Different ZnO nanostructures fabricated by a seed-layer assisted electrochemical route and their photoluminescence and field emission properties

Journal of Physical Chemistry C

Volumn 111, Issue 6, 2007, Pages 2470-2476

  Cao, Bingqiang ^a,c   Teng, Xuemei ^a   Heo, Sung Hwan ^b   Li, Yue ^a,b   Cho, Sung Oh ^b   Li, Guanghai ^a   Cai, Weiping ^a  

^a INSTITUTE OF SOLID STATE PHYSICS   (China)

^b Korea Advanced Institute of Science and Technology (KAIST)   (South Korea)

^c UNIVERSITY OF LEIPZIG   (Germany)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

CURRENT DENSITY; ELECTRODEPOSITION; FIELD EMISSION; PHOTOLUMINESCENCE; THIN FILMS; ZINC OXIDE;

ELECTROCHEMICAL DEPOSITION (ECD); RADIUS CURVATURE; SEED LAYER;

NANOSTRUCTURED MATERIALS;

EID: 34248641118     PISSN: 19327447     EISSN: 19327455     Source Type: Journal    
DOI: 10.1021/jp066661l     Document Type: Article

References (47)

1. Service, R. F. Science 1997, 276, 895.
2. Triboulet, R.; Perriére, J. Prog. Cryst. Growth Charact. 2003, 47, 65.
3. (a) Wang, Z. L. J. Phys. Condens. Matter. 2004, 16, R829.
4. (b) Ye Ch. H.; Fang X. Sh.; Hao Y. F.; Teng X. M.; Zhang L. D. J. Phys. Chem. B 2006, 109, 19758.
5. Huang, M. H.; Mao, S.; Feick, H. Yan H. Q.; Wu Y. Y.; Kind H.; Weber E.; Russo R.; Yang P. D. Science 2002, 292, 1897.
6. Yoshida, T. T.; Tochimoto, M.; Schlettwein, D.; Wöhrle, D.; Sugiura, T.; Minoura, H. Chem. Mater. 1999, 11, 2657.
7. de la Olvera, M. L.; Asomoza, R. Sens. Actuators B 1997, 45, 49.
8. Ezhilvalavan S.; Kutty T. R. N. Mater. Chem. Phys. 1997, 49, 258.
9. Wang, X. D.; Summers, C. J.; Wang, Z. L. Nano. Lett. 2004, 4, 423.
10. Geng, C. Y.; Jiang, Y.; Yao, Y.; Meng, X. M.; Zapien, J. A.; Lee, C. S.; Lifshitz, Y.; Lee S. T. Adv. Funct. Mater. 2004, 14, 589.
11. Kaidashev, E. M.; Lorenz, M.; von Wenckstern, H.; Rahm, A.; Semmelhack, H.-C.; Han, K.-H.; Bendorf, G.; Bundesmann, C.; Hochmuth, H.; Grundmann, M. Appl Phys. Lett. 2003, 82, 3901.
12. Loren, z M.; Kaidashev, E. M.; Rahm, A.; Nobis, Th.; Lenzner, J.; Wagner, G.; Spemann, D.; Hochmuth, H.; Grundmann, M. Appl. Phys. Lett. 2005, 50, 143113.
13. Look, D. C. Mater. Sci. Eng. B 2001, 80, 383.
14. Izaki, M.; Omi, T. Appl. Phys. Lett. 1996, 68, 2439.
15. Peulon, S.; Lincot, D. Adv. Mater. 1996, 8, 166.
16. Li, Y.; Meng, G. W.; Zhang, L. D.; Phillip, F. Appl. Phys. Lett. 2002, 76, 2011.
17. Xu, L. F.; Guo, Y.; Liao, Q,; Xu, D. S. J. Phys. Chem. B 2005, 109, 13519.
18. Pauporté, Th.; Lincot, D. Appl. Phys. Lett. 2000, 75, 3817.
19. Kim, D. G.; Terashita, T.; Tanaka, I.; Nakayama, M. Jpn. J. Appl. Phys., Pt. 2 2003, 42, L935.
