Field emission from gallium-doped zinc oxide nanofiber array

Applied Physics Letters

Volumn 84, Issue 9, 2004, Pages 1540-1542

  Xu, C X ^a   Sun, X W ^a   Chen, B J ^a  

^a NANYANG TECHNOLOGICAL UNIVERSITY   (Singapore)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

CONCENTRATION (PROCESS); CRYSTAL GROWTH; DIAMOND LIKE CARBON FILMS; DOPING (ADDITIVES); ELECTRIC PROPERTIES; GRAPHITE; NANOSTRUCTURED MATERIALS; SAPPHIRE; TRANSMISSION ELECTRON MICROSCOPY; X RAY DIFFRACTION ANALYSIS; ZINC OXIDE;

CRYSTAL QUALITY; FIELD EMISSION; NANOFIBER ARRAYS;

GALLIUM;

EID: 1642619654     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.1651328     Document Type: Article

References (25)

1. C. Wang, A. Garicia, D. C. Ingram, M. Lake, and M. E. Kordesch, Electron. Lett. 27, 1459 (1991).
2. H. Kiyota, H. Araki, H. Kobayashi, T. Shiga, K. Kitaguchi, M. Lida, H. Wang, T. Miyo, T. Takida, T. Kurosu, K. Lnoue, and I. Saito, Appl. Phys. Lett. 75, 2331 (1999).
3. S. H. Jeong, H. Y. Hwang, and K. H. Lee, Appl. Phys. Lett. 78, 2052 (2001).
4. S. R. P. Silva, G. A. J. Amaratunga, and J. R. Barnes, Appl. Phys. Lett. 71, 1477 (1997).
5. K. L. Ng, J. Yuan, J. T. Cheung, and K. W. Cheah, Solid State Commun. 123, 205 (2002).
6. F. G. Tarntair, C. Y. Wen, L. C. Chen, J.-J. Wu, K. H. Chen, P. F. Kuo, S. W. Chang, Y. F. Chen, W. K. Hong, and H. C. Cheng, Appl. Phys. Leu. 76, 2630 (2000).
7. V. N. Tondare, C. Balasubramanian, S. V. Shende, D. S. Joag, V. P. Godbole, S. V. Bhoraskar, and M. Bhadbhade, Appl. Phys. Lett. 80, 4813 (2002).
8. B. L. Ward, O. H. Nam, J. D. Hartman, S. L. English, B. L. McCarson, R. Schiesser, Z. Sitar, R. F. Davis, and R. J. Nemanish, J. Appl. Phys. 84, 5238 (1998).
9. X. W. Sun and H. S. Kwok, J. Appl. Phys. 86, 408 (1999).
10. M. H. Huang, Y. Wu, H. Feick, N. Tran, E. Weber, and P. Yang, Adv. Mater. (Weinheim, Ger.) 13, 113 (2001).
11. Z. W. Pan, Z. R. Dai, and Z. L. Wang, Science 291, 1947 (2001).
12. J. T. Cheung, G. M. Williams, J. Warren, F. Leslie, and Z. Zhuang, U.S. Patent No. 6,541,908(2003).
13. C. J. Lee, T. J. Lee, S. C. Lyu, Y. Zhang, H. Ruh, and H. J. Lee, Appl. Phys. Lett. 81, 3648 (2002).
14. C. X. Xu and X. W. Sun, Appl. Phys. Lett. 83, 3806 (2003).
15. H. D. B. Jenkins, in CRC Handbook of Chemistry and Physics, 75th ed., edited by D. R. Lide (CRC, Boca Raton, FL, 1994), pp. 12-20.
16. W. I. Park, D. H. Kim, S. W. Jung, and G. C. Yi, Appl. Phys. Lett. 80, 4232 (2002).
17. R. A. Laudise and A. A. Ballman, J. Phys. Chem. 64, 688 (1960).
18. T. Sugino, Y. Iwasaki, S. Kawasaki, R. Hattori, and J. Shirafuji, Diamond Relat. Mater. 6, 889 (1997).
19. N. S. Xu, R. V. Latham, and Y. Tzeng, Electron. Lett. 29, 1956 (1993).
20. V. D. Frolov, A. V. Karabutov, S. M. Pimenov, V. I. Konov, and V. P. Ageev, Diamond Relat. Mater. 10, 1719 (2001).
21. S. M. Sze, Physics of Semiconductor Devices, 2nd ed. (Wiley, Singapore, 1981), p. 17.
22. M. Oshikiri, Y. Imanaka, F. Aryasetiawan, and G. Kido, Physica B 298, 472 (2001).
23. D. G. Baik and S. M. Cho, Thin Solid Films 354, 227 (1999).
24. D. N. Davydow, P. A. Sattari, D. AlMawlawi, A. Osika, T. L. Haslett, and M. Moskovits, J. Appl. Phys. 86, 3983 (1999).
25. I. Alexandrou, E. Kymakis, and G. A. J. Amaratunga, Appl. Phys. Lett. 80, 1435 (2002).