Erratum: Enhanced field emission performance of ga-doped In 2O3(ZnO)3 superlattice nanobelts (Journal of Physical Chemistry C (2011) 115:50 (24564-24568) DOI: 10.1021/jp207438s);Enhanced field emission performance of Ga-doped In2O 3(ZnO)3 superlattice nanobelts

Journal of Physical Chemistry C

Volumn 115, Issue 50, 2011, Pages 24564-24568

  Wu, Lili ^a,c   Li, Quan ^a,c   Zhang, Xitian ^a   Zhai, Tianyou ^b   Bando, Yoshio ^b   Golberg, Dmitri ^b  

^a HARBIN NORMAL UNIVERSITY   (China)

^b NATIONAL INSTITUTE FOR MATERIALS SCIENCE   (Japan)

^c CHINESE UNIVERSITY OF HONG KONG   (Hong Kong)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

CHEMICAL VAPOR DEPOSITION; ELECTRON DIFFRACTION; FIELD EMISSION; II-VI SEMICONDUCTORS; INDIUM COMPOUNDS; NANOBELTS; SCANNING ELECTRON MICROSCOPY; X RAY PHOTOELECTRON SPECTROSCOPY; ZINC OXIDE;

CHEMICAL VAPOR DEPOSITIONS (CVD); ELECTRICAL FIELD; EMISSION CURRENT; ENHANCED FIELD EMISSION; FIELD EMITTER; GOOD STABILITY; HIGH FIELD; SELECTED AREA ELECTRON DIFFRACTION;

HIGH RESOLUTION TRANSMISSION ELECTRON MICROSCOPY;

EID: 84863115734     PISSN: 19327447     EISSN: 19327455     Source Type: Journal    
DOI: 10.1021/jp4008703     Document Type: Erratum

References (49)