20. Hsu, J. W. P.; Tallant, D. R.; Simpson, R. L.; Missert, N. A.; Copeland, R. G. Appl. Phys. Lett. 2006, 88, 252103.
21. Teng, X. M.; Fan, H. T.; Pan, S. S.; Ye, C.; Li, G. H. J. Phys. D: Appl. Phys. 2006, 39, 471.
22. Cao, B. Q.; Cai, W. P.; Li, Y.; Sun, F. Q.; Zhang, L. D. Nanotechnology 2005, 16, 1734.
23. Izaki, M.; Omi, T. Appl. Phys. Lett. 1996, 68, 2439.
24. Cao, B. Q.; Cai, W. P.; Sun, F. Q.; Li, Y.; Lei, Y.; Zhang, L. D. Chem. Commun. 2004, 1604.
25. Tseng, Y. K.; Huang, C. J.; Cheng, H. M.; Liu, K. S.; Chen, I. C. Adv. Funct. Mater. 2003, 13, 811.
26. Jie, J. S.; Wang, G. Z.; Chen, Y. M; Han X. H.; Wang Q. T.; Xu B.; Hou J. G. Appl. Phys. Lett. 2005, 86, 031909.
27. Cross 1, R. B. M.; De Souza, M. M.; Sankara Narayanan, E. M. Nanotechnology, 2005, 16, 2188.
28. Wang, Z. L.; Kong, X. Y.;. Zuo J. M. Phys. Rev. Lett. 2005, 91, 185502.
29. Cao, B. Q.; Cai, W. P.; Zeng, H. B.; Duan, G. T. J. Appl. Phys. 2006, 99, 073516.
30. Pauporté, Th.; Lincot, D. Electrochem. Acta 2000, 45, 3345.
31. Cao, B. Q.; Cai, W. P.; Duan, G. T.; Li, Y.; Zhao, Q.; Yu, D. P. Nanotechnology 2005, 16, 2567.
32. Illy, B.; Shollock, B. A.; MacManus-Driscoll, J. L.; Ryan, M. P. Nanotechnology 2005, 16, 320.
33. Cao, B. Q.; Cai, W. P.; Zeng, H. B. Appl. Phys. Lett. 2006, 88, 161101.
34. Zeng, H. B.; Cai, W. P.; Hu, J. L.; Duan, G. T.; Liu, P. S.; Li, Y. Appl. Phys. Lett. 2006, 88, 171910.
35. Fang, R. C. Spectrum of Solids, 1st ed; Press of University of Science and Technology of China: Hefei, 2001.
36. Izaki, M.; Watase, S.; Takahashi, H. Adv. Mater. 2003, 15, 2000.
37. Xu, L. F.; Guo, Y.; Liao, Q.; Zhang, J. P.; Xu, D. S. J. Phys. Chem. B 2005, 109, 13519.
38. Fan, H. J.; Scholz, R.; Kolb, F. M.; Zacharias, M.; Gösele, U.; Heyroth, F.; Eisenschmidt, C.; Hempel, T.; Christen, J. Appl. Phys. A 2004, 79, 189.
39. Varshni, Y. P. Physica (Amsterdam) 1967, 34, 149.
40. Tseng, Y. K.; Huang, C. J.; Cheng, H. M.; Lin, I. N.; Liu, K. S; Chen, I. C. Adv. Funct. Mater. 2003, 13, 811.
41. Lee, C. J.; Lee, T. J.; Lyu, S. C.; Zhang, Y.; Ruh, H.; Lee, H. J. Appl. Phys. Lett. 2002, 81, 3648.
42. Zhao, Q.; Zhang, H. Z.; Zhu, Y. W.; Feng, S. Q.; Sun, X. C.; Xu, J.; Yu, D. P. Appl. Phys. Lett. 2005, 86, 203115.
43. Fowler, R. H.; Nordheim, L. W. Proc. R. Soc. London A 1928, 119, 173.
44. Jo, S. H.; Banerjee, D.; Ren, Z. F. Appl. Phys. Lett. 2004, 85, 1407.
45. Li, Y. B.; Bando, Y.; Golberg, D. Appl. Phys. Lett. 2004, 84, 3603.
46. Zhao, Q.; Xu, J.; Xu, X. Y.; Wang, Z.; Yu, D. P. Appl. Phys. Lett. 2004, 85, 5331.
47. Bonard, J. M.; Weiss, N.; Kind, H.; StÖckli, L. F.; Kern, K.; Châtelain, A. Adv. Mater. (Weinheim, Ger.) 2003, 15, 2000.