2005).
12. S. H. Jo, D. Banerjee, and Z. F. Ren, Appl. Phys. Lett. 85, 1407 (2004).
13. Y. B. Li, Y. Bando, and D. Golberg, Appl. Phys. Lett. 84, 3603 (2004).
14. Q. Wan, K. Yu, and T. H. Wang, Appl. Phys. Lett. 83, 2253 (2003).
15. C. X. Xu and X. W. Sun, Appl. Phys. Lett. 83, 3806 (2003).
16. C. X. Xu, X. W. Sun, and B. J. Chen, Appl. Phys. Lett. 84, 1540 (2004).
17. Y. C. Choi, Y. M. Shin, D. J. Bae, S. C. Lim, Y. H. Lee, and B. S. Lee, Diamond Relat. Mater. 10, 1457 (2001).
18. I. M. Bonard, J. P. Salvetat, T. Stockli, W. A. de Heer, L. Forro, and A. Chatelain, Appl. Phys. Lett. 73, 918 (1998).
19. S. Dimitrijevic, J. C. Withers, V. P. Mammana, O. R. Monteriro, J. W. Ager, and I. G. Brown, Appl. Phys. Lett. 75, 2680 (1999).
20. W. B. Choi, Y. H. Lee, N. S. Lee, J. H. Kang, S. H. Park, H. Y. Kim, D. S. Chung, S. M. Lee, and J. M. Kim, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 39, 2560 (2000).
21. K. A. Dean and B. R. Chalamala, Appl. Phys. Lett. 76, 375 (2000).
22. C. H. Hung and W. T. Whang, J. Cryst. Growth 268, 242 (2004).
23. L. Vayssieres, K. Keis, S. E. Lindquist, and A. Hagfeldt, J. Phys. Chem. B 105, 3350 (2001).
24. C. X. Xu, X. W. Sun, B. J. Chen, P. Shum, S. Li, and X. Hu, J. Appl. Phys. 95, 661 (2004).
25. C. X. Xu, X. W. Sun, X. H. Zhang, L. Ke, and S. J. Chua, Nanotechnology 15, 856 (2004).