1. Zhai, T. Y.; Li, L.; Ma, Y.; Liao, M. Y.; Wang, X.; Fang, X. S.; Yao, J. N.; Bando, Y.; Golberg, D. Chem. Soc. Rev. 2011, 40, 2986-3004.
2. Gautam, U. K.; Panchakarla, L. S.; Dierre, B.; Fang, X. S.; Bando, Y.; Sekiguchi, T.; Govindaraj, A.; Golberg, D.; Rao, C. N. R. Adv. Funct. Mater. 2009, 19, 131-140.
3. Fang, X. S.; Bando, Y.; Gautam, U. K.; Ye, C.; Golberg, D. J. Mater. Chem. 2008, 18, 509-522.
4. Zhai, T. Y.; Fang, X. S.; Bando, Y. S.; Liao, Q.; Xu, X. J.; Zeng, H. B.; Ma, Y.; Yao, J. N.; Golberg, D. ACS Nano 2009, 3, 949-959.
5. Karpyna, V. A.; Evtukh, A. A.; Semenenko, M. O.; Lazorenko, V. I.; Lashkarev, G. V.; Khranovskyy, V. D.; Yakimova, R.; Fedorchenko, D. A. Microelectron. J. 2009, 40, 229-231.
6. Zhang, X. N.; Chen, Y. G.; Xie, Z. P.; Yang, W. Y. J. Phys. Chem. C 2010, 114, 8251-8255.
7. Xu, C. X.; Sun, X. W.; Chen, B. J. Appl. Phys. Lett. 2004, 84, 1540-1542.
8. Naghavi, N.; Marcel, C.; Dupont, L.; Rougier, A.; Leriche, J. B.; Guery, C. J. Mater. Chem. 2000, 10, 2315-2319.
9. Masuda, Y.; Ohta, M.; Seo, W. S.; Pitschke, W.; Koumoto, K. J. Solid State Chem. 2000, 150, 221-227.
10. Andrews, S. C.; Fardy, M. A.; Moore, M. C.; Aloni, S.; Zhang, M. J.; Radmilovic, V.; Yang, P. D. Chem. Sci. 2011, 2, 706-714.
11. Wu, L. L.; Zhang, X. T.; Wang, Z. F.; Liang, Y.; Xu, H. Y. J. Phys. D: Appl. Phys. 2008, 41, 195406-1-5.
12. Li, C. F.; Bando, Y.; Nakamura, M.; Kimizuka, N. J. Electron Microsc. 1997, 46, 119-127.
13. Goncharuk, N. M. Mater. Sci. Eng. 2003, 353, 36-40.
14. Wang, R. Z.; Ding, X. M.; Wang, B.; Xue, K.; Xu, J. B.; Yan, H.; Hou, X. Y. Phys. Rev. B 2005, 72, 125310-1-6.
15. Wang, R. Z.; Yan, H.; Wang, B.; Zhang, X. W.; Hou, X. Y. Appl. Phys. Lett. 2008, 92, 142102-1-3.
16. Zhao, W.; Wang, R. Z.; Song, X. M.; Wang, H.; Wang, B.; Yan, H.; Chu, P. K. Appl. Phys. Lett. 2011, 98, 152110-1-3.
17. Zhao, W.; Wang, R. Z.; Han, S.; Xue, K.; Wang, H.; Yan, H. J. Phys. Chem. C 2010, 114, 11584-11587.
18. Aleman, B.; Fernandez, P.; Piqueras, J. Appl. Phys. Lett. 2009, 95, 013111-1-3.
19. Li, D. P.; Wang, G. Z.; Han, X. H. J. Phys. D: Appl. Phys. 2009, 42, 175308-1-5.
20. Na, C. W.; Bae, S. Y.; Park, J. J. Phys. Chem. B 2005, 109, 12785-12790.
21. Li, D. P.; Wang, G. Z.; Han, X. H.; Jie, J. S.; Lee, S. T. J. Phys. Chem. C 2009, 113, 5417-5421.
22. Jie, J. S.; Wang, G. Z.; Han, X. H.; Hou, J. G. J. Phys. Chem. B 2004, 108, 17027-17031.
23. Zhang, X. T.; Lu, H. Q.; Gao, H.; Wang, X. J.; Xu, H. Y.; Li, Q.; Hark, S. K. Cryst. Growth Des. 2009, 9, 364-367.
24. Wu, L. L.; Liang, Y.; Liu, F. W.; Lu, H. Q.; Xu, H. Y.; Zhang, X. T.; Hark, S. K. CrystEngComm 2010, 12, 4152-4155.
25. Niu, B. J.; Wu, L. L.; Zhang, X. T. CrystEngComm 2010, 12, 3305-3309.
26. Nakamura, M.; Kimizuka, N.; Mohri, T. J. Solid State Chem. 1991, 93, 298-315.
27. Ueda, Y.; Yoshida, K.; Saitoh, H. J. Ceram. Soc. Jpn. 2009, 117, 508-514.
28. Chang, L. W.; Yeh, J. W.; Cheng, C. L.; Shieu, F. S.; Shih, H. C. Appl. Surf. Sci. 2011, 257, 3145-3151.
29. Huang, Y. H.; Zhang, Y.; Gu, Y. S.; Bai, X. D.; Qi, J. J.; Liao, Q. L.; Liu, J. J. Phys. Chem. C 2007, 111, 9039-9043.
30. Jung, M. N.; Ha, S. H.; Oh, S. J.; Koo, J. E.; Cho, Y. R.; Lee, H. C.; Lee, S. T.; Jeon, T. I.; Makino, H.; Chang, J. H. Curr. Appl. Phys. 2009, 9, E169-E172.
31. Li, D. P.; Wang, G. Z.; Yang, Q. H.; Xie, X. J. Phys. Chem. C 2009, 113, 21512-21515.
32. Wu, L. L.; Liu, F. W.; Chu, Z. Q.; Liang, Y.; Xu, H. Y.; Lu, H. Q.; Zhang, X. T.; Li, Q. A.; Hark, S. K. CrystEngComm 2010, 12, 2047-2050.
33. Huang, D. L.; Wu, L. L.; Zhang, X. T. J. Phys. Chem. C 2010, 114, 11783-11786.
34. Zhang, X. T.; Liu, Z.; Leung, Y. P.; Li, Q.; Hark, S. K. Appl. Phys. Lett. 2003, 83, 5533-1-3.
35. Wu, L. L.; Zhang, X. T.; Liang, Y.; Xu, H. Y. J. Alloys Compd. 2009, 468, 452-454.
36. Moriga, T.; Edwards, D. D.; Mason, T. O.; Palmer, G. B.; Poeppelmeier, K. R.; Schindler, J. L.; Kannewurf, C. R.; Nakabayashi, I. J. Am. Ceram. Soc. 1998, 81, 1310-1316.
37. Keller, I.; Assenmacher, W.; Schnakenburg, G.; Mader, W. Z. Anorg. Allg. Chem. 2009, 635, 2065-2071.
38. Moriga, T.; Kammler, D. R.; Mason, T. O.; Palmer, G. B.; Poeppelmeier, K. R. J. Am. Ceram. Soc. 1999, 82, 2705-2710.
39. Ahmad, M.; Sun, H. Y.; Zhu, J. ACS Appl. Mater. Interfaces 2011, 3, 1299-1305.
40. Kim, G. H.; Jeong, W. H.; Kim, H. J. Phys. Status Solidi A 2010, 207, 1677-1679.
41. Li, C.; Zhang, Y.; Mann, M.; Hiralal, P.; Unalan, H. E.; Lei, W.; Wang, B. P.; Chu, D. P.; Pribat, D.; Amaratunga, G. A. J.; et al. Appl. Phys. Lett. 2010, 96, 143114-1-3.
42. Lee, C. J.; Lee, T. J.; Lyu, S. C.; Zhang, Y.; Ruh, H.; Lee, H. J. Appl. Phys. Lett. 2002, 81, 3648-1-3.
43. Gautam, U. K.; Fang, X. S.; Bando, Y.; Zhan, J. H.; Golberg, D. ACS Nano 2008, 2, 1015-1021.
44. Shang, N. G.; Meng, F. Y.; Au, F. C. K.; Li, Q.; Lee, C. S.; Bello, I.; Lee, S. T. Adv. Mater. 2002, 14, 1308-1313.
45. Li, L.; Fang, X. S.; Chew, H. G.; Zheng, F.; Liew, T. H.; Xu, X. J.; Zhang, Y. X.; Pan, S. S.; Li, G. H.; Zhang, L. D. Adv. Funct. Mater. 2008, 18, 1080-1088.
46. Zhai, T. Y.; Fang, X. S.; Bando, Y.; Dierre, B.; Liu, B. D.; Zeng, H. B.; Xu, X. J.; Huang, Y.; Yuan, X. L.; Sekiguchi, T.; et al. Adv. Funct. Mater. 2009, 19, 2423-2430.
47. Huang, X. X.; Cheng, C. L.; Chen, Y. T.; Chen, Y. F. J. Appl. Phys. 2010, 108, 063717-1-4.
48. Pan, H.; Zhu, Y. W.; Sun, H.; Feng, Y. P.; Sow, C. H.; Lin, J. Y. Nanotechnology 2006, 17, 5096-5100.
49. Xue, X. Y.; Li, L. M.; Yu, H. C.; Chen, Y. J.; Wang, Y. G.; Wang, T. H. Appl. Phys. Lett. 2006, 89, 043118-1-3